The present invention relates to a method for manufacturing a plurality of semiconductor photonic integrated circuit comprising at least a laser and a modulator connected optically to one another. Each laser and modulator has a waveguide layer being implemented on a single substrate, where said modulator is formed by use of a selective area growth technique. By providing modulator masking parts with selectable width to compensate a difference in band-gap energy in the waveguide layer between the laser and the modulator an approximate uniform difference in band-gap energy between the optically connected laser and modulator may be obtained.
본 발명은 서로 광학적으로 접속되는 레이저와 변조기를 적어도 포함하는 다수의 반도체 포토닉 집적 회로를 제조하는 방법에 관한 것이다. 각각의 레이저 및 변조기는 단일 기판상에 구현되는 도파관 층을 가지고, 여기에서 상기 변조기는 선택 영역 성장 기술을 이용하므로서 형성된다. 변조기 마스킹 부분에 선택 가능한 폭을 제공하여 레이저와 변조기 사이의 도파관 층에서의 밴드-갭 에너지 차를 보상하므로서, 광학적으로 접속된 레이저와 변조기 사이의 밴드-갭 에너지 차를 대체로 균일하게 획득될 수 있다.