A method for forming an emitter-base junction. The method includes the steps of: providing a base layer (26); and growing a doped mono-emitter layer (28) on the base layer (26) using a gas flow comprised of a set of process gases, wherein gas flow includes an addition of a germanium (Ge) source to the process gases for the first few seconds of the gas flow.
에미터-베이스 접합부를 형성하는 방법이 개시된다. 이 방법은 베이스 층(26)을 제공하는 단계와, 한 세트의 공정 가스(a set of process gases)로 이루어진 가스 흐름(gas flow)을 사용하여 도핑된 모노-에미터 층(28)을 베이스 층(26) 상에 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 가스 흐름은 상기 가스 흐름의 초기 몇 초 동안에는 Ge 소스가 부가된 상기 공정 가스를 포함한다. 