A metal oxide thin film transistor includes a metal oxide semiconductor channel with the metal oxide semiconductor having a conduction band with a first energy level. The transistor further includes a layer of passivation material covering at least a portion of the metal oxide semiconductor channel. The passivation material has a conduction band with a second energy level equal to, or less than 0.5 eV above the first energy level.
금속산화물 박막 트랜지스터는 금속산화물 반도체가 제1 에너지 레벨의 전도대를 갖고 있는 금속산화물 반도체 채널을 포함하고 있다. 상기 트랜지스터는 상기 금속산화물 반도체 채널의 적어도 일부를 덮는 패시베이션 재료의 층을 더 포함하고 있다. 상기 패시베이션 재료는 상기 제1 에너지 레벨 위로 0.5 eV 이하의 제2 에너지 레벨의 전도대를 갖고 있다. 