A novel semiconductor device, a semiconductor device capable of operating at high speed, or a semiconductor device with low power consumption is provided. The semiconductor device includes a memory cell, a first circuit, a second circuit, and a wiring. The memory cell has a function of storing first data and has a function of supplying a first current corresponding to the first data to the wiring. The first circuit has a function of supplying a second current corresponding to second data to the wiring input from the outside. The second circuit has a function of performing correction of a current flowing in the wiring in the case where a value of the first current and a value of the second current are different from each other. The second circuit has a function of generating a signal including information on whether the correction is performed or not.
새로운 반도체 소자, 고속으로 작동이 가능한 반도체 소자, 전력 소모가 적은 반도체 소자 등이 제공된다. 반도체 소자에는 메모리 셀, 1회로, 2회로, 배선 등이 포함된다. 메모리 셀은 1차 데이터를 저장하는 기능이 있으며, 1차 데이터에 해당하는 1차 전류를 배선에 공급하는 기능이 있다. 첫 번째 회로는 외부의 배선 입력에 두 번째 데이터에 해당하는 두 번째 전류를 공급하는 기능이 있다. 두 번째 회로는 첫 번째 전류의 값과 두 번째 전류의 값이 서로 다를 경우 배선에 흐르는 전류를 보정하는 기능이 있다. 두 번째 회로는 교정 여부에 대한 정보를 포함하여 신호를 생성하는 기능이 있다.