A method of manufacturing a semiconductor substrate includes: heat-treating a germanium layer 30 with an oxygen concentration of 1×1016 cm-3 or greater in a reducing gas atmosphere at 700°C or greater. Alternatively, a method of manufacturing a semiconductor substrate includes heat-treating a germanium layer 30 having an oxygen concentration of 1×1016 cm-3 or greater in a reducing gas atmosphere so that the oxygen concentration decreases.
1×1016㎝-3 이상의 산소 농도를 갖는 게르마늄층(30)을 환원성 가스 분위기 중에 있어서, 700℃ 이상에 있어서 열처리하는 공정을 포함하는 반도체 기판의 제조 방법. 또는 1×1016㎝-3 이상의 산소 농도를 갖는 게르마늄층(30)을 환원성 가스 분위기 중에 있어서, 상기 산소 농도가 감소하도록 열처리하는 공정을 포함하는 반도체 기판의 제조 방법.