A vapor deposition film formation method includes a step for arranging a surface wave generating device (10) using a microwave in a vacuum region, a step for continuously feeding a plastic film substrate (13) into the vacuum region so as to oppose to the surface wave generating device, a step of continuously supplying a reaction gas containing at least organic metal compound into the vacuum region, and a step for executing plasma reaction by the surface wave of the microwave from the surface wave generating device (10), thereby continuously forming a vapor deposition film on the surface of the film substrate (13). This method enables continuous formation of a vapor deposition film on the surface of a film substrate, especially a long film, by the surface wave plasma of the microwave.
본 발명의 증착막 형성 방법은, 진공 영역 내에 마이크로파에 의한 표면파 발생 장치(10)를 배치하고, 상기 표면파 발생 장치에 대면하도록, 플라스틱 필름 기재(]3)를 상기 진공 영역 내에 연속적으로 공급하는 동시에, 적어도 유기 금속 화합물을 포함하는 반응 가스를 상기 진공 영역 내에 연속적으로 공급하여, 상기 표면파 발생 장치(10)로부터의 마이크로파의 표면파에 의해서 플라즈마 반응을 실행함으로써 상기 필름 기재(13) 표면에 연속적으로 증착막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이 방법에 의하면, 마이크로파의 표면파 플라즈마에 의해, 필름 기재 표면, 특히 긴 필름의 표면에 증착막을 연속적으로 형성할 수 있다. 