An apparatus and method for adjusting the voltage applied to a Faraday shield of an inductively coupled plasma etching apparatus is provided. An appropriate voltage is easily and variably applied to a Faraday shield such that sputtering of a plasma can be controlled to prevent and mitigate deposition of non-volatile reaction products that adversely affect an etching process. The appropriate voltage for a particular etching process or step is applied to the Faraday shield by simply adjusting a tuning capacitor. It is not necessary to mechanically reconfigure the etching apparatus to adjust the Faraday shield voltage.
유도결합 플라즈마 에칭장치의 패러데이 실드에 인가되는 전압을 조절하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 적당한 전압이 쉽고 가변적으로 패러데이 실드에 인가되어, 에칭 프로세스에 불리하게 영향을 미치는 불휘발성 반응물의 퇴적을 막고 경감시키도록 플라즈마의 스퍼터링이 제어될 수 있다. 동조 캐패시터를 간단히 조절함으로써 특정한 에칭 프로세스나 단계에 적당한 전압이 패러데이 실드에 인가된다. 패러데이 실드 전압을 조절하기 위해서 에칭장치를 기계적으로 재구성할 필요는 없다.