The present disclosure relates to a solid-state image capture element and an electronic  device in which leakage of charge into adjacent pixels can be prevented. A plurality of pixels performs photoelectric conversion with respect to light incident on a back surface via different on-chip lenses for the respective pixels. A pixel separation wall is formed between adjacent pixels, and comprises a front surface trench which is a trench formed on a front surface, and a back surface trench which is a trench formed on a back surface. The wiring layer is provided on the front surface. The present disclosure may be applied in a back-illuminated CMOS image sensor, for example.
본 개시는, 인접하는 화소 사이의 전하의 누입을 방지할 수 있도록 하는 고체 촬상 소자 및 전자 기기에 관한 것이다. 복수의 화소는, 화소마다 다른 온 칩 렌즈를 통하여 이면부터 입사된 광에 대해 광전변환을 행한다. 화소 분리벽은, 인접하는 화소 사이에 형성되고, 표면에 형성된 트렌치인 표면 트렌치와, 이면에 형성된 트렌치인 이면 트렌치에 의해 구성된다. 배선층은, 표면에 마련된다. 본 개시는, 예를 들면, 이면 조사형 CMOS 이미지 센서 등에 적용할 수 있다.