A polishing composition is obtained through diluting an undiluted liquid containing abrasive grains. When R1 is defined as an average secondary particle diameter of the abrasive grains in the undiluted liquid and R2 is defined as an average secondary particle diameter of the abrasive grains in the polishing composition, the ratio R2/R1 is 1.2 or less. The polishing composition is used for polishing a silicon substrate material to produce a silicon substrate.
연마용 조성물은, 지립을 함유하는 희석용 원액을 희석하는 공정을 거침으로써 얻어진다. 희석용 원액 중에서의 지립의 평균 2차 입경을 R1로 하고, 연마용 조성물 중에서의 지립의 평균 2차 입경을 R2로 한 경우, 비율 R2/R1은 1.2 이하이다. 연마용 조성물은, 실리콘 기판을 제조하기 위해 실리콘 기판 원료를 연마하는 용도에서 사용된다.