Variation in the characteristics of a junction type field effect transistor can be reduced.An embodiment of the present invention is an imaging apparatus that includes a plurality of pixels, each including a junction type field effect transistor provided in a semiconductor substrate. The junction type field effect transistor includes a gate region and a channel region. The gate region and the channel region intersect each other in plan view.
접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성의 변동을 저감할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터를 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치이다. 접합형 전계 효과 트랜지스터는 게이트 영역과 채널 영역을 포함한다. 평면에서 보아, 게이트 영역과 채널 영역이 교차하고 있다.