Sorab K. Ghandhi
सोराब (सोली) के. गांधी (1 जनवरी 1928-6 जुलाई 2018) रेंससेलेर पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट (आरपीआई) में प्रोफेसर एमेरिटस थे, जिन्हें इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स शिक्षा में उनके अग्रणी काम और यौगिक अर्धचालकों के लिए ऑर्गेनोमेटेलिक वेपर फेज एपिटैक्सी (ओएमवीपीई) के अनुसंधान और विकास के लिए जाना जाता है। उन्हें 2010 में "सेमीकंडक्टर और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स शिक्षा में अग्रणी योगदान के लिए" आई. ई. ई. ई. शिक्षा पुरस्कार से सम्मानित किया गया था। शिक्षा गांधी की स्कूली शिक्षा सेंट जोसेफ कॉलेज, नैनीताल, भारत में हुई थी, उन्होंने अपनी बी. एस. सी. प्राप्त की। 1947 में बनारस हिंदू विश्वविद्यालय से इलेक्ट्रिकल और मैकेनिकल इंजीनियरिंग में, और 1948 और 1951 में इलिनोइस विश्वविद्यालय से इलेक्ट्रॉनिक्स में एम. एस और पी. एच. डी। वह जन्म से एक पारसी थे, और उनके तीन बेटे थे, खुसरो, रुस्तम और बेहराम। उन्होंने ट्रांजिस्टर सर्किट और ट्रांजिस्टर सर्किट इंजीनियरिंग पर दुनिया की पहली पुस्तकों का सह-लेखन किया। वे 1960-1963 से फिल्को कॉर्पोरेशन में घटक समूह के प्रबंधक थे। इस दौरान, ग्राफिकल प्रतीकों पर आई. आर. ई. मानकों के अध्यक्ष के रूप में, कार्य समूह 28.4.8 ने ट्रांजिस्टर और अन्य अर्धचालक उपकरणों के लिए यू. एस.-व्युत्पन्न ग्राफिकल प्रतीक को अंतर्राष्ट्रीय स्तर पर अपनाने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाई। वह 1963 में इलेक्ट्रोफिजिक्स के प्रोफेसर के रूप में रेंससेलेर पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट (आरपीआई) में शामिल हुए, और 1967-1974 से अध्यक्ष थे। वे 1992 में आर. पी. आई. से सेवानिवृत्त हुए। आर. पी. आई. में, उन्होंने स्नातक अध्ययन पाठ्यक्रम में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स की शुरुआत की और इस विषय पर एक पुस्तक लिखी। सेमीकंडक्टर उद्योग में भाग लेने के लिए एक इंजीनियर के लिए आवश्यक पृष्ठभूमि को स्पष्ट करने वाली यह दुनिया की पहली पुस्तक थी। बुनियादी अर्धचालक भौतिकी के अलावा, इसमें क्रिस्टल विकास, चरण आरेख, प्रसार, ऑक्सीकरण, एपिटैक्सी, इचिंग और फोटोलिथोग्राफी जैसे विषय शामिल थे, जो विद्युत इंजीनियरों की पृष्ठभूमि के विशिष्ट नहीं थे। इसके बाद, अर्धचालक ऊर्जा उपकरणों पर एक पुस्तक लिखी गई, जिसमें उन्होंने दूसरे टूटने के लिए एक व्यापक सिद्धांत प्रस्तुत किया। 1968 में मानसेवित के काम के बाद, उन्होंने 1970 में यौगिक अर्धचालकों के ओ. एम. वी. पी. ई. पर पहला विश्वविद्यालय कार्यक्रम शुरू किया, और सेवानिवृत्ति तक इस क्षेत्र में अपने छात्रों के साथ शोध किया। यह तकनीक तेजी से लोकप्रिय हो गई है, और अब इसका उपयोग अधिकांश आधुनिक ऑप्टिकल उपकरणों जैसे लेजर और प्रकाश उत्सर्जक डायोड, फाइबर ऑप्टिक संचार और बेहतर थर्मोइलेक्ट्रिक संरचनाओं के लिए ट्रांसमीटर और रिसीवर में किया जाता है। ओ. एम. वी. पी. ई. में उनके शोध में जी. ए. ए., आई. एन. ए., जी. ए. आई. एन. ए., आई. एन. पी., सी. डी. टी. ई., एच. जी. सी. डी. टी. ई. और जेड. एन. एस. ई. सामग्रियों और उपकरणों का विकास और लक्षण वर्णन शामिल था, जिसके परिणामस्वरूप 180 से अधिक शोध पत्र प्रकाशित हुए। इनमें से कई इस क्षेत्र में "प्रथम" थेः रचनाओं की पूरी श्रृंखला में जी. ए. आई. एन. ए. का विकास, सतह-मुक्त जी. ए. ए. में पुनर्संयोजन का मूल्यांकन करने के लिए होमोस्ट्रक्चर का उपयोग, जी. ए. ए. में हैलोजन इचिंग का उपयोग, अत्यधिक समान संरचना के साथ एच. जी. सी. डी. टी. ई. की बड़ी क्षेत्र फिल्मों का ओ. एम. वी. पी. ई. विकास और इस एच. जी. सी. डी. टी. ई. का पी-प्रकार डोपिंग। अपनी शोध गतिविधियों के साथ-साथ, उन्होंने वी. एल. एस. आई. निर्माण सिद्धांतों पर दो पुस्तकें भी लिखीं, जिनमें सिलिकॉन और जी. ए. ए. सामग्री प्रौद्योगिकी का एक व्यापक, एकीकृत उपचार शामिल था। और इनमें पहली बार यौगिक अर्धचालकों से संबंधित विषय शामिल किए गए हैं, जो उन्नत अर्धचालक विद्युत-ऑप्टिकल और संचार उपकरणों और प्रणालियों में तेजी से महत्वपूर्ण भूमिका निभा रहे हैं। सदस्यता सदस्य, प्रशासनिक समिति, सर्किट सिद्धांत पर आई. ई. ई. लेनदेन (1963-1966) अतिथि संपादक, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स में सामग्री और प्रक्रियाओं पर आई. ई. ई. ई. का विशेष अंक (1966-1967) सहयोगी संपादक, सॉलिड-स्टेट इलेक्ट्रॉनिक्स (1974-1988) सचिव, अंतर्राष्ट्रीय सॉलिड स्टेट सर्किट सम्मेलन (1959) कार्यक्रम अध्यक्ष, अंतर्राष्ट्रीय सॉलिड स्टेट सर्किट सम्मेलन (1960) सह-अध्यक्ष, एच. जी. सी. डी. टी. ई. और अन्य कम अंतराल वाली सामग्री पर कार्यशाला (1992) सदस्य, संपादकीय बोर्ड, आई. ई. ई. ई. प्रेस (1983-1987)। अवार्ड्स स्कॉलर, जे. एन. टाटा फाउंडेशन (1947-1951) फेलो, IEEE (1965) रेंससेलेर विशिष्ट शिक्षण पुरस्कार (1975) रेंससेलेर विशिष्ट प्रोफेसर पुरस्कार (1987) शिक्षा पुरस्कार, इलेक्ट्रॉन डिवाइस सोसाइटी, IEEE (2010)