Apparatus, systems, and methods for forming semiconductor materials (e.g., using nanofabrication) are generally described. In one example, a method comprises formation of a carbon buffer layer on a first substrate and a graphene layer on the carbon buffer layer by silicon sublimation, followed by removing the graphene layer so as to expose the carbon buffer layer and form a fabrication platform.
(예를 들어, 나노 제법을 사용하여) 반도체 재료를 형성하기 위한 장치, 시스템 및 방법이 일반적으로 설명된다. 일 예로, 방법은 실리콘 승화에 의해 제1 기판상에 탄소 버퍼 층을 형성하고 탄소 버퍼 층상에 그래핀 층을 형성 한 다음, 탄소 버퍼 층을 노출시키고 제조 플랫폼을 형성하기 위해 그래핀 층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 