Methods are provided for manufacturing a cmos device comprising transistor devices of different conductivity types, the respective transistor devices having channel materials which have different lattice constants.
다양한 전도성 유형의 트랜지스터 소자로 구성된 cmos 소자를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 각각의 트랜지스터 소자는 격자 상수가 다른 채널 재료를 가지고 있다.