This invention is directed to processes for the formation of ruthenium-containing films on surfaces in atomic layer deposition (ALD) processes using surface-activating agents, and to ruthenium complexes that can be used as ruthenium precursors in these processes.
본 발명은, 표면활성제를 사용하여 원자층 증착 (ALD) 방법으로 표면 상에 루테늄 함유 필름을 형성하는 방법, 및 이들 방법에서 루테늄 전구체로서 사용가능한 루테늄 착물에 관한 것이다.