An image sensor device having a pixel cell with a pinned photodiode, which utilizes the fixed charge of an high K dielectric layer over the n-type region for the pinning effect without implanting a p-type layer over the n-type region, and methods of forming such a device.
n-형 영역 위에 p-형층을 주입함이 없이, 피닝 효과(pinning effect)를 위해 n-형 영역 위에 하이 K 유전층의 고정 전하를 이용하는 핀드 포토다이오드(pinned photodiode)를 갖는 픽셀 셀을 구비한 이미지 센서 디바이스 및 상기 디바이스 형성 방법.