This method for etching a silicon semiconductor substrate of the present invention includes: a step for forming a catalyst layer including a precious metal layer on the surface of a silicon semiconductor substrate; and a step for immersing the silicon semiconductor substrate for which the catalyst layer is formed on the surface in an etching solution containing a hydrofluoric acid, an oxidant, anda surfactant at greater than 0 ppm and 5 ppm or less.
본 발명의 실리콘 반도체 기판의 에칭 방법은, 실리콘 반도체 기판의 표면에, 귀금속층을 포함하는 촉매층을 형성하는 공정과, 상기 촉매층이 표면에 형성된 실리콘 반도체 기판을, 불화 수소산, 산화제, 및 0ppm 초과 5ppm 이하의 계면활성제를 포함하는 에칭액에 침지시키는 공정을 포함한다.