An ion implantation method and system that incorporate beam neutralization to mitigate beam blowup, which can be particularly problematic in low-energy, high-current ion beams. The beam neutralization component can be located in the system where blowup is likely to occur. The neutralization component includes a varying energizing field generating component that generates plasma that neutralizes the ion beam and thereby mitigates beam blowup. The energizing field is generated with varying frequency and/or field strength in order to maintain the neutralizing plasma while mitigating the creation of plasma sheaths that reduce the effects of the neutralizing plasma.
저 에너지, 고전류 이온 빔에서 특히 문제가 될 수 있는 빔 폭발을 완화하도록 빔을 중화하는 이온 주입 방법 및 시스템이 설명되어 있다. 빔 중화 부품은 폭발이 발생할 가능성이 있는 시스템 내에 위치될 수 있다. 중화 부품은 이온 빔을 중화함으로써 빔 폭발을 완화하는 플라즈마를 생성하는 가변 활성화 영역 생성 부품을 포함한다. 활성화 영역은 중화 플라즈마의 효과를 감소시키는 플라즈마 쉬스의 형성을 완화하는 동안 중화 플라즈마를 유지시키도록 가변 주파수 및/또는 필드 강도에 따라 생성된다.