One example includes a resistive random access memory (RRAM) system. The system includes a resistive memory element to store a binary state based on a resistance of the resistive memory element. The system also includes an RRAM write circuit to generate a current through the resistive memory element to provide a write voltage across the resistive memory element to set the resistance of the resistive memory element. The system further includes a write shutoff circuit to monitor a change in the write voltage as a function of time to deactivate the RRAM write circuit in response to a change in the binary state of the resistive memory element.
일 예는 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 시스템을 포함한다. 이 시스템은 저항성 메모리 요소의 저항에 기초하여 이진 상태를 저장하는 저항성 메모리 요소를 포함한다. 이 시스템은 또한, 저항성 메모리 요소에 기록 전압을 제공하여 저항성 메모리 요소의 저항을 설정하도록 저항성 메모리 요소를 통해 흐르는 전류를 생성하는 RRAM 기록 회로를 포함한다. 이 시스템은 또한, 저항성 메모리 요소의 이진 상태의 변화에 응답하여 RRAM 기록 회로를 비활성화하도록 시간의 함수로서의 기록 전압의 변화를 모니터링하는 기록 차단 회로를 포함한다.