Samsung heeft ddr3-chips met een capaciteit van 4 gigabit gemaakt. Daarmee zouden aanzienlijke besparingen in servers gerealiseerd kunnen worden; het geheugen is dan ook primair voor registered dimm's bedoeld.
Het 40nm-geheugen is inmiddels aan massaproductie toe, al meldt Samsungs site nog altijd dat de de ddr3-chips 'in ontwikkeling' zijn. Het bedrijf produceerde al langer 40nm-ddr3, maar dat ging om chips met een capaciteit van 2 gigabit. Inmiddels is de capaciteit dus verdubbeld, wat geheugenmodules van 32GB mogelijk maakt. Een so-dimm met de nieuwe chips heeft een maximale capaciteit van 8GB.
De Zuid-Koreaanse hardwarefabrikant wil niet alleen de nieuwe 4Gb-chips op 40nm gaan bakken: in de komende tijd moet 90 procent van de geheugenproductie naar het 40nm-procedé worden overgezet. De nieuwe chips kunnen uiteraard overweg met de door Jedec vastgestelde spanning van 1,5V, maar werken al met een spanning van 1,35V. De chips hebben een dataoverdrachtssnelheid van 1,6Gbps.
Samsung vergelijkt het energieverbruik van zijn nieuwste modules met dat van een 60nm-ddr2-module. Een module met de 4Gb-chips zou volgens het bedrijf 83 procent minder energie vragen dan een even grote module met op 60nm gebakken 1Gb-chips, wat zich laat vertalen naar een reductie van 210W tot 36W. Een zinvollere vergelijking is wellicht die met modules die uit 40nm-chips van 2 gigabit zijn opgebouwd. Een dergelijke module vraagt 55W, wat nog altijd betekent dat de nieuwe chips een besparing van 34,5 procent kunnen opleveren.