A method of anisotropically plasma etching a silicon on insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing as a finishing etch step a reactive ion etching process wherein the ion density is reduced in order to limit ion charging through different size recesses in order to uniformly etch in a vertical direction.
수직한 방향으로 균일하게 식각하기 위하여 크기가 다른 리세스들을 통해 이온 충전을 제한하도록 이온 밀도가 감소되는 반응성 이온 식각 공정을 최종 식각 단계로서 이용함으로써 언더컷이 실질적으로 제거되는 절연체 기판 상의 실리콘을 이방성 플라즈마 식각하는 방법.