A method of fabricating a gate dielectric layer, including: providing a substrate (100); forming a silicon dioxide layer (110) on a top surface of the substrate (105); performing a plasma nitridation in a reducing atmosphere to convert the silicon dioxide layer into a silicon oxynitride layer (110A). The dielectric layer so formed may be used in the fabrication of MOSFETs (145).
게이트 유전층을 제조하는 방법으로: 기판(100)을 제공하는 단계; 기판의 상부면(105) 상에 실리콘 이산화물층(110)을 형성하는 단계; 환원 분위기 중에서 플라즈마 질화를 실행하여 실리콘 이산화물층을 실리콘 산질화물층(110A)으로 변환하는 단계를 포함한다. 이렇게 형성된 유전층은 MOSFET(145)의 형성시 이용될 수 있다.