Provided is a method for heat-treating a silicon wafer in an inert gas atmosphere, wherein it is made possible to efficiently exhaust SiO gas produced when a natural oxide film on the surface of the silicon wafer dissolves, inhibit accumulation of a reaction product in a heat-processing chamber, and prevent deterioration of slip. The wafer is held for a period between 5 and 30 seconds inclusive in a temperature range of 900 to 1100 DEG C inclusive, the wafer rotation speed is set to 80 to 120 rpm inclusive, and the feeding of an inert gas into the chamber is controlled so that the gas replacement rate is 90% or above.
실리콘 웨이퍼의 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리에 있어서, 실리콘 웨이퍼 표면의 자연 산화막이 용해될 때에 발생하는 SiO 가스의 배기를 효율적으로 행할 수 있어, 열처리 챔버 내로의 반응 생성물의 퇴적을 억제하고, 슬립의 악화를 방지할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다. 900℃ 이상 1100℃ 이하의 온도대에서, 웨이퍼를 5 초 이상 30 초 이하의 시간 유지함과 더불어, 웨이퍼 회전수를 80 rpm 이상 120 rpm 이하로 하고, 챔버 내에 있어서의 불활성 가스의 공급을, 가스 치환율이 90% 이상이 되도록 제어한다.