An aluminum nitride sintered body for use in a semiconductor manufacturing apparatus is provided. The aluminum nitride sintered body exhibits, in a photoluminescence spectrum thereof in a wavelength range of 350 nm to 700 nm obtained with 250 nm excitation light, a highest emission intensity peak within a wavelength range of 580 nm to 620 nm.
반도체 제조 장치용 질화알루미늄 소결체를 제공한다. 질화알루미늄 소결체는 250nm 여기광에 의해 얻어진 350nm 내지 700nm의 파장 범위의 광발광 스펙트럼에서, 580nm 내지 620nm의 파장 범위 내에서 가장 높은 발광 강도 피크를 나타낸다.