Methods of processing thin film by oxidation at high pressure are described. The methods are generally performed at pressures greater than 2 bar. The methods can be performed at lower temperatures andhave shorter exposure times than similar methods performed at lower pressures. Some methods relate to oxidizing tungsten films to form self-aligned pillars.
고압에서의 산화에 의해 박막을 프로세싱하는 방법들이 설명된다. 방법들은 일반적으로, 2 bar 초과의 압력들에서 수행된다. 방법들은 더 낮은 온도들에서 수행될 수 있고, 그리고 더 낮은 압력들에서 수행되는 유사한 방법들보다 더 짧은 노출 시간들을 가질 수 있다. 일부 방법들은 자기-정렬 필라들을 형성하기 위해 텅스텐 막들을 산화시키는 것에 관한 것이다.