To provide a cleaning method capable of efficiently removing a residue from a semiconductor substrate after polishing processing. A cleaning method of an embodiment cleans a residue on a semiconductor substrate with a rotating roll brush. This method includes a first cleaning step of pressing the roll brush against the semiconductor substrate at a first pressure of 7.35 kPa or less and cleaning the residue on the semiconductor substrate and a second cleaning step of pressing the roll brush against the semiconductor substrate at a second pressure of greater than 7.35 kPa and cleaning the residue on the semiconductor substrate.
연마 가공 후의 반도체 기판에서 찌꺼기를 효율적으로 제거할 수 있는 세척 방법을 제공하는 것. 본 발명의 실시 예에 따른 세척 방법은 회전하는 롤 브러시에 의해 반도체 기판상의 찌꺼기를 세척하는 세척 방법으로서, 롤 브러시를 7.35 kPa 이하의 제1 압력으로 반도체 기판에 꽉 누르고, 반도체 기판상의 찌꺼기를 세척하는 제1 세정 공정과 롤 브러시를 7.35 kPa보다 높은 제2 압력으로 반도체 기판에 꽉 누르고, 반도체 기판상의 찌꺼기를 세척하는 제2 세정 공정를 가진다.