The present invention relates to a thin-film resistor for an attenuator that is utilized in the fourth generation mobile communication, and more specifically, to a thin-film resistor having a Ti(N) thin film formed on an aluminum nitride (ALN) substrate. The thin-film resistor of the invention has superior electrical characteristics, such as sheet resistance, and superior characteristics in change of attenuation and voltage standing wave ratio (VSWR) with respect to changes of frequency and L/W, and thus the thin-film resistor can be utilized in a high frequency domain of up to 6 GHz.
본 발명은 4세대 이동통신에 활용되는 감쇠기용 박막저항기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질화알루미늄(ALN) 기판 상에 Ti(N) 박막이 형성된 박막저항기에 관한 것이다. 본 발명의 박막저항체는 면저항과 같은 전기적 특성이 우수하고, 주파수 및 L/W의 변화에 ​​따른 감쇠 및 전압정재파비(VSWR)의 변화 특성이 우수하여 박막 저항은 최대 6GHz의 고주파수 영역에서 활용될 수 있다.