To provide a substrate treating method and substrate treating apparatus increased in the efficiency in removing a film on a substrate. The present invention provides a method for treating a substrate. The method for treating a substrate includes removing a film on the substrate by applying a pulsed laser to the rotating substrate, in which the thickness of the film to be removed is measured and the pulse energy of the pulsed laser can be selected based on the measured thickness of the film.
기판 위의 막질 제거 효율이 높은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 회전하는 상기 기판에 펄스 레이저를 조사해 상기 기판 위의 막질을 제거하고 제거하고자 하는 상기 막질의 두께를 측정하고 측정된 상기 막질의 두께값에 기반하여 상기 펄스 레이저의 펄스 에너지를 선택할 수 있다.