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동일한 두께의 산화막을 제거하는 시간 동안 건식 세정을 진행하여 건식 세정 조건의 영향만을 비교하기 위하여, 각 공정 조건에서의 식각률을 구한뒤에 SiO2 20nm 제거에 필요한 시간으로 각 조건별 공정 시간을 설정하였다.
同じ厚さの酸化膜を除去する時間の間、乾式洗浄を進行して乾式洗浄条件の影響のみを比較するために、各工程条件でのエッチング率を求めた後にSiO2 20nm除去に必要な時間で各条件別の工程時間を設定した。