A semiconductor laser device 1 has, arranged inside an airtight-sealed package 2, a semiconductor laser element 3 having an active region made of one material selected from the group consisting of an AlGaAs-based crystal, an AlGaInP-based crystal, an AlGaN-based crystal, and an InGaN-based crystal. The atmospheric gas inside the package 2 contains oxygen. The semiconductor laser element 3 has a dielectric oxide film formed on the laser emission surface thereof. The atmospheric gas is a mixture of oxygen and nitrogen, with an oxygen content of 20% or more.
기밀 봉지된 패키지(2) 내에 활성 영역이 AlGaAs계 결정, AlGaInP계 결정, AlGaN계 결정, 또는 InGaN계 결정으로 이루어지는 반도체 레이저 소자(3)를 구비하는 반도체 레이저 장치에 있어서, 패키지 내의 분위기 가스를 산소를 함유하는 기체로 한다. 반도체 레이저 소자(3)는, 레이저 출사면에 유전체 산화막을 구비한다. 분위기 가스를 산소와 질소의 혼합 가스로 하며, 산소의 비율을 20% 이상으로 한다.