A three-dimensional structure composed of highly-reliable silicon ultrafine wires, a method for producing the three-dimensional structure, and a device including the same are provided. The three-dimensional structure composed of silicon fine wires includes wires (2) on the order of nanometers to micrometers formed by wet etching utilizing the crystallinity of a single-crystal material.  
높은 신뢰성의 실리콘 초미세선으로 이루어진 3 차원 구조체, 3 차원 구조체를 제조하는 방법, 및 이것을 포함하는 장치가 제공된다. 실리콘 미세선으로 이루어진 3 차원 구조체는 단결정 재료의 결정성을 이용하여 습식 에칭함으로써 형성되는 대략 나노미터 내지 마이크로미터의 미세선 (2) 을 포함한다.