Imaging devices include an ir up-conversion device on a cmos imaging sensor (cis), wherein the up-conversion device comprises a transparent multilayer stack. the multilayer stack includes an ir sensitizing layer and a light emitting layer situated between a transparent anode and a transparent cathode. in embodiments of the invention, the multilayer stack is formed on a transparent support that is coupled to the cis by a mechanical fastener or an adhesive or by lamination. in another embodiment of the invention, the cis functions as a supporting substrate for formation of the multilayer stack.
영상 장치는 cmos 이미징 센서(cis)에 IR 업 변환 장치를 포함하며, 업 변환 장치는 투명한 다층 스택으로 구성됩니다. 다층 스택은 투명한 양극과 투명 음극 사이에 위치한 IR 감응층과 발광층을 포함한다. 발명의 구현에서, 다층 스택은 기계적 고정 장치나 접착제 또는 라미네이션에 의해 시스에 결합된 투명한 지지대 위에 형성된다. CIS는 다층 스택의 형성을 위한 지지 기질로 기능한다.