迁移率计算公式:μ=L2/(tTR×V)L。迁移率(mobility)是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/(伏·秒)。迁移率代表了载流子导电能力的大小,它和载流子(电子或空穴)浓度决定了半导体的电导率。<br>电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明,在电场中某一点,试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。于是以试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力的方向为电场方向,以前述比值为大小的矢量定义为该点的电场强度,常用E表示。
一楼二楼的解答不妥,从p[(∑xi-10p)/√10p(1-p) ≥ (n-10p)/√10p(1-p) ] ≤5%推不出标准正态分布的Φ( (n-10p)/√10p(1-p)) = 0.05,因为样本数要足够大时,根据大数定律,所有有期望有方差的分布才能有渐近的正态分布,实际应用样本数至少要>=30才行.<br>事实上不需要用到标准正态分布,因为充分完备统计量k=∑xi本身服从二项分布b(m,p),此题m=10,p=0.08<br>而且公式p(∑xi > n) ≤ 5%对于小的p来说很难用,我们可以用一下它的等价形式p(∑xi 95% 令k=∑xi,为样本的充分完备统计量,其诱导分布为<br>P(k<br>1年前<br>4个人,设需要x人,用概率A底10,上x再乘于0.08