A magnetoresistive random access memory is operated in a toggle fashion so that its logic state is flipped from its current state to the alternate state when written. This provides for a more consistent and reliable programming because the magnetic transitional energy states during the toggle operation are stable. In a write situation, however, this does mean that the state of the cell must be read and compared to the desired state of the cell before the cell is flipped. If the cell is already in the desired logic state, then it should not be written. This read time penalty before writing is reduced by beginning the write process while reading and then aborting the write step if the cell is already in the desired state. The write can actually begin on the cell and be aborted without adversely effecting the state of the cell.
자기저항 랜덤 액세스 메모리는 기록될 때 논리 상태가 현재 상태에서 대체 상태로 뒤집히도록 토글 방식으로 작동됩니다. 이는 토글 작동 중 자기 전이 에너지 상태가 안정적이기 때문에 보다 일관되고 안정적인 프로그래밍을 제공합니다. 그러나 쓰기 상황에서 이는 셀이 뒤집히기 전에 셀의 상태를 읽고 원하는 셀 상태와 비교해야 함을 의미합니다. 셀이 이미 원하는 논리 상태에 있는 경우에는 쓰지 않아야 합니다. 쓰기 전 이 읽기 시간 패널티는 셀이 이미 원하는 상태에 있는 경우 읽기 중에 쓰기 프로세스를 시작한 다음 쓰기 단계를 중단함으로써 감소됩니다. 쓰기는 실제로 셀에서 시작될 수 있으며 셀 상태에 부정적인 영향을 미치지 않으면서 중단될 수 있습니다.