Embodiments of the disclosure generally relate to a method for dry stripping a boron carbide layer deposited on a semiconductor substrate. In one embodiment, the method includes loading the substratewith the boron carbide layer into a pressure vessel, exposing the substrate to a processing gas comprising an oxidizer at a pressure between about 500 Torr and 60 bar, heating the pressure vessel to atemperature greater than a condensation point of the processing gas and removing one or more products of a reaction between the processing gas and the boron carbide layer from the pressure vessel.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 기판 상에 증착된 보론 카바이드 층을 건식 스트리핑하기 위한 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 보론 카바이드 층을 갖는 기판을 압력 용기 내로 로딩하는 단계, 기판을 대략 500 Torr 내지 60 bar의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 노출시키는 단계, 압력 용기를 프로세싱 가스의 응축점보다 더 높은 온도까지 가열하는 단계 및 프로세싱 가스와 보론 카바이드 층 간의 하나 이상의 반응 생성물들을 압력 용기로부터 제거하는 단계를 포함한다.