AIXTRON AG is pleased om aan te kondigen dat een verder MOCVD AIX 200/4 rf-s systeem en met succes verrichting is geïnstalleerd op het centrum van Tokuyama R&D in Tsukuba, Japan begonnen.
De reactor is reeds verscheept in het vierde trimester van 2008 en gebruikt door Tokuyama voor de ontwikkeling van op alGaN-Gebaseerde ultraviolette lichtgevende dioden (uv-LEDs).
Vandaag is de uv-GELEIDE markt meer dan ongeveer $100 miljoen per jaar met een potentieel voor waard verdubbelt deze waarde in de volgende jaren. Volgens een recent rapport en gemotiveerd door de behoefte aan een vervanging van bestaande UV lichtbronnen, kon de totale markt $250M in 2015 bereiken. Bovendien zal de beschikbaarheid van compacte UVbronnen in vaste toestand met duidelijk omlijnde golflengtewaaiers vele nieuwe toepassingen, met inbegrip van oplossingen voor de medische sector toelaten.
De Hogere machtsapparaten zullen ook toepassings tot kansen in de industrie voor het verharden of het genezen van harsen leiden. De prominentste kans nochtans is de sterke wens om dure traditionele kwiklampen te vervangen die niet alleen breekbaar en kortstondig zijn maar ook een milieugevaar voorstellen.
De totstandbrenging van dit marktpotentieel zal op specifieke technische vooruitgang vooral in de rendabele groei van op alN-Gebaseerde substraten en epitaxial lagen, vandaar de behoefte aan precisieMOCVD apparatuur zoals AIX 200/4 rf-s voorwaardelijk zijn. AlN is een ideaal materiaal voor de ontwikkeling van UVapparaten omdat het de breedste directe energie bandgap van alle halfgeleiders (eV ong. 6.2) heeft. Voorts gebruikend MOCVD, kunnen de ontwerpers bandgap techniek gebruiken om de optimale legeringen en de heterostructuren tot stand te brengen om de uv-GELEIDE toepassing aan te passen.
Het in japan-Gebaseerde Bedrijf Tokuyama is reeds een wereldleider in de ontwikkeling en de productie van een volledige portefeuille van chemische producten zoals populaire ultrapurepolysilicon voor de elektronische industrie. Het bedrijf heeft ook de van het het aluminiumnitride van de wereld installatie grootste (AlN), een materiaal dat om voor componenten op hoge temperatuur zoals macht LEDs en laserdioden voor registreertoestellen DVD en vezeloptica efficiënt is bewezen te zijn.