MATERIALS FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICESThe present invention relates to a process to produce compounds of the formula (1) which are suitable for use in electronic devices, as well as to intermediate compounds of formula (lnt-1) and compounds of formula (1-1) and (1-2) obtained via the process. These compounds are particularly suitable for use organic electroluminescent devices. The present invention also relate to electronic devices, which comprise these compounds.The method that one kind being used to prepare the compound according to formula (1),wherein it the described method comprises the following steps:(a) pass through following route (a-1) or route (a-2) formula (int-1) compound:route (a-1):(a-1-1) by first into the metallization reaction of line (p-1) compound, then deriving into the fluorenone of line (p-2) the cyclization of object and formula (p-1i) compound, formula (p-3) compound:(a-1-2) pass through the chemical reaction between formula (p-3) compound and formula (p-4) compound, formula (int-1) chemical combination object:route (a-2):(a-2-1) pass through the chemical reaction between the fluorenone derivatives of formula (p-2) and formula (p-4) compound, formula (p-5) compound:(a-2-2) by first into the metallization reaction of line (p-1) compound, then deriving into the fluorenone of line (p-5) cyclization between object and formula (p-1i) compound, formula (int-1) compound:(b) pass through the chemical reaction selected from aminating reaction between formula (int-1) compound and formula (p-6) compound, formula (1) compound:it is wherein described below suitable for symbol used:v is cr or n, and condition is that there are most three n or two adjacent group v (v-v or v=v) to represent for each 6 membered ring the group of formula (v-1) or (v-2),wherein dotted line key indicates the connection with two fluorene skeleton of spiral shell;e is to be selected from n (r0),b(r0),o,c(r0)2,si(r0)2, c=nr0, c=c (r0)2, s, s=o, so2,p(r0) and p (=o) r0bivalent bridging group;arlit is that aromatics or heteroaromatic ring system, the aromatics or heteroaromatic rings with 5 to 40 aromatic ring atoms tie up to each feelings it can be by one or more group r under condition1substitution;ar1,ar2it is the aromatics with 5 to 60 aromatic ring atoms or heteroaromatic ring system, the aromatics or miscellaneous identical or differently aromatics ring system in each case can also be by one or more group r2substitution;ar herein1and ar2can also via singly-bound or selected from- n(r2)-,-o-,-s-,-c(r2)2-,-c(r2)2-c(r2)2-,-si(r2)2and-b (r2)-bivalent bridging group connection;r0,r,r2it is selected from h, d, f, cho, cn, c (=o) ar identical or differently at each occurrence3, p (=o) (ar3)2, s (= o)ar3, s (=o)2ar3, n (ar3)2, si (r3)3, b (or3)2, oso2r3, alkyl, the alcoxyl of the straight chain with 1 to 40 c atom base or thioalkyl groups, or the branch with 3 to 40 c atoms or cricoid alkyl, alkoxy or alkylthio base group, each of described group can be by one or more group r3substitution, wherein one or more non-adjacent in each case ch2group can be by r3c=cr3,c≡c,si(r3)2,ge(r3)2,sn(r3)2, c=o, c=s, c=se, p (=o) (r3), so,so2, o, s or conr3instead of and wherein one or more h atoms can be replaced by d, f or cn, have 5 to 60 aromatic rings the aromatics of atom or heteroaromatic ring system, the aromatics or heteroaromatic rings tie up in each case can be by one or more group r3it takes generation, and the aryloxy group with 5 to 60 aromatic ring atoms, the aryloxy group can be by one or more group r3it takes generation, the adjacent substituent r of two of which0, two adjacent substituent rs or two adjacent substituent rs2monocycle can optionally be formed or polycyclic aliphatic ring systems or aromatics ring system, the aliphatic ring systems or aromatics ring system can be by one or more group r3substitution;r1it is selected from h, d, f, cho, cn, c (=o) ar identical or differently at each occurrence3, p (=o) (ar3)2, s (=o) ar3, s (=o)2ar3, si (r3)3, b (or3)2, oso2r3, alkyl, the alkoxy or thio of the straight chain with 1 to 40 c atom alkyl group, or the branch with 3 to 40 c atoms or cricoid alkyl, alkoxy or thioalkyl groups, the base each of group can be by one or more group r3substitution, wherein one or more non-adjacent ch in each case2group can by r3c=cr3,c≡c,si(r3)2,ge(r3)2,sn(r3)2, c=o, c=s, c=se, p (=o) (r3),so,so2, o, s or conr3instead of and wherein one or more h atoms can be replaced by d, f or cn, aromatics with 5 to 60 aromatic ring atoms or heteroaromatic ring system, the aromatics or heteroaromatic rings tie up in each case can be by one or more group r3substitution, and with 5 to the aryloxy group of 60 aromatic ring atoms, the aryloxy group can be by one or more group r3substitution, two of which phase adjacent substituent r1monocycle or polycyclic aliphatic ring systems or aromatics ring system can be optionally formed, the aliphatic ring systems or aromatics ring system can by one or more group r3substitution;r3it is selected from h, d, f, cho, cn, c (=o) ar identical or differently at each occurrence3, p (=o) (ar3)2, s (=o) ar3, s (=o)2ar3, si (r4)3, b (or4)2, oso2r4, alkyl, the alkoxy or thio of the straight chain with 1 to 40 c atom alkyl group, or the branch with 3 to 40 c atoms or cricoid alkyl, alkoxy or thioalkyl groups, the base each of group can be by one or more group r4substitution, wherein one or more non-adjacent ch in each case2group can by r4c=...
유기 전계발광 소자용 재료본 발명은 전자 소자에서 사용하기에 적합한 화학식 (1) 의 화합물을 제조하기 위한 방법뿐 아니라 상기 방법을 통해 수득된 화학식 (1-1) 및 (1-2) 의 화합물 및 화학식 (Int-1) 의 중간체 화합물에 관한 것이다. 이러한 화합물은 유기 전계발광 소자에서 사용하기에 특히 적합하다. 또한, 본 발명은 이들 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.화학식 (1) 에 따른 화합물의 제조 방법으로서,[이미지]방법이 하기 단계를 포함하는 제조 방법:(a) 하기와 같은 경로 (a-1) 또는 경로 (a-2) 에 의한 화학식 (Int-1) 의 화합물의 제조 단계:경로 (a-1): · (a-1-1) 먼저 화학식 (p-1) 의 화합물의 금속화 반응, 이후 화학식 (p-1i) 의 화합물과 화학식 (p-2) 의 플루오레논 유도체 사이의 고리화 반응에 의한 화학식 (p-3) 의 화합물의 제조:[이미지] · (a-1-2) 화학식 (p-3) 의 화합물과 화학식 (p-4) 의 화합물 사이의 화학 반응에 의한 화학식 (Int-1) 의 화합물의 제조:[이미지]경로 (a-2): · (a-2-1) 화학식 (p-4) 의 화합물과 화학식 (p-2) 의 플루오레논 유도체 사이의 화학 반응에 의한 화학식 (p-5) 의 화합물의 제조:[이미지] · (a-2-2) 먼저 화학식 (p-1) 의 화합물의 금속화 반응, 이후 화학식 (p-1i) 의 화합물과 화학식 (p-5) 의 플루오레논 유도체 사이의 고리화 반응에 의한 화학식 (Int-1) 의 화합물의 제조:[이미지](b) 화학식 (p-6) 의 화합물과 화학식 (Int-1) 의 화합물 사이의, 아민화 반응으로부터 선택된 화학 반응에 의한, 화학식 (1) 의 화합물의 제조:[이미지][식 중, 하기가 사용된 기호에 적용된다:V 는 CR 또는 N 이고, 단 6-원 고리 당 최대 3 개의 N 이 존재하거나, 두 인접 기 V (V-V 또는 V=V) 는 화학식 (V-1) 또는 (V-2) 의 기를 나타내고:[이미지](식 중, 점선 결합은 스피로바이플루오렌 골격에 대한 연결을 나타내고;E 는 N(R0), B(R0), O, C(R0)2, Si(R0)2, C=NR0, C=C(R0)2, S, S=O, SO2, P(R0) 및 P(=O)R0 로부터 선택된 2가 브릿지임);ArL 은 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R1 로 치환될 수 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;Ar1, Ar2 는, 동일 또는 상이하게, 각각의 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서 Ar1 및 Ar2 는 또한 단일 결합 또는 하기로부터 선택된 2가 브릿지를 통해 연결될 수 있고:-N(R2)-, -O-, -S-, -C(R2)2-, -C(R2)2-C(R2)2-, -Si(R2)2- 및 -B(R2)-;R0, R, R2 는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, D, F, CHO, CN, C(=O)Ar3, P(=O)(Ar3)2, S(=O)Ar3, S(=O)2Ar3, N(Ar3)2, Si(R3)3, B(OR3)2, OSO2R3,1 내지 40 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있고, 각각의 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R3), SO, SO2, O, S 또는 CONR3 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 두 인접 치환기 R0, 두 인접 치환기 R 또는 두 인접 치환기 R2 는 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 임의로 형성할 수 있고;R1 은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, D, F, CHO, CN, C(=O)Ar3, P(=O)(Ar3)2, S(=O)Ar3, S(=O)2Ar3, Si(R3)3, B(OR3)2, OSO2R3,1 내지 40 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있고, 각각의 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R3C=CR3, C≡C, Si(R3)2, Ge(R3)2, Sn(R3)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R3), SO, SO2, O, S 또는 CONR3 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 두 인접 치환기 R1 은 하나 이상의 라디칼 R3 으로 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 임의로 형성할 수 있고;R3 은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, D, F, CHO, CN, C(=O)Ar3, P(=O)(Ar3)2, S(=O)Ar3, S(=O)2Ar3, Si(R4)3, B(OR4)2, OSO2R4, 1 내지 40 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있고, 각각의 경우 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 R4C=CR4, C≡C, Si(R4)2, Ge(R4)2, Sn(R4)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R4), SO, SO2, O, S 또는 CONR4 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 두 인접 치환기 R3 은 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 임의로 형성할 수 있고;R4 는 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (각각의 경우, 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 로 대체될 수 있음), 및 5 내지 24 개의 C 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고;Ar3 은 각각의 경우, 동일 또는 상이하게, 각각의 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고;n 은 1, 2 또는 3 이고;X0 은 Cl, Br 또는 I 로부터 선택되고;X1 은 Cl, Br, I, 트리플루오로메탄술포네이트 (CF3SO3-), 토실레이트 (CH3C6H4SO3-), 메실레이트 (CH3SO3-), 또는 -B(ORB)2 이고;RB 는 H, 1 내지 10 개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬이고, 여기서 두 치환기 RB 는 1 내지 3 개의 C 원자를 갖는 알킬 기로 치환될 수 있는 모노시클릭 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있고;X2 는 Cl, Br, I, 트리플루오로메탄술포네이트 (CF3SO3-), 토실레이트 (CH3C6H4SO3-) 또는 메실레이트 (CH3SO3-) 이고;X3 은 Cl, Br, I 또는 -B(ORB)2 이고; 단 기 X1 또는 X3 중 하나는 반드시 -B(ORB)2 를 나타내지만, 두 기는 동시에 -B(ORB)2 를 나타내지 않고;M 은 리튬 또는 마그네슘임].