Embodiments of the present invention relate to apparatus and method for pretreatment of substrates for manufacturing devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs). One embodiment of the present invention comprises pre-treating the aluminum oxide containing substrate by exposing a surface of the aluminum oxide containing substrate to a pretreatment gas mixture, wherein the pretreatment gas mixture comprises ammonia (NH3) and a halogen gas.
본 발명의 실시예들은 발광 다이오드들(LEDs) 또는 레이저 다이오드들(LDs)과 같은 소자들을 제작하기 위한 기판들의 전처리를 위한 장치 및 방법과 관련된다. 본 발명의 일 실시예는 알루미늄 산화물 함유 기판의 표면을 전처리 가스 혼합물에 노출시킴으로써 알루미늄 산화물 함유 기판을 전처리하는 단계를 포함하며, 여기서 전처리 가스 혼합물은 암모니아(NH3) 및 할로겐 가스를 포함한다.