A semiconductor device includes a p-type nitride semiconductor layer (14); and a p-side electrode (18) including a palladium oxide film (30) connected to a surface of the nitride semiconductor layer (14).
반도체 장치는 p형 질화물 반도체층(14); 및 질화물 반도체층(14)의 표면에 접속된 팔라듐 산화막(30)을 포함하는 p측 전극(18)을 포함한다.