The present invention provides a method for evaluating a semiconductor substrate subjected to a defect recovery heat treatment to recover a crystal defect in the semiconductor substrate having the crystal defect, flash lamp annealing is performed as the defect recovery heat treatment, and the method includes steps of measuring the crystal defect in the semiconductor substrate, which is being recovered, by controlling treatment conditions for the flash lamp annealing and analyzing a recovery mechanism of the crystal defect on the basis of a result of the measurement. Consequently, the method for evaluating a semiconductor substrate which enables evaluating a recovery process of the crystal defect is provided.
본 발명은, 결정 결함을 갖는 반도체 기판에 대하여 상기 결정 결함을 회복하기 위한 결함 회복 열처리를 실시한 반도체 기판의 평가 방법으로서, 상기 결함 회복 열처리를, 플래쉬 램프 어닐로 행하고, 상기 플래쉬 램프 어닐의 처리 조건을 제어함으로써, 회복 도중의 반도체 기판의 결정 결함을 측정하는 공정과, 이 측정의 결과에 기초하여, 상기 결정 결함의 회복 메커니즘을 해석하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 평가 방법이다. 이에 따라, 결정 결함의 회복 과정을 평가할 수 있는 반도체 기판의 평가 방법이 제공된다.