在AM1.5G、0.5V外电压下，各积层结构分别测量了光电化学电流密度，比较结果显示ZnO/ZnSe/g-C3N4纳米杆比ZnO及ZnO/ZnSe纳米杆的光电电流密度更高。
AM 1.5G, 0.5 V 외부전압하에서 각 적층구조별로 광전기화학적 전류밀도를 측정하였고 비교 결과 ZnO/ZnSe/g-C3N4 나노로드가 ZnO 및 ZnO/ZnSe 나노로드에 비하여 보다 높은 광전류 밀도가 측정되었다.