A substrate processing method includes the step of removing carbon from a silicon substrate surface and planarizing the silicon substrate surface from which carbon has been removed.  
기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 