The present invention provides a high quality thin film comparable to a bulk single crystal and provides a semiconductor device with superior characteristics. A channel layer 11, for example, is formed of a semiconductor such as zinc oxide ZnO or the like. A source 12, a drain 13, a gate 14 and a gate insulating layer 15 are formed on the channel layer 111 to form an FET. For a substrate 16, a proper material is selected depending on a thin film material of the channel layer 11 in consideration of compatibility of both lattice constants. For example, if ZnO is used for the semiconductor of the channel layer as a base material, ScAlMgO4 or the like can be used for the substrate 16.  
본 발명은 벌크 단결정에 비교할 때 고품질의 박막을 제공하고, 우수한 특성의 반도체 소자를 제공한다. 예를 들어, 채널층(11)은 산화아연 ZnO와 같은 반도체로 형성된다. 소스(12), 드레인(13), 게이트(14), 그리고 게이트 절연층(15)은 전계효과 트랜지스터(FET)를 형성하기 위해 상기 채널층(11) 상에서 형성된다. 기판(16)의 경우, 적절한 재료가 상기 채널층(11)의 박막 재료에 의존하여 선택되는데, 양자의 격자 상수의 양립성을 고려한다. 예를 들어, 만약 ZnO가 베이스 재료로서 상기 채널층의 반도체로 사용된다면, ScAlMgO4와 같은 것이 상기 기판(16)으로 사용될 수 있다. 