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이와 같은 언더필공정은 반도체소자와 기판 간의 간격이 좁아질수록 모세관현상에 의한 충진시간은 급격하게 길어지게 되고, 반도체소자와 기판 간의간격이 10μm 이하가 되는 경우에 모세관현상에 의한 언더필충진이 불가능하게 된다.
このようなアンダーフィル工程は半導体素子と基板間の距離が狭くなるほど毛細管現象による充填時間は急激に長くなり、半導体素子と基板間の間隔が10μm以下になる場合に毛細管現象によるアンダーフィル充填が不可能になる。