Under-gate field emission triode devices, and cathode assemblies for use therein, contain a charge dissipation layer (6.11). The charge dissipation layer may be located under or over the cathode electrode (6.4), (6.5), and/or electron field emitter (6.6).
언더게이트 전계 방출 트라이오드 소자, 및 이에 사용되는 캐소드 조립체는 전하 소산층(6, 11)을 포함한다. 전하 소산층은 캐소드 전극(6.4, 6.5) 및/또는 전자 전계 이미터(6.6) 아래 또는 위에 위치될 수 있다.