A memory system includes a memory array having a plurality of memory cells; and a controller coupled to the memory array, the controller configured to: select a garbage collection (GC) source block storing valid data, calculate a valid data measure for the GC source block for representing an amount of the valid data within the GC source block, and designate a storage mode for an available memory block based on the valid data measure, wherein the storage mode is for controlling a number of bits stored per each of the memory cells for subsequent or upcoming data writes.
메모리 시스템은 복수의 메모리 셀을 갖는 메모리 어레이; 및 상기 메모리 어레이에 연결되는 제어기로서: 유효 데이터를 저장하는 가비지 수집(GC, garbage collection) 소스 블록을 선택하도록, 상기 GC 소스 블록 내 상기 유효 데이터의 양을 나타내기 위해 상기 GC 소스 블록에 대한 유효 데이터 측정값을 계산하도록, 그리고 상기 유효 데이터 측정값에 기초하여 이용 가능한 메모리 블록에 대한 저장 모드를 지정하도록 구성된, 상기 제어기를 포함하며, 상기 저장 모드는 후속 또는 다음 데이터 쓰기를 위해 각각의 상기 메모리 셀들마다 저장된 비트 수를 제어하기 위한 것이다.