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이것은 산소가 투입되면서 박막 내에 자리잡고 있는 Sn4+ 이온에 의한 In3+이온 자리에 치환되거나, In2O3 자리에 산소 공공 자리에 칩입형 산소가 들어가면서 전자의 이동도가 개선되었기 때문이다.
これは酸素が投入され、薄膜内に位置しているSn4＋イオンによるIn3＋イオン位置に置き換えられたり、In2O3位置に酸素公共位置に侵入型酸素が入りながら電子の移動度が改善されたためだ。