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SiC를 사용하게 되면 Si IGBT보다낮은 on 저항을 나타내므로 고내압과 낮은 on 저항을 동시에 실현시킬 수 있으며, MOSFET은 tail 전류가 발생하지 않으므로 스위칭 손실까지 줄일 수 있게 된다.
SiCを使用することになると、SiIGBTより低いオン抵抗を示すため、高耐圧と低いオン抵抗を同時に実現させることができ、MOSFETはテール電流が発生しないため、スイッチング損失まで減らせることになる。