Provided is a semiconductor wafer evaluation method comprising the steps of: acquiring a cross-sectional image of a semiconductor wafer intended for evaluation, the cross-sectional image including a boundary portion between a beveled surface at the wafer outer peripheral edge section and the wafer surface that is adjacent to this beveled surface; producing a magnified image wherein the acquired cross-sectional image has been magnified only in the wafer thickness direction; and evaluating the shape of the boundary portion in the produced magnified image.
반도체 웨이퍼의 평가 방법으로서, 평가 대상의 반도체 웨이퍼의 단면상을 취득하는 것, 상기 단면상은 웨이퍼 외주연부의 모따기면과 이 모따기면과 인접하는 웨이퍼 표면의 경계부를 포함하고, 상기 취득된 단면상을 웨이퍼 두께 방향으로만 확대한 확대상을 작성하는 것, 상기 작성된 확대상에 있어서, 상기 경계부의 형상을 평가하는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 평가 방법이 제공된다.