The present disclosure provides a method for etching trenches, contact vias, or similar features. The method requires the use of a metal-comprising masking material in combination with a fluorine-comprising plasma etchant. The plasma feed gas includes at least one fluorine-containing compound such as nitrogen trifluoride (NF3 ), carbon tetrafluoride (CF4 ), and sulfur hexafluoride (SF6 ). Oxygen (O2 ), or an oxygen-comprising compound, or hydrogen bromide (HBr), or a combination thereof may be added to the plasma feed gases.
본 공개는 트렌치들, 접촉 경로들, 또는 유사한 피쳐들을 에칭하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 플루오르 포함 플라즈마 에칭제와 결합한 금속 포함 마스킹 재료의 사용을 요한다. 상기 플라즈마 공급 기체는 NF3, CF4 및 SF6와 같은 적어도 하나의 플루오르를 포함하는 화합물을 포함한다. 산소(O2), 또는 산소 포함 화합물, 또는 브롬화 수소(HBr), 또는 상기 물질의 화합물은 상기 플라즈마 공급 기체에 첨가될 수 있다.