Provided herein are a capacitor, a memory device including the capacitor, and a method of manufacturing the capacitor. The capacitor is manufactured by directly depositing a metal electrode having high ion mobility on an ultrathin ferroelectric layer having a certain thickness, and thus may simultaneously use metal cation migration and ferroelectric polarization inversion, and a low-power and high-performance capacitor capable of being selectively activated may be provided by simultaneously controlling an external electric field and an internal electric field caused by polarization of the inside of a ferroelectric thin film.
본 출원은 커패시터, 상기 커패시터를 포함하는 메모리 소자 및 상기 커패시터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 출원의 커패시터는 특정 두께의 초 박막 강유전체층 상에 직접 높은 이온 이동도를 가지는 금속 전극을 증착시켜 제조되며, 이에 따라, 금속 양이온 이동 현상 및 강유전체의 분극 반전 현상을 동시에 이용할 수 있으며, 외부 전기장 및 강유전체 박막 내부의 분극에 의한 내부 전기장을 동시에 제어함으로써 선택적으로 활성화가 가능한 저전력 및 고성능의 커패시터를 제공할 수 있다.