Methods and apparatus provide for imparting a controlled supply of gas to at least one Bernoulli chuck to provide a balanced draw and repellant gas flow to a material sheet; and at least one of: elevating a temperature of the supply of gas to the at least one Bernoulli chuck such that the gas flow to the material sheet is provided at the elevated temperature, providing a stream of gas to an insulator substrate to promote separation of an exfoliation layer from a donor semiconductor wafer, and providing a stream of gas to a junction of the insulator substrate and any support structure to promote separation of the insulator substrate and the supporting structure.
본 발명의 방법과 장치는 균형이 맞춰진 흡입 및 반발 가스 유동을 재료 시트에 제공하기 위하여 가스의 제어 공급을 하나 이상의 베르누이 척에 분배하는 단계; 및 재료 시트로의 가스 유동이 상승된 온도에서 제공되도록 하나 이상의 베르누이 척으로의 가스의 공급의 온도를 상승시키는 단계, 도너 반도체 웨이퍼로부터 박리층의 분리를 촉진시키기 위하여 가스 스트림을 절연기 기판에 제공하는 단계, 및 절연기 기판과 지지 구조체의 분리를 촉진시키기 위하여 임의의 지지 구조체와 절연기 기판의 접합부에 가스 스트림을 제공하는 단계 중 하나 이상을 제공한다.