Disclosed is a photoelectric conversion element comprising an anode, a cathode, and an active layer between the anode and the cathode, wherein the active layer includes an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and an area of a p-n junction between the n-type semiconductor and the p-type semiconductor is 100 µm2 or more per 1 µm3 of the active layer.
본 발명은 양극과 음극과, 상기 양극과 상기 음극 사이에 활성층을 가지며, 상기 활성층이 n형 반도체와 p형 반도체를 가지고, 상기 n형 반도체와 상기 p형 반도체의 pn 접합 면적이 활성층 1 μm3당 100 μm2 이상인 광전 변환 소자를 제공한다.