Methods, systems, and devices related to auto-referenced memory cell read techniques are described. The auto-referenced read may encode user data to include a predetermined number of bits having a first logic state prior to storing the user data in memory cells. The auto-referenced read may store a total number of bits of the user data having a first logic state in a separate set of memory cells. Subsequently, reading the user data may be carried out by applying a read voltage to the memory cells storing the user data while monitoring a series of switching events by activating a subset of the memory cells having the first logic state. The auto-referenced read may compare the number of activated memory cells to either the predetermined number or the total number to determine whether all the bits having the first logic state has been detected.
 자동-참조 메모리 셀 판독 기술들과 관련된 방법들, 시스템들 및 장치들이 개시된다. 자동-참조 판독은 메모리 셀들에 사용자 데이터를 저장하기 전에 제1 논리 상태를 갖는 미리 결정된 비트 수를 포함하도록 사용자 데이터를 인코딩할 수 있다. 자동-참조 판독은 메모리 셀들의 개별 세트에 제1 논리 상태를 갖는 사용자 데이터의 총 비트 수를 저장할 수 있다. 이후, 사용자 데이터를 판독하는 것은 제1 논리 상태를 갖는 메모리 셀들의 서브셋을 활성화시킴으로써 일련의 스위칭 이벤트들을 모니터링하는 동안 사용자 데이터를 저장하는 메모리 셀들에 판독 전압을 인가함으로써 수행될 수 있다. 자동-참조 판독은 활성화된 메모리 셀들의 수를 미리 결정된 수 또는 총 수와 비교하여 제1 논리 상태를 갖는 모든 비트들이 검출되었는지를 결정할 수 있다.