介绍一下 NAND Flash 的工作原理，要求答案中包含以下三个要点：1. 基础结构；2. 编程和擦除过程；3. 数据存储方式。
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NAND Flash 是一种非易失性存储技术，广泛应用于各种电子设备中。下面介绍 NAND Flash 的几个要点：

1. **基础结构**：NAND Flash 内部采用了一种特殊的晶体管单元结构，这些单元以NAND 门方式连接。这种结构使得每个存储单元可以保存一个或多个比特的信息。在典型的架构中，多个这样的单元串联形成一个“页”，多个“页”又組成一个“块”。块是最小的擦除单位，而页则是读写的基本单位。这种设计使得 NAND Flash 具有较高的存储密度，并且支持快速的写入和擦除操作。

2. **编程和擦除过程**：NAND Flash 的擦除操作必须以块为单位进行，而编程（写入）与读取则是以页为单位完成的。在擦除过程中，电子被从单元的浮栅中移除，使所有位恢复到“1”。当执行编程时，仅对表示逻辑“0”的特定单元进行编程，这涉及到将电子注入到那些单元的浮栅中。读取数据则是通过检测单元的导通状态来判断是否保存了数据。

3. **数据存储方式**：在 NAND Flash 中，信息是以电荷的形式存储在浮栅中的。根据电荷的多少，每个单元可以表示不同的逻辑状态。在单层单元 (SLC) NAND 中，每个单元只存储一个比特位；而在多层单元 (MLC) 和三层单元 (TLC) NAND 中，分别可以存储2个和3个比特位，从而实现更高的容量但牺牲了一定的读写速度和耐久性。

通过这些机制，NAND Flash 作为一种高效的存储介质，在保持低成本的同时提供了较高的可靠性和较长的使用寿命。
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