A memory device may include an active device region, disposed at least partially in a first level. The memory device may include a storage capacitor, disposed at least partially in a second level, above the first level, wherein the first level and the second level are parallel to a substrate plane. The memory device may also include a contact via, the contact via extending between the storage capacitor and the active device region, and defining a non-zero angle of inclination with respect to a perpendicular to the substrate plane.
메모리 디바이스는 적어도 부분적으로 제 1 레벨에 배치된 활성 디바이스 영역을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스는 제 1 레벨 위의 제 2 레벨에 적어도 부분적으로 배치된 스토리지 커패시터를 포함할 수 있고, 제 1 레벨 및 제 2 레벨은 기판 평면에 평행하다. 메모리 디바이스는 또한 컨택 비아를 더 포함할 수 있고, 컨택 비아는 스토리지 커패시터와 활성 디바이스 영역 사이에서 연장되고, 기판 평면에 수직에 대하여 제로가 아닌 경사각을 정의한다.