A single electron tunnelling device is formed by positioning between first and second electrodes (E1, E2) a particle (P) formed of a material having a first conductivity characteristic having a surface layer of a material of a second conductivity characteristic, the thickness of said layer being sufficiently small to support quantum mechanical tunnelling therethrough.
제 2 도전성 재료의 표면층을 가진 제 1 도전성 재료로 형성된 입자(P)를 제 1 및 제 2 전극들(E1, E2) 사이에 배치함에 의해 단일 전자 터널링 디바이스가 제조되는데, 상기 층의 두께는 양자 역학적 터널링을 지원할 수 있을 정도로 충분히 작다.