Memory devices having memory cells comprising variable resistance material include an electrode comprising a single nanowire. Various methods may be used to form such memory devices, and such methodsmay comprise establishing contact between one end of a single nanowire and a volume of variable resistance material in a memory cell. Electronic systems include such memory devices.
가변 저항 재료를 포함하는 메모리 셀들을 갖는 메모리 장치들은 단일 나노와이어를 포함하는 전극을 포함한다. 그러한 메모리 장치들을 형성하기 위해 다양한 방법들이 이용될 수 있고, 그러한 방법들은 메모리 셀에서 단일 나노와이어의 하나의 단부와 가변 저항 재료의 볼륨 사이에 접촉을 확립하는 단계를 포함할 수 있다. 전자 시스템들은 그러한 메모리 장치들을 포함한다.