Methods, systems, and devices related to wear leveling for random access and ferroelectric memory are described. Non-volatile memory devices, e.g., ferroelectric random access memory (FeRAM) may utilize wear leveling to extend life time of the memory devices by avoiding reliability issues due to a limited cycling capability. A wear-leveling pool, or number of cells used for a wear-leveling application, may be expanded by softening or avoiding restrictions on a source page and a destination page within a same section of memory array. In addition, error correction code may be applied when movingdata from the source page to the destination page to avoid duplicating errors present in the source page.
랜덤 액세스 및 강유전체 메모리를 위한 웨어 레벨링과 관련된 방법들, 시스템들 및 디바이스들이 설명된다. 비휘발성 메모리 디바이스들, 예를 들어, 강유전체 랜덤 액세스 메모리(FeRAM)는 제한된 사이클링으로 인한 안전성 이슈들을 회피함으로써 메모리 디바이스들의 수명을 연장시키기 위해 웨어 레벨링을 이용할 수 있다. 웨어 레벨링 풀 또는웨어 레벨링 적용에 사용되는 셀들 수는 메모리 어레이의 동일한 섹션 내 소스 페이지와 대상 페이지에 대한 제한을 완화하거나 회피함으로써 확장될 수 있다. 또한, 소스 페이지로부터 대상 페이지로 데이터를 이동시킬 때 소스 페이지에 존재하는 중복 오류를 회피하기 위해 오류 정정 코드가 적용될 수있다.