A process is provided in which a hard mask material comprising ruthenium is used. Ruthenium provides a hard mask material that is etch resistant to many of the plasma chemistries typically used for processing substrate patterning layers, including layers such as, for example, nitrides, oxides, anti-reflective coating (ARC) materials, etc. Further, ruthenium may be removed by plasma chemistries that do not remove nitrides, oxides, ARC materials, etc. For example, ruthenium may be easily removed through the use of an oxygen (O2) plasma. Further, ruthenium may be deposited as a thin planar 10 nmorder film over oxides and nitrides and may be deposited as a planar layer.
루테늄을 포함하는 하드 마스크 재료가 사용되는 공정이 제공된다. 루테늄은, 예를 들어, 질화물, 산화물, 반사 방지 코팅(ARC) 재료 등과 같은 층을 포함하는 기판 패터닝 층을 처리하기 위해 전형적으로 사용되는 다수의 플라즈마 화학 물질에 대한 에칭 저항성이 있는 하드 마스크 재료를 제공한다. 또한, 루테늄은 질화물, 산화물, ARC 재료 등을 제거하지 않는 플라즈마 화학 물질에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 루테늄은 산소(O2) 플라즈마를 사용하여 용이하게 제거될 수 있다. 또한, 루테늄은 산화물 및 질화물 위에 얇고 평탄한 10 nm 규모의 막으로 증착될 수 있으며, 평탄한 층으로 증착될 수 있다.