Co. van Samsung Electronics, Ltd, de wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, vandaag aangekondigd dat het de eerste spaander en de module van de BORREL (nm) van de 40 nanometerklasse heeft ontwikkeld en bevestigd. Deze nieuwe DDR2 component 1-Gigabit (x8) en een overeenkomstige 1-Gigabyte 800Mbps (Megabits per seconde) DDR2 SODIMM (kleine gealigneerde het geheugenmodule van de overzichtsBORREL) - allebei dat bij 40 NM moet worden verwerkt - zijn verklaard in het programma van de Bevestiging van het Platform van Intel voor gebruik met Intel® GM45 reeks Uitdrukkelijke mobiele chipsets.
"Het Beveiligen van uiterst geavanceerde technologie en systeem/platform bevestigde operability onderstreept onze verplichting als technologieleider aan het opstellen van de meest efficiënte middelen om BORREL in de markt te veroorzaken," bovengenoemde Kevin Lee, ondervoorzitter, technische marketing, de Halfgeleider van Samsung, Inc.
De migratie aan het procestechnologie van de 40 NMklasse zou moeten de tijd-aan-markt cyclus door 50 percenten - aan enkel één jaar versnellen. Samsung is van plan om zijn technologie van de 40 NMklasse toe te passen om een 2Gb DDR3 apparaat voor massaproduktie tegen eind 2009 ook te ontwikkelen.
De nieuwe het procestechnologie zal van de 40 NMklasse verdere verminderingen van voltage tegen een apparaat van de 50 NMklasse drijven, dat Samsung veronderstelt om in de besparingen van een ongeveer 30 percentenmacht te vertalen
De fijnere de technologieknoop van de BORREL levert ook een ongeveer 60 percentenverhoging van productiviteit meer dan het procestechnologie van de 50 NMklasse.
Bovendien verwacht Samsung dat zijn knoop van het 40 NMproces een significante stap naar de ontwikkeling van volgende generatie, de ultrahoge technologieën van de prestatiesBORREL zoals DDR4 zal merken.