The present invention relates to a process for preparing graphene, comprising (i) providing in a chemical deposition chamber a substrate which has a surface S1, (ii) subjecting the substrate to a thermal pre-treatment while feeding at least one gaseous or supercritical oxidant into the chemical deposition chamber so as to bring the surface S1 into contact with the at least one gaseous or supercritical oxidant and obtain a pre-treated surface S2, (iii) preparing graphene on the pre-treated surface S2 by chemical deposition.
본 발명은 (i) 화학 증착 챔버에 표면 S1을 갖는 기재를 제공하는 단계, (ii) 화학 증착 챔버에 적어도 하나의 기체 또는 초임계 산화제를 공급하면서 기재에 대해 열 전처리를 수행하여 표면 S1을 적어도 하나의 기체 또는 초임계 산화제와 접촉시켜서 전처리된 표면 S2를 얻는 단계, (iii) 화학 증착에 의해 전처리된 표면 S2 상에 그래핀을 제조시키는 단계를 포함하는, 그래핀을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.