The present invention relates generally to semiconductor lasers and, more particularly, to schemes for measuring and controlling the temperature of semiconductor lasers and schemes for wavelength stabilization of semiconductor lasers. According to one embodiment of the present invention, a method of driving a temperature control mechanism (62, 64) in a semiconductor laser (10) is provided. According to the method, signals representing an operating temperature of the semiconductor laser and ambient temperature are generated and a target laser operating temperature that is a function of the ambient temperature signal is established. A temperature control mechanism of the semiconductor laser is then driven to increase a degree of correlation between the operating temperature signal and the target laser operating temperature.
본 발명은 일반적으로 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히, 반도체 레이저의 온도를 측정하여 제어하기 위한 체계와 반도체 레이저의 파장 안정화를 위한 체계에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 레이저에서 온도 제어 메커니즘(62, 64)을 구동하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 상기 반도체 레이저의 동작 온도와 주위 온도를 나타내는 신호가 생성되며, 상기 주위 온도 신호의 함수인 목표 레이저 동작 온도가 수립된다. 상기 반도체 레이저의 온도 제어 메커니즘은 그 후 상기 동작 온도 신호와 상기 목표 레이저 동작 온도 사이의 상관도를 증가시키기 위해 구동된다. 