A method and apparatus for fabricating a submicrometer structure. The method incorporates a sputtering process to deposit an electromagnetic material from a seedlayer (51) onto a vertical sidewall (57). The vertical sidewall is subsequently removed, leaving a free-standing pole-tip (65). The resulting structure can have a width of less than 0.3 micrometers, if desired. This structure can be used as a magnetic pole of a thin film head ("TFH") for a data storage device.
 초미세 구조물을 제조하는 방법 및 장치가 개시되어 있다. 상기 방법은 시드층(51)으로부터의 전자기 재료를 수직 측벽(57)상에 증착하는 스퍼터링 공정을 포함한다. 상기 수직 측벽을 순차적으로 제거하여 자립형 자극단(65)을 남겨 놓는다. 결과적인 구조물의 폭은 필요에 따라 0.3㎛ 미만일 수 있다. 이 구조물은 데이터 저장 장치용 박막 헤드(TFH)의 자극으로서 사용될 수 있다. 