A semiconductor storage device (10) is provided with a memory array (100) having an EEPROM array (101) and a mask ROM array (102). In the leading three addresses of the EEPROM array (101), identification information for identifying each semiconductor storage device is stored. In the 9th address to the 16th address of the EEPROM array (101), 8 bit data relating to ink quantity is stored. The 17th address to the 24th address of the EEPROM array (101) are provided with a use history information storing area. In the use history information storing area, rewritable 8 bit use history information is stored under certain conditions.
반도체 기억 장치(10)는 EEPROM 어레이(101)와 마스크 ROM 어레이(102)를 구비하는 메모리 어레이(100)를 구비하고 있다. EEPROM 어레이(101)의 선두 3어드레스에는, 각 반도체 기억 장치를 식별하기 위한 식별 정보가 저장되어 있다. EEPROM 어레이(101)의 제 9 어드레스~제 16 어드레스에는, 잉크량에 관한 8비트의 데이터가 저장되어 있다. EEPROM 어레이(101)의 제 17 어드레스~제 24 어드레스에는, 일정 조건하, 리라이팅 가능한 8비트의 사용 이력 정보가 저장되어 있는 사용 이력 정보 저장 영역이 구비되어 있다.