分类共搜索到 185 个相关话题(最多显示前5000个)作者最后发表<br>用p3ht做晶体管的半导体层,到目前最高迁移率大约多少[发自小木虫ios客户端]<br>青岛阿京<br>窦亚梅具有量子效应的无结硅纳米线晶体管迁移率特性的研究中国科学院大学2019全文<br>明教教徒2<br>晶体管公式,请问里面的电容怎么算<br>yuh1984<br>赵明龙金属基板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备及性质中国科学院大学(中国科学院物理研究所)2020博士毕业论文只要PDF版本,谢谢<br>S素面朝天S<br>钟耀宗基于二次外延的p型栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管中国科学技术大学2020博士论文<br>S素面朝天S<br>最近在研究场效应晶体管但是看了好多文献发现其中载流子迁移率总是直接根据输出特性曲线可以直接求出来,但是小弟在看公式时,其中还有一个电容是未知的,实在搞不明白,他们是怎么直接把...<br>changjiang99<br>求助相关的文献,可以是无机、有机FET相关的载流子迁移率的计算方法。<br>北极在下雪<br>请问版内大侠,有机场效应晶体管中,同一个样品的饱和区的载流子迁移率和线性区的载流子迁移率相比,一般是哪个数值大一点呢?我这里测试计算后怎么得到的是线性区的载流子迁移率相对较大点...<br>topvsbottom<br>10.1038/NNANO.2010.279)中,在计算场效应迁移率的时候,使用了下图第一段曲线的数据(图片在附件),并用了线性区的公式计算mobility,u=[dIds/dVbg][L/(WCiVds)],但是这一段不应该是...<br>Eicky<br>论文求助:AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性研究帮朋友求下面的论文,请有CNKI账号的帮忙下载,上传。谢谢吴桐,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性研究:[硕士学位论文],北京:...<br>nuoan<br>王凯掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究物理学报Vlo.65,No.1(2016))016802-6<br>zuowansheng<br>晶体管的电流开关比、阈值电压,亚阈值摆幅以及迁移率之间的关系及他们与晶体管性能的关系<br>916941518<br>利用42000CSC测量得到场效应晶体
<h3>一、打架派出所拘留的条件是怎样</h3><br>打架亦称为斗殴,是指对立双方或多方,在相互矛盾发展到极点时,其行为特点为具有暴力倾向,以对他人产生身体造成伤害为目的的一种主观意识行为。不管这种行为起因何由、什么目的都是一种不理智不文明的行为,打架严重者甚至会触犯刑律,因此,在处理打架事件时要区分情况采取不同方式和办法。<br>打架触犯治安管理处罚法,情节严重者将会受到治安拘留的行政处罚。<br>附《中华人民共和国治安管理处罚法》:<br>第四十三条殴打他人的,或者故意伤害他人身体的,处五日以上十日以下拘留,并处二百元以上五百元以下罚款;情节较轻的,处五日以下拘留或者五百元以下罚款。<br>有下列情形之一的,处十日以上十五日以下拘留,并处五百元以上一千元以下罚款:<br>结伙殴打、伤害他人的;<br>殴打、伤害残疾人、孕妇、不满十四周岁的人或者六十周岁以上的人的;多次殴打、伤害他人或者一次殴打、伤害多人的。<br><img><br><h3>二、打架受伤如何维权</h3><br>1、首先报警,然后向警方申请伤情鉴定,根据伤情鉴定结论确定对方的责任。<br>如果经过鉴定构成轻伤或以上,那么对方涉嫌刑事犯罪,可以要求追究其刑事责任。<br>2、可以要求对方进行民事赔偿,要求赔偿医药费、误工费、营养费、护理费、财产损失等,如果构成伤残,还可以要求对方赔偿伤残赔偿金。<br><h3>三、治安拘留处罚依据</h3><br>对于行政违法行为,按照法律应当被拘留的,会被行政机关处以行政拘留的处罚。而最常见的行政拘留的产生往往是违反了《治安管理处罚法》的规定,由公安机关决定和执行,通常称治安拘留。该法第二条规定:扰乱公共秩序,妨害公共安全,侵犯人身权利、财产权利,妨害社会管理,具有社会危害性,依照《中华人民共和国刑法》的规定构成犯罪的,依法追究刑事责任;尚不够刑事处罚的,由公安机关依照本法给予治安管理处罚。