Asahi Glass Co, Ltd en een onderzoeksgroep onder leiding van Koyanagi, hoogleraar Graduate School of Engineering, Tohoku University, zijn erin geslaagd in het ontwikkelen van een nieuw niet-vluchtig geheugen, met de naam Metal Nano Dot (MND) geheugen. Het MND geheugen is gemaakt met behulp van depositie-technologie van MND film gebaseerd op keramische technologie ontwikkeld door Asahi Glass Co Het MND film is samengesteld uit zeer dichte metalen nanodots ingebed in een isolerende matrix. Het MND geheugen zal naar verwachting de bestaande flash-geheugen te vervangen in de nabije toekomst.
Vraag naar een hoge dichtheid en een hoge performance niet-vluchtig geheugen is snel gegroeid als de markt van mobiele apparaten informatie is uitgebreid in de afgelopen jaren, dus veel soorten niet-vluchtige geheugens zijn voorgesteld en onderzocht. Flash-geheugen is de meest gebruikte van de niet-vluchtige geheugens, vanwege de hoge dichtheid, lage productiekosten en een stabiele werking en ga zo maar door. Echter, schaalverkleining van het flash-geheugen celgrootte is geworden steeds moeilijker, omdat de tunnel oxide dikte kan niet naar beneden worden bijgesteld met de celgrootte vanwege de noodzaak om uitstekende lading retentie en uithoudingsvermogen te houden. Om dit probleem op te lossen, zijn er nieuwe types van geheugen cellen, zoals silicium nanodot geheugen en monos geheugen, voorgesteld. Echter, deze herinneringen niet over voldoende hoge dichtheid van de lading vasthouden sites, dus grootte en uniformiteit van het geheugen venster zijn niet genoeg. Professor Koyanagi aandacht besteed aan de MND film is ontwikkeld door Asahi Glass Co van toepassing op nieuwe niet-vluchtig geheugen en heeft gewerkt met Asahi Glass engineers over het proces apparaten. De fabricage van het proces-apparaten werd uitgevoerd at Venture Business-Laboratorium voor Tohoku University.