SOU ajoute nan SiC MOSFETs - Infinity-Electronic
KayNouvèlSOU ajoute nan SiC MOSFETs
ON Semiconductor te entwodwi de SiC MOSFET ki vize pou EVs, solè ak aplikasyon pou UPS.
Klas endistriyèl NTHL080N120SC1 ak AEC-Q101 otomobil klas NVHL080N120SC1 klas yo konplete pa Dyod SiC ak Chofè SiC, zouti simulation aparèy, modèl SPICE ak enfòmasyon aplikasyon an.
ON la nan 1200 volt (V), 80 milliohm (mΩ), SiC MOSFETs fè yon koule ki ba aktyèl, yon dyòd dyod entrizik ki ba chaj rekiperasyon ranvèse, ki bay apik rediksyon pouvwa pèt ak sipò pi wo operasyon frekans ak pi gwo dansite pouvwa, ak ba EON ak vire / vit vire SOU ak OFF konbine avèk ba avanse vòltaj diminye pèt pouvwa total ak Se poutèt sa refwadi kondisyon.
Low aparèy kapasite sipòte kapasite a chanje nan frekans trè wo ki diminye pwoblèm anbarasman EMI; Pandan setan, pi wo vag, kapasite lavalas, ak fyabilite kont sikwi kout-amelyore konfòtab an jeneral, bay fyab amelyore ak ankò an jeneral esperans lavi.
Yon benefis pli lwen nan aparèy yo SOSC MOSFET se yon estrikti revokasyon ki ajoute nan fyab ak frigidité ak amelyore estabilite operasyonèl.
NVHL080N120SC1 a te fèt pou reziste kouran vag wo epi li ofri gwo kapasite lavalas ak fyabilite kont sikui kout.
Kalifikasyon AEC-Q101 nan MOSFET plis lòt aparèy SiC yo ofri, asire ke yo ka konplètman itilize nan nimewo k ap grandi nan aplikasyon pou nan machin kap émergentes kòm yon rezilta pou ogmante kontni elektwonik ak elèktrifikasyon nan potansyèl.
Yon tanperati opere maksimòm de 175 ° C amelyore konvnab pou itilize nan desen otomobil kòm byen ke lòt aplikasyon pou sib kote dansite segondè ak kontrent espas yo ap pouse moute tanperati òdinè anbyen.