Laser singulation of electronic devices 12 from semiconductor substrates including wafers 180 is performed using up to 3 lasers 150, 160, 170 from 2 wavelength ranges. Using up to 3 lasers 150, 160, 170 from 2 wavelength ranges permits laser singulation of wafers 180 held by die attach film 184 while avoiding problems caused by single-wavelength dicing. In particular, using up to 3 lasers 150, 160, 170 from 2 wavelength ranges permits efficient dicing of semiconductor wafers 180 while avoiding debris and thermal problems associated with laser processing die attach tape 184.
웨이퍼들(180)을 포함하는 반도체 기판들로부터 전자장치들(12)의 레이저 싱귤레이션은 두 파장 범위들로부터 3개까지의 레이저들(150, 160, 170)을 사용하여 수행된다. 두 파장 범위들로부터 3개까지의 레이저들(150, 160, 170)을 사용하는 것은 단일-파장 다이싱에 의해 야기되는 문제들을 피하면서 다이 부착막(184)에 의해 유지된 웨이퍼들(180)을 레이저로 싱귤레이션할 수 있게 한다. 특히, 두 파장 범위들로부터 3개까지의 레이저들(150, 160, 170)을 사용하는 것은 레이저 가공 다이 부착 테이프(184)에 연관된 잔해 및 열적 문제들을 피하면서 반도체 웨이퍼들(180)을 효율적으로 다이싱할 수 있게 한다.