Disclosed is a polishing solution for CMP, which comprises 1, 2, 4-triazole, a phosphoric acid component, an oxidizing agent and abrasive grains. Also disclosed is a method for polishing a substrate, which comprises polishing the substrate with a polishing cloth while supplying a polishing solution for CMP between the substrate and the polishing cloth, wherein the substrate has a palladium layer and the polishing solution for CMP comprises 1, 2, 4-triazole, a phosphoric acid component, an oxidizing agent and abrasive grains.
본 발명의 CMP 연마액은 1,2,4-트리아졸, 인산류, 산화제 및 지립(砥粒)을 함유한다. 본 발명의 연마 방법은, 기판과 연마천 사이에 CMP 연마액을 공급하면서 상기 기판을 상기 연마천으로 연마하는 기판의 연마 방법이며, 상기 기판은 팔라듐층을 갖는 기판이고, 상기 CMP 연마액은 1,2,4-트리아졸, 인산류, 산화제 및 지립을 함유하는 CMP 연마액인 연마 방법이다.