Ravindra Kumar Sinha (physicist)
प्रो. रवींद्र कुमार सिन्हा (जन्म 15 फरवरी 1960) उत्तर प्रदेश सरकार के तहत गौतम बुद्ध विश्वविद्यालय, ग्रेटर नोएडा, गौतम बुद्ध नगर के कुलपति हैं। वे सी. एस. आई. आर.-केंद्रीय वैज्ञानिक उपकरण संगठन (सी. एस. आई. आर.-सी. एस. आई. ओ.) सेक्टर-30 सी, चंडीगढ़-160 030, भारत के निदेशक थे। वे प्रोफेसर-एप्लाइड फिजिक्स, डीन-अकादमिक [यू. जी.] और मुख्य समन्वयकः टी. आई. एफ. ए. सी.-फाइबर ऑप्टिक्स और ऑप्टिकल संचार में प्रासंगिकता और उत्कृष्टता केंद्र, मिशन रीच कार्यक्रम, प्रौद्योगिकी विजन-2020, सरकार रहे हैं। भारत सरकार दिल्ली प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय (पूर्व में दिल्ली कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग, दिल्ली विश्वविद्यालय) बवाना रोड, दिल्ली-110042, भारत। प्रारंभिक जीवन में प्रो. सिन्हा ने 1984 में भारतीय प्रौद्योगिकी संस्थान (आई. आई. टी.) खड़गपुर से भौतिकी (एम. एससी. भौतिकी) में स्नातकोत्तर की उपाधि प्राप्त की और भारतीय प्रौद्योगिकी संस्थान (आई. आई. टी.) दिल्ली चले गए जहाँ से उन्होंने 1989-90 में पी. एच. डी. की उपाधि प्राप्त की। उनके पी. एच. डी. शोध प्रबंध का विषय प्रो. अरुण कुमार और प्रो. बी. पी. के मार्गदर्शन में आयताकार कोर ऑप्टिकल वेवगाइड और उपकरणों के प्रसार विशेषताओं का अध्ययन है। 1984-1989 की अवधि के दौरान प्रो. अजय घटक की अध्यक्षता में ऑप्टिकल वेव गाइड समूह में पाल। उन्होंने अक्टूबर 1989-मार्च 1991 की अवधि के दौरान ओसाका विश्वविद्यालय में विदेशी अध्ययन, ओसाका और जापान में कोबे विश्वविद्यालय में जापानी सरकारी विद्वान के रूप में काम किया। इसके अलावा अप्रैल 1991-दिसंबर 1992 के दौरान उन्होंने भारतीय विज्ञान संस्थान (आईआईएससी), बैंगलोर के इलेक्ट्रिकल कम्युनिकेशन इंजीनियरिंग विभाग में रिसर्च एसोसिएट के रूप में काम किया है। वे जनवरी 1992-सितंबर के दौरान बिड़ला प्रौद्योगिकी और विज्ञान संस्थान (बीआईटीएस) पिलानी में व्याख्याता के रूप में शामिल हुए, वे क्षेत्रीय इंजीनियरिंग कॉलेज में सहायक प्रोफेसर थे, जिसे अब हमीरपुर (एच. पी.) में राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी) के रूप में जाना जाता है। ), भारत में 17 अक्टूबर, 1994-30 दिसंबर, 1998 के दौरान। फिर वे 31 दिसंबर, 1998 से 17 अक्टूबर, 2002 के दौरान दिल्ली कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग-डी. सी. ई. (फैकल्टी ऑफ टेक्नोलॉजी, दिल्ली विश्वविद्यालय) में सहायक प्रोफेसर के रूप में शामिल हुए। वे 7 अगस्त, 2008 से 31 अगस्त, 2010 के दौरान डी. सी. ई./डी. टी. यू. में डीन (औद्योगिक अनुसंधान और विकास) थे और जनवरी 2015 से जून 2015 के दौरान दिल्ली प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय में अनुप्रयुक्त भौतिकी विभाग के प्रमुख और डीन (अकादमिक-यू. जी.) थे। वे "मिशन रीच", प्रौद्योगिकी विजन 2020, प्रौद्योगिकी सूचना पूर्वानुमान और मूल्यांकन परिषद, विज्ञान और प्रौद्योगिकी विभाग, भारत सरकार के तहत दिल्ली कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग में फाइबर ऑप्टिक्स और ऑप्टिकल संचार में टीआईएफएसी-सेंटर ऑफ रिलेवेंस एंड एक्सीलेंस (कोर) के मुख्य समन्वयक थे। वर्ष 2005 में अपनी स्थापना के बाद से भारत सरकार। उन्होंने 2 जुलाई, 2015 से फरवरी 2020 तक सी. एस. आई. आर.-केंद्रीय वैज्ञानिक उपकरण संगठन (सी. एस. आई. ओ.) चंडीगढ़ के निदेशक के रूप में कार्य किया है। उन्होंने 6 नवंबर, 2015 से 8 मार्च, 2016 के दौरान सी. एस. आई. आर.-सेंट्रल इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग रिसर्च इंस्टीट्यूट (सी. ई. ई. आर. आई.), पिलानी के निदेशक के रूप में और 11 अप्रैल, 2016 से 22 जनवरी, 2017 तक सी. एस. आई. आर.-इंस्टीट्यूट ऑफ माइक्रोबियल टेक्नोलॉजी (आई. एम. टी. ई. सी. एच.), चंडीगढ़ के निदेशक के रूप में अतिरिक्त प्रभार के रूप में कार्य किया है। उनका प्रमुख शोध क्षेत्र फाइबर ऑप्टिक्स और फोटोनिक्स है और वे वर्तमान में दूरसंचार के लिए नैनो-फोटोनिक उपकरणों पर काम कर रहे हैं और शून्य सूचकांक मेटामटेरियल्स पर हाल ही में लिखी गई पुस्तक अप्रैल 2021 (https://www.google.co.in/books/edition/Zero_Index_Metamaterials/h_QkEAAAQBAJ?hl=en&gbpv=1&printsec=frontcover) में प्रकाशित हुई है। उन्होंने सॉफ्ट ग्लास स्पेशलिटी ऑप्टिकल फाइबर का उपयोग करते हुए सुपरकॉन्टिनम जनरेशन पर एक समीक्षा पत्र भी प्रकाशित किया है। उन्हें 2021 और 2022 में डी. टी. यू. का अनुसंधान उत्कृष्टता पुरस्कार, 2020 में रक्षा प्रौद्योगिकी के विकास के लिए गोल्ड स्कॉच पुरस्कार, सी. एस. आई. आर. प्रौद्योगिकी पुरस्कार 2018, फुलब्राइट-नेहरू फैलोशिप, रॉयल अकादमिक इंजीनियरिंग फैलोशिप, इंडो-स्विस बाइलेटरल रिसर्च फैलोशिप, जापान सोसाइटी फॉर प्रमोशन ऑफ साइंस फैलोशिप, जापानी सरकार से सम्मानित किया गया है। छात्रवृत्ति, ताइवान फेलोशिप की राष्ट्रीय परिषद के अलावा कई देशों में कई आगंतुक वैज्ञानिक कार्य। वे इंटरनेशनल सोसाइटी ऑफ ऑप्टिक्स एंड फोटोनिक्स (एस. पी. आई. ई.), ऑप्टिकल सोसाइटी ऑफ इंडिया और आई. ई. टी. ई. (इंडिया) के सदस्य हैं। अन्य पदों पर डॉ. सिन्हा कई बोर्डों और अन्य संगठनों के सदस्य हैं। इनमें से कुछ हैंः अध्यक्ष, इलेक्ट्रॉनिक्स और दूरसंचार अभियंता संस्थान-आई. ई. टी. ई. (भारत)-चंडीगढ़ क्षेत्र, चंडीगढ़ सदस्य, पी. ई. सी. विश्वविद्यालय के शासन बोर्ड, चंडीगढ़ सदस्य, अनुसंधान परिषद, एल. ए. एस. टी. ई. सी., डी. आर. डी. ओ., दिल्ली सदस्य, प्रबंधन परिषद, सी. एस. आई. आर.-राष्ट्रीय भौतिक प्रयोगशाला (एन. पी. एल.), दिल्ली सदस्य, कार्यकारी बोर्ड, एल. ए. एस. टी. ई. सी./डी. आर. डी. ओ. सदस्य का उच्च शक्ति फाइबर लेजर अनुसंधान कार्यक्रम, उच्च शिक्षा परिषद, केंद्र शासित प्रदेश चंडीगढ़ सदस्य, शासन बोर्ड, पंजाब राज्य विज्ञान और प्रौद्योगिकी परिषद सदस्य, शासन बोर्ड, पुष्प गुजराल विज्ञान शहर, जालंधर सदस्य, राज्य उच्च शिक्षा परिषद, चंडीगढ़ सदस्य, प्रबंधन परिषद, सी. एस. आई. आर.-केंद्रीय विद्युत-रासायनिक अनुसंधान संस्थान, कराईक। भारत सरकार की प्रधान अन्वेषक/सह पी. आई.:-द्वैपाक्षिक अनुसंधान परियोजनाएं (i) ऑप्टिकल नैनो एंटीना पर डी. एस. टी. आर. एम. ई. एस. कार्यक्रम के दौरान भारत-रूस (ii) गैर-रैखिक फाइबर प्रकाशिकी पर डी. एस. टी. आर. एम. ई. एस. कार्यक्रम के दौरान भारत-ट्यूनीशिया और (iii) अंतर्राष्ट्रीय प्रभाग, डी. एस. टी., भारत सरकार के माध्यम से डी. एस. टी. आर. एम. ई. एस. कार्यक्रम के दौरान कार्बन नैनोट्यूब पर भारत-पुर्तगाल। भारत से। (iv) डी. एस. टी.-आर. एफ. बी. आर. कार्यक्रम के तहत भारत-रूस 2015-2017 के दौरान ई. एम. तरंगों को नियंत्रित करने के लिए नए दृष्टिकोण (डी. टी. यू. में काम करते हुए पुरस्कृत और सक्रिय भी हैं) प्रधान अन्वेषक/सह पी. आई. "एल. ए. एस. टी. ई. सी. प्रयोगशाला, डी. आर. डी. ओ., भारत सरकार से अनुसंधान सेवाओं के अधिग्रहण के अनुबंध के तहत उच्च शक्ति वाले फाइबर लेजर की मॉडलिंग और अनुकरण" प्रायोजित परियोजना। 2015-2016 के दौरान भारत का। (डी. टी. यू. में काम करते हुए पुरस्कृत) अध्यक्ष, मूल्य सृजन के लिए वैज्ञानिक अनुसंधान के प्रबंधन पर प्रशिक्षण कार्यक्रम संगठन, सी. एस. आई. आर., दिल्ली, भारत सदस्य, कौशल विकास पहल, सी. एस. आई. आर., भारत सरकार। भारत सरकार के सदस्य, आई. ई. टी. ई. जर्नल ऑफ रिसर्च और आई. ई. टी. ई. तकनीकी समीक्षा पत्रिका, आई. ई. टी. ई. (भारत) दिल्ली की प्रकाशन समिति के सदस्य 2016 से आई. ई. टी. ई. (भारत) के कौशल विकास कार्यक्रम और भारतीय उद्योग सम्मेलन समिति के सदस्य, प्रौद्योगिकी प्रणाली विकास बोर्ड, विज्ञान और प्रौद्योगिकी विभाग, भारत सरकार। दिसंबर 2016 से तीन साल की अवधि के लिए भारत सरकार द्वारा लागू। विशेषज्ञ सदस्य, विज्ञान संकाय, कुरुक्षेत्र विश्वविद्यालय, कुरुक्षेत्र सदस्य, प्रबंधन परिषद, सी. एस. आई. आर.-सूक्ष्मजीव प्रौद्योगिकी संस्थान, चंडीगढ़ सदस्य, शासी परिषद, इंजीनियरिंग में परामर्श केंद्र, पी. ई. सी. प्रौद्योगिकी विश्वविद्यालय, चंडीगढ़ सदस्यः उच्च शिक्षा विशेषज्ञ पर सी. आई. आई. राष्ट्रीय समिति सदस्यः राष्ट्रीय प्रणाली सुरक्षा नियामक प्राधिकरण (विचार-मंथन सत्र) प्रमुख शोध कार्य ने दूरसंचार श्रेणी के एकल मोड ऑप्टिकल फाइबर के साथ-साथ दूर क्षेत्र विकिरण पैटर्न के माप से सुसंगत ऑप्टिकल संचार के लिए अण्डाकार कोर फाइबर के लक्षण वर्णन के लिए सिद्धांत और प्रयोगों को सफलतापूर्वक विकसित किया। इस तकनीक को सुदूर क्षेत्र माप से एकल मोड एकीकृत समतल और आयताकार कोर चैनल ऑप्टिकल वेवगाइड के लक्षण वर्णन के लिए नई विधियों को विकसित करने के लिए विस्तारित किया गया था। इसके बाद 4x4 ऑप्टिकल फाइबर और वेवगाइड कपलरों के डिजाइन के लिए युग्मित मोड सिद्धांत का विकास किया गया और ऑप्टिकल होमोडाइन रिसीवरों के डिजाइन में उनके अनुप्रयोग किए गए। विभेदक समय विलंब तकनीक का उपयोग करके प्रकाश तरंग संकेतों के फैलाव क्षतिपूर्ति के लिए विश्लेषणात्मक तरीकों का विकास, जिसमें डेटा संचरण की उच्च दर में उनके अनुप्रयोग के लिए ऑप्टिकल फाइबर में मोड के प्रसार स्थिरांक में उच्च ऑर्डर शब्दों के प्रभाव को शामिल किया गया है। डब्ल्यू. डी. एम. आधारित ऑप्टिकल संचार प्रणाली के लिए थोड़ा विलंब सुधार के लिए एक योजना का विकास। ऑप्टिकल फाइबर संचार प्रणालियों में कई अभिगम तकनीकें 3-डी ऑप्टिकल कोड अनुक्रमों के विकास की ओर ले जाती हैं। ऑप्टिकल सी. डी. एम. ए. और ऑप्टिकल टर्बो कोड और ऑप्टिकल संचार प्रणालियों में एस. एन. आर., बी. ई. आर. और आई. एस. आई. के संदर्भ में उनके प्रदर्शन मूल्यांकन को मेरे द्वारा प्रतिष्ठित पत्रिकाओं के लेखक/सह-लेखक के रूप में प्रकाशित किया गया है। इलेक्ट्रॉन वेवगाइड के लिए युग्मित मोड सिद्धांत का विकास और नैनो-पैमाने पर कई क्वांटम कुएँ अर्धचालकों में इलेक्ट्रॉन तरंग प्रसार पर आधारित उच्च गति वाले क्वांटम आकार के उपकरणों के डिजाइन में उनके अनुप्रयोग का प्रस्ताव किया गया था और नैनो-इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों (इलेक्ट्रॉन वेवगाइड कपलर, स्विच और फिल्टर) को संचरण विशेषताओं को बढ़ाने के साथ डिजाइन किया गया था। उपरोक्त के अलावा, उनके हाल के महत्वपूर्ण शोध योगदान हैंः फोटोनिक क्रिस्टल आधारित नैनोफोटोनिक उपकरणः फोटोनिक क्रिस्टल आवधिक परावैद्युत संरचनाएं हैं जिनमें एक बैंड अंतर होता है जो प्रकाश की एक निश्चित आवृत्ति सीमा के प्रसार को रोकता है। यह गुण अद्भुत सुविधा के साथ प्रकाश को नियंत्रित करने और ऐसे प्रभाव पैदा करने में सक्षम बनाता है जो पारंपरिक प्रकाशिकी के साथ असंभव हैं। सिलिकॉन ऑन इंसुलेटर (एस. ओ. आई.) से बने फोटोनिक क्रिस्टल के विभिन्न नए डिजाइन फोटोनिक क्रिस्टल आधारित कपलर, वाई स्प्लिटर, दोहरी पट्टी तरंग दैर्ध्य मल्टीप्लैक्सर और डी-मल्टीप्लेक्सर्स के डिजाइन और विकास के लिए प्रस्तावित हैं। सुपर पोलराइज़र का एक नया डिज़ाइन भी प्रस्तावित किया गया है और इसके ध्रुवीकरण और निर्माण सहिष्णुता की डिग्री का भी अनुमान लगाया गया है। इसके बाद धीमी रोशनी के उत्पादन के लिए फोटोनिक क्रिस्टल संरचना का डिजाइन किया गया, जिससे अविश्वसनीय रूप से कम शक्ति पर सॉलिटन का निर्माण हुआ, घने तरंग दैर्ध्य विभाजन मल्टीप्लेक्सोर (डीडब्ल्यूडीएम) का डिजाइन और दूरसंचार अनुप्रयोग के लिए डी-मल्टीप्लेक्सोर का डिजाइन किया गया। मेटामेट्रियल्स और नेगेटिव रिफ्रैक्शनः नेगेटिव रिफ्रैक्शन प्रदर्शित करने की एक नई संरचना (जिसे मेटामेट्रियल्स कहा जाता है) को डिजाइन, विश्लेषण, मनगढ़ंत और प्रयोगात्मक रूप से चिह्नित किया जाता है। एन-डोप्ड सिलिकॉन सब्सट्रेट पर 50 नैनोमीटर मोटे सोने की दो आयामी सरणियों से बने वी-आकार के स्प्लिट रिंग रेज़ोनेटर का उपयोग करके इसे प्रयोगात्मक रूप से महसूस किया गया था। यह दिखाया गया है कि वी-आकार के एस. आर. आर. के कोणीय अंतराल को बदलकर, विद्युत चुम्बकीय मापदंडों (जैसे परावैद्युत पारगम्यता, पारगम्यता और अपवर्तक सूचकांक) को ट्यून करना और नैनो-स्केल पर मेटामेटेरियल आधारित ऑप्टिकल स्विच और सेंसर के डिजाइन और विकास के लिए प्रकाश के प्रवाह को नियंत्रित करना संभव है। इसके अलावा, दिखाई देने वाले प्रकाश के लिए सभी कोण नकारात्मक अपवर्तन को प्रदर्शित करने वाले बाएं हाथ (नकारात्मक अपवर्तन प्रदर्शित करने वाले मेटामेट्रियल्स) धातु-डायलेक्ट्रिक फोटोनिक क्रिस्टल का पहली बार विस्तृत सैद्धांतिक और संख्यात्मक प्रदर्शन के साथ विश्लेषण किया जाता है। उसी तर्ज पर बाएं हाथ की मेटामेटेरियल संरचना के एक और नए डिजाइन का विश्लेषण किया जाता है और दूसरी हार्मोनिक पीढ़ी के माध्यम से अल्ट्रा वायलेट प्रकाश के उत्पादन के लिए प्रस्तावित किया जाता है। यहाँ, यह दिखाया गया है कि नकारात्मक सूचकांक विरोधी समानांतर अपवर्तित तरंग सदिश और पोइन्टिंग सदिश के साथ फैलाव व्यवस्था में काम करने वाली सतह प्लाजमोन ध्रुवीय तरंगों के उत्तेजना द्वारा प्राप्त किया जाता है। प्लाज्मोनिक्स और प्लाजमोनिक बैंडगैप इंजीनियरिंगः सरफेस प्लाजमोन पोलारिटन्स (एस. पी. पी.) धातुओं में सामूहिक इलेक्ट्रॉन दोलन के साथ आपतित फोटॉन की अंतःक्रिया के परिणामस्वरूप धातु परावैद्युत इंटरफेस के साथ निर्देशित विद्युत चुम्बकीय तरंगें हैं। एस. पी. पी. में आपतित फोटॉन की तुलना में कम तरंग दैर्ध्य होता है और इसलिए उप नैनो-स्केल उपकरणों के डिजाइन और विकास में आशाजनक अनुप्रयोग के साथ मजबूत स्थानिक कारावास प्रदान करता है। प्लाजमोनिक बैंड गैप इंजीनियरिंग की एक नई अवधारणा पर प्रकाश डाला गया है और इसका उपयोग एस. पी. पी. प्रसार के लिए किया जाता है जिससे प्लाजमोनिक वेवगाइड का निर्माण होता है। प्लाजमोनिक मैक-झेंडर इंटरफेरोमीटर (पीएमजेडआई) संवेदक के एक नए डिजाइन के प्रस्ताव के लिए कई प्रकार के प्लाजमोनिक वेवगाइड तैयार किए गए थे जो बेहतर प्रसार विशेषताओं को प्रदर्शित करते हैं। यह दिखाया गया है कि प्रस्तावित पी. एम. जेड. आई. में 6000 एन. एम./आर. आई. यू. के क्रम की बहुत अधिक संवेदनशीलता है, जिसका लेबल मुक्त वर्गीकरण और कैंसर कोशिका का पता लगाने के लिए प्रभावी ढंग से उपयोग किया गया है। कार्बन नैनोट्यूब (सी. एन. टी.) और नैनो-बायो संवेदक की क्षेत्र उत्सर्जन विशेषताएँः सी. एन. टी. को इनकनेल और सिलिकॉन सब्सट्रेट का उपयोग करके उगाया गया था और अगली पीढ़ी के उच्च प्रदर्शन वाले फ्लैट पैनल उपकरणों के लिए उनके आशाजनक अनुप्रयोगों को देखते हुए उनकी क्षेत्र उत्सर्जन विशेषताओं का अध्ययन किया गया है। बाद में धातु से सजाए गए सी. एन. टी. से अल्ट्रा लो टर्न ऑन वोल्टेज (0.1 वोल्ट/एम. यू. एम. क्रम का) के साथ क्षेत्र उत्सर्जन प्राप्त किया गया है। अत्यधिक संवेदनशील और चयनात्मक कोलेस्ट्रॉल नैनो-बायोसेंसर के निर्माण के लिए सोने की नैनो संरचनाओं के संश्लेषण और निक्षेपण के लिए एक एकल-चरण विधि विकसित की गई थी। इलेक्ट्रोकेमिकल संश्लेषण और गोल्ड नैनोस्ट्रक्चर की असेंबली का उपयोग करके उच्च प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रोकेमिकल बायोसेंसर का निर्माण किया जाता है जिसका उपयोग स्वास्थ्य देखभाल नैदानिक अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है। फोटोनिक क्रिस्टल फाइबर (पी. सी. एफ.) और सुपरकॉन्टिनम पीढ़ीः प्रो. सिन्हा ने विशेष रूप से डिजाइन किए गए फोटोनिक क्रिस्टल फाइबर के माध्यम से प्रकाश तरंग प्रसार विशेषताओं का अध्ययन करने के लिए कई विश्लेषणात्मक और संख्यात्मक तकनीकों का विकास किया और उनके लक्षण वर्णन के लिए प्रयोगात्मक तकनीकों का विकास किया जो इन दिनों विभिन्न पाठ और संदर्भ पुस्तकों का विषय बन गए हैं और अनुसंधान समुदाय द्वारा बहुत अच्छी तरह से उद्धृत किए गए हैं। अनुप्रयोग विशिष्ट फोटोनिक क्रिस्टल फाइबर जैसे बड़े मोड क्षेत्र पी. सी. एफ. और त्रिकोणीय कोर पी. सी. एफ. को भी डिजाइन किया गया था। हाल ही में, पी. सी. एफ. का एक नया डिज़ाइन जिसे त्रिकोणीय कोर ग्रेडेड इंडेक्स पी. सी. एफ. कहा जाता है, अल्ट्रा ब्रॉड बैंड (यानी पी. सी. एफ.) के लिए डिज़ाइन और विश्लेषण किया गया था। 2-15 माइक्रोन, अब तक की उच्चतम सीमा) मध्य अवरक्त क्षेत्र में सुपरकॉन्टिनम स्पेक्ट्रम। ।