A method of making an image sensor, the method includes the steps of providing a plurality of pixels each with a photodetector; providing an amplifier that is shared between the plurality of photodetectors; providing a transfer gate associated with each photodetector; providing a charge-to-voltage conversion region that is shared between the plurality of photodetectors; determining a capacitance between each transfer gate and the charge-to-voltage conversion region; and modifying the capacitance to be substantially the same by altering a physical structure within one or more pixels.
본 명세서에는 이미지 센서의 제조 방법이 개시되었으며, 본 방법은 각각이 광검출기를 구비하는 복수의 픽셀들을 제공하는 단계와, 복수의 광검출기들 사이에서 공유되는 증폭기를 제공하는 단계와, 각 광검출기와 관련된 전달 게이트를 제공하는 단계와, 복수의 광검출기들 사이에서 공유되는 전하-전압 변환 영역을 제공하는 단계와, 각 전달 게이트와 전하-전압 변환 영역 사이의 캐패시턴스를 결정하는 단계 및 하나 이상의 픽셀 내의 물리적인 구조를 변경함으로써 캐패시턴스가 실질적으로 동일하도록 변조시키는 단계를 포함한다. 