Reflection of incident optical radiation from a highly reflective metal layer (12), such as aluminum, copper or titanium, into a photoresist layer (16) is reduced by interposing a layer of silicon oxynitride (14) between the metal and photoresist layers. The silicon oxynitride layer (14) is pre-treated with an oxidizing plasma to deplete surface nitrogen and condition the silicon oxynitride layer (14) to be more compatible with deep ultraviolet photoresists. The silicon oxynitride layer (14) further serves as an etch stop in the formation of interconnect openings (40), such as vias, contacts and trenches. The interconnect opening (40) is filled with a second metallization layer (50) to achieve multi-layer electrical interconnection.
가령 알루미늄, 구리 또는 티타늄과 같은 높은 반사성 금속층으로부터 포토레지스트층(16)으로의 입사 광방사는 금속과 포토레지스트층들의 사이에 실리콘 옥시나이트라이드층(14)을 삽입함으로써 감소된다. 실리콘 옥시나이트라이드층(14)은 산화 플라즈마로 선처리되어, 표면의 질소를 없애고, 실리콘 옥시나이트라이드층(14)을 딥 UV 포토레지스트들과 더 호환가능하게 한다. 실리콘 옥시나이트라이드층(14)은 또한, 가령 비아들, 컨택들 및 트렌치들과 같은 상호연결 개구부(40) 형성시 식각 중지층의 역할을 한다. 상호연결 개구부(40)는 제 2 금속층(50)으로 채워져 다중층 전기적인 상호연결을 형성한다. 