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GaN는 SiC보다높은 절연파괴 전계를 보유하여 낮은 on 저항특성을 가지고 있으며, 소형화가 가능하고, 디바이스 동작에 따른 스위칭 손실 및 소비전력 최소화의 장점을 지니고 있다.
GaNはSiCよりも高い絶縁破壊電界を保ち、低いオン抵抗特性を有する上で、小型化することが可能で、デバイス動作に伴うスイッチング損失および消費電力の最小化の利点を持っている。