The polymers of the invention are characterized by having at least one pendent ester group having a tertiary carbon atom attached to the ester oxygen atom in which at least one substituent of the tertiary carbon atom comprises at least one silicon atom. The polymer compositions of the present invention are useful as resist materials for lithography, in particular as the imaging layer or as the top imaging layer in a bilayer resist scheme for use in the manufacture of integrated circuits. The silicon-containing tertiary alcohols and esters of the present invention enable the preparation of polymers with relatively high silicon content.
본 발명의 중합체는 에스테르 산소 원자에 부착된 3차 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 펜던트 (pendent) 에스테르기를 가지며 3차 탄소 원자의 하나 이상의 치환기가 하나 이상의 규소 원자를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 중합체 조성물은 리토그래피 (lithography)용 레지스트 (resist) 물질로서, 특히 상형성 층, 또는 집적 회로의 제조에 사용하기 위한 2층 레지스트 방법에서의 상부 상형성 층으로서 유용하다. 본 발명의 규소 함유 3차 알콜 및 에스테르는 비교적 높은 규소 함량의 중합체 제조를 가능하게 한다.