In an SOI substrate, an active zone is completely surrounded by a trench filled with insulating material. Disposed adjacent to the trench is a first doped zone which is formed, in particular, by out-diffusion from a doped layer disposed on the wall of the trench. The first doped zone and a second doped zone form a p-n junction of a photodiode.
본 발명은 포토다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. SOI 기판에는 활성영역(4)이 절연재료로 충전되는 트렌치(4)에 의해 완전히 둘러싸인다. 특히 외방 확산에 의해 트렌치(4)의 벽상에 배치된 도핑층으로부터 형성되는 제 1 도핑영역(8)은 트렌치에 인접하여 배치된다. 제 1 도핑영역(8) 및 제 2 도핑영역(12)은 포토다이오드의 p-n 접합을 형성한다.