Nikon is een samenwerking aangegaan met een bedrijf uit Singapore om gezamenlijk lithografieapparatuur te ontwikkelen waarmee kleinere transistors kunnen worden geproduceerd dan tot nu toe mogelijk was. In een testlab zal 193nm-lithografie worden ontwikkeld.
De onderzoeksactiviteiten van Nikon en het A*STAR Institute of Microelectronics worden ondergebracht in een r&d-laboratorium. De Japanners en Singaporezen zullen samen lithografische technieken ontwikkelen om 193nm-licht te gebruiken voor halfgeleiderproductie. Daarbij zouden argonfluoride-lasers gebruikt worden voor het uitzenden van diep-ultraviolet licht om wafers te produceren. Daarbij moeten technieken als multiple patterning en zelforganisatie een rol spelen.
Met de lithografische technieken moeten wafers met transistors van minder dan 20nm worden geproduceerd. De kleinste transistors die momenteel op 22nm geproduceerd worden, zouden met de huidige technieken lastig kleiner gemaakt kunnen worden. Met technieken als multi patterning en met nanobolletjes die het fotomasker spontaan vormen, moeten kleinere transistors mogelijk gemaakt worden.
Een concurrerende techniek, die fijnere patronen kan produceren door licht met een kleinere golflengte te gebruiken, is eveneens in ontwikkeling. Die euv-techniek laat echter vooralsnog op zich wachten; concurrent ASML heeft die techniek in ontwikkeling, net als Nikon zelf.