A diamond film of this invention is formed from growth nuclei distributed on a substrate at a density of at least 1×1010 numbers/cm2 , the film is dense, having flat surface and great freedom in the thickness of the continuous film. The growth nuclei can be distributed at such a high density by, for example, dispersing diamond grains of average diameter of no more than 0.1 µm in an acid solution, and distributing the grains on a substrate immersed in the solution by any means including ultrasonic vibration and voltage application. Such techniques for nucleation are simple and excellent in repeatability. The diamond film is formed on the substrate using the diamond grains as the growth nuclei by the plasma CVD or any other techniques.  
본 발명의 다이아몬드막은 1평방 센티미터당 1×1010개 이상의 분포밀도를 가지는 기판상의 성장핵으로 형성된 것으로써, 치밀하고 표면 평탄성이 높으며 연속막의 막두께 자유도가 높다는 특징을 가진다. 성장핵은 예를들면, 산성 용액중에 평균 입자직경이 0.1μm 이하의 다이아몬드 입자를 분산시켜, 이 입자를 초음파진동, 전압인가등의 수단에 의해 용액중에 설치한 기판에 분포시킴으로써, 상기와 같은 높은 밀도로 분포시킬 수 있다. 이와같은 핵발생 방법은 간편하고 재현성도 우수하다. 다이아몬드막은 다이아몬드 입자등을 성장핵으로 하여, 플라즈마 CVD법등에 의해 기판상에 형성된다.