The purpose of the present invention is to provide a polymer which can be satisfactorily used as a positive resist which has a low film reduction rate at low amounts of irradiation and has a high Gamma value and sensitivity, and to provide a positive resist composition which can efficiently form a high-resolution pattern. The polymer contains an alfa-methylstyrene unit and an alfa-chloro-methyl acrylate unit, the molecular weight distribution (Mw/Mn) is less than 1.48, the proportion of components that have a molecular weight of less than 6000 is 0.5% or less and the proportion of components that have a molecular weight of more than 80000 is 6.0% or less. This positive resist composition contains the aforementioned polymer and a solvent.
본 발명은, 저조사량에 있어서의 감막률이 낮고, 또한 γ값 및 감도가 높은 포지티브형 레지스트로서 양호하게 사용할 수 있는 중합체, 그리고, 고해상도의 패턴을 효율 좋게 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 중합체는, α-메틸스티렌 단위와, α-클로로아크릴산메틸 단위를 함유하고, 분자량 분포(Mw/Mn)가 1.48 미만이고, 분자량이 6000 미만인 성분의 비율이 0.5% 이하이며, 그리고, 분자량이 80000 초과인 성분의 비율이 6.0% 이하이다. 또한, 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 상술한 중합체와, 용제를 포함한다.