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온도가 낮을수록, 공정압력이 높을수록, H2O 유량이클수록 액상과 유사한 응축 반응층이 잘 형성되고, 응축 반응층의 형성이 용이해질수록 산화막의 식각률이 증가함을 유추할 수있다.
温度が低いほど、工程圧力が高いほど、H20流量が大きいほど液状と類似した凝縮反応層がよく形成され、凝縮反応層の形成が容易になるほど酸化膜のエッチング率が増加することが類推できる。