The present invention relates to an integrated circuit for high-frequency applications, comprising a substrate (31) of high resistivity, active components (37, 41) and an inductor (45) above said substrate, whereby the active components and the inductor are arranged laterally mainly separated. According to the invention a layer (33) of low resistivity is comprised below the active components and laterally separated from the inductor. The invention also relates to a method for manufacturing said semiconductor device, which particularly comprises adding two new process steps, a masking step and a doping step, respectively, to a known process. 
본 발명은 고주파 애플리케이션을 위한 집적 회로에 관한 것으로서, 집적 회로는 고 비저항 기판(31), 능동 소자(37, 41) 및, 상기 기판 상부에 인덕터(45)를 포함하여, 능동 소자와 인덕터는 대체로 측으로 분리되어 배치된다. 본 발명에 따라서, 저 비저항 층은 능동 소자 하부에서, 인덕터와 횡으로 분리되어 구성된다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 디바이스 제조 방법에 관한 것으로서, 이 제조 단계는 특히 공지된 공정에 2개의 새로운 공정 단계, 마스킹 단계 및, 도핑 단계를 각각 추가하는 단계를 포함한다.