A method of forming an electronic device can include forming a metallic layer over a side of a workpiece including a substrate, a differential etch layer, and a semiconductor layer. The differential etch layer may lie between the substrate and the semiconductor layer, and the semiconductor layer may lie along the side of the workpiece. The process can further include selectively removing at least a majority of the differential etch layer from between the substrate and the semiconductor layer, and separating the semiconductor layer and the metallic layer from the substrate. The selective removal can be performed using a wet etching, dry etching, or electrochemical technique. In a particular embodiment, the same plating bath may be used for plating the metallic layer and selectively removing the differential etch layer.
전자 디바이스 형성 방법은 기판, 차별 에칭층 및 반도체층을 포함하는 작업편의 측면 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 차별 에칭층은 기판과 반도체층 사이에 놓일 수 있고, 반도체층은 작업편의 측면을 따라 놓일 수 있다. 프로세스는 기판과 반도체층 사이로부터 적어도 대부분의 차별 에칭층을 선택적으로 제거하는 단계와, 기판으로부터 반도체층 및 금속층을 분리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 선택적인 제거는 습식 에칭, 건식 에칭 또는 전기 화학 기술을 사용하여 수행될 수 있다. 특정 실시예에서, 동일한 도금 욕조가 금속층을 도금하고 차별 에칭층을 선택적으로 제거하기 위해 사용될 수 있다.