The invention discloses a metal gate, a forming method thereof and a cmos (complementary metal oxide semiconductor) transistor. the forming method includes that a gate metal layer is treated by nitrogen to form a nitride thin film. therefore, adhesion between metallic aluminium and a mask layer is greatly increased, peeling is avoided, and reliability of a device is accordingly improved.
이 발명품은 금속 게이트와 그 성형 방법, 그리고 cmos(보완 금속 산화물 반도체) 트랜지스터를 공개한다. 성형 방법은 게이트 금속 층을 질소로 처리하여 질화물 박막을 형성하는 것을 포함한다. 따라서 금속 알루미늄과 마스크 층의 접착력이 크게 증가하고 필링이 방지되어 장치의 신뢰성이 향상됩니다.