Magnetoresistive random access memory (MRAM) is used to provide in-pixel memory circuits for display devices. A memory circuit (25) comprises two MRAMs (60, 62), each coupled to a respective input of a flip-flop circuit (64). A display device (1) is provided comprising a plurality of pixels (20) each associated with a memory circuit (25). One of the MRAMs is a switchable MRAM (60), the other MRAM is a reference MRAM (62) arranged to provide a reference by which the changed states of the switchable MRAM (60) may be readily observed and measured in the form of a differential. 
본 발명에 따른 MRAM(magnetoresistive random access memory)은 디스플레이 디바이스용 화소 내 메모리 회로를 제공하는 데 사용된다. 메모리 회로(25)는 플립-플롭 회로의 각 입력에 접속된 두 개의 MRAM(60, 62)을 포함한다. 메모리 회로(25)와 각각 관련된 복수의 화소(20)를 포함하는 디스플레이 디바이스(1)가 제공된다. MRAM 중 하나의 MRAM은 스위칭가능 MRAM(60)이고, 다른 MRAM은 스위칭가능 MRAM의 변화된 상태를 미분의 형태로 쉽게 관측하고 측정할 수 있게 하는 기준을 제공하도록 구성된 기준 MRAM(62)이다.