The present invention addresses a technical problem of producing a support substrate that is less likely to cause a change in dimension of a processing substrate and a laminate using the support substrate, and thereby contributing to high-density mounting of a semiconductor package. The present invention is characterized in that the average coefficient of linear  thermal expansion in a temperature range from 20 to 200 DEG C is more than 110*10/DEG C and not more than 160*10/DEG C.
본 발명의 기술적 과제는 가공 기판의 치수 변화를 발생시키기 어려운 지지 기판 및 이것을 사용한 적층체를 창안함으로써, 반도체 패키지의 고밀도 실장에 기여한다. 본 발명은 20∼200℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수가 110×10-7/℃ 초과이고 또한  160×10-7/℃ 이하인 것을 특징으로 한다.