Sanjay Banerjee
संजय बनर्जी ऑस्टिन में टेक्सास विश्वविद्यालय में एक अमेरिकी इंजीनियर हैं, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स रिसर्च सेंटर के निदेशक हैं, और साउथवेस्ट एकेडमी ऑफ नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स (एस. डब्ल्यू. ए. एन.) के निदेशक हैं-संयुक्त राज्य अमेरिका में ऐसे तीन केंद्रों में से एक है जिसे सेमीकंडक्टर रिसर्च कॉर्पोरेशन द्वारा वित्त पोषित किया गया है ताकि उनके नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स रिसर्च इनिशिएटिव (एन. आर. आई.) के हिस्से के रूप में एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. के लिए एक प्रतिस्थापन विकसित किया जा सके। कैरियर बनर्जी ने 60 से अधिक पीएचडी छात्रों और 70 एम. एस. की देखरेख की है। टेक्सास विश्वविद्यालय के छात्र, जहाँ वे कॉकरेल फैमिली रीजेंट्स चेयर प्रोफेसर हैं। 1986 में, उन्हें दुनिया के पहले 4 मेगाबिट डी. आर. ए. एम. में टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स द्वारा उपयोग किए जाने वाले पॉलीसिलिकॉन ट्रांजिस्टर और डायनामिक रैंडम एक्सेस ट्रेंच मेमोरी सेल पर काम करने के लिए आई. ई. ई. ई. इंटरनेशनल सॉलिड स्टेट सर्किट कॉन्फ्रेंस में सर्वश्रेष्ठ पेपर से सम्मानित किया गया था। उन्होंने पहली तीन-टर्मिनल एम. ओ. एस. सुरंग एफ. ई. टी. के साथ-साथ फ्लैश मेमोरी के लिए पहले उच्च-के परावैद्युत/सिलिकॉन-जर्मेनियम क्वांटम डॉट गेट का प्रदर्शन किया। वह 2डी सामग्री और स्पिनट्रॉनिक्स, उन्नत एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. और सौर कोशिकाओं के निर्माण और मॉडलिंग पर आधारित सी. एम. ओ. एस. नैनोइलेक्ट्रॉनिक ट्रांजिस्टर से परे के क्षेत्रों में सक्रिय हैं। ।