It is an object of the present invention to provide a CVD thin film deposition method which can be used for a long time without producing cloggings or the like and can stably supply raw materials to a reaction portion. In the CVD thin film deposition method which forms a predetermined CVD thin film by passing a CVD raw material solution and a gas to a CVD chamber through a vaporizer for an appropriate time, the gas from a vaporizer outlet is switched to an exhaust side and only a solvent which can dissolve attachments adhering to the vaporizer is caused to flow through the vaporizer when the predetermined time passed. 
필터의 막힘 등이 발생하지 않고 장기간 사용할 수 있으며, 반응부에 대한 안정적인 원료공급이 가능한 CVD 박막퇴적의 방법을 제공하는 것이다. CVD 원료용액과 가스를 기화기를 경유하여 CVD 챔버로 적당 시간 흘려, 소정의 CVD박막을 형성하는 CVD박막 퇴적방법에 있어서, 상기 소정 시간이 경과하면, 기화기 출구로부터의 가스를 배기측으로 전환하고, 기화기에 부착한 부착물을 용해할 수 있는 용제만을 상기 기화기로 흘리는 것을 특징으로 한다.