Described are a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising abrasive particles in the form of organic/inorganic composite particles as well as the use of said composite particles as abrasive particles in a CMP composition and processes for the manufacture of a semiconductor device comprising chemical mechanical polishing of a substrate in the presence said CMP composition.
유기/무기 복합체 입자들 형태의 연마제 입자들을 포함하는 화학적 기계적 연마 (CMP) 조성물은 물론, CMP 조성물에서의 연마제 입자로서의 상기 복합체 입자의 사용, 및 상기 CMP 조성물의 존재하에서 기판의 화학적 기계적 연마를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 개시되어 있다.