分类共搜索到 185 个相关话题(最多显示前5000个)作者最后发表<br>用p3ht做晶体管的半导体层,到目前最高迁移率大约多少[发自小木虫ios客户端]<br>青岛阿京<br>窦亚梅具有量子效应的无结硅纳米线晶体管迁移率特性的研究中国科学院大学2019全文<br>明教教徒2<br>晶体管公式,请问里面的电容怎么算<br>yuh1984<br>赵明龙金属基板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备及性质中国科学院大学(中国科学院物理研究所)2020博士毕业论文只要PDF版本,谢谢<br>S素面朝天S<br>钟耀宗基于二次外延的p型栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管中国科学技术大学2020博士论文<br>S素面朝天S<br>最近在研究场效应晶体管但是看了好多文献发现其中载流子迁移率总是直接根据输出特性曲线可以直接求出来,但是小弟在看公式时,其中还有一个电容是未知的,实在搞不明白,他们是怎么直接把...<br>changjiang99<br>求助相关的文献,可以是无机、有机FET相关的载流子迁移率的计算方法。<br>北极在下雪<br>请问版内大侠,有机场效应晶体管中,同一个样品的饱和区的载流子迁移率和线性区的载流子迁移率相比,一般是哪个数值大一点呢?我这里测试计算后怎么得到的是线性区的载流子迁移率相对较大点...<br>topvsbottom<br>10.1038/NNANO.2010.279)中,在计算场效应迁移率的时候,使用了下图第一段曲线的数据(图片在附件),并用了线性区的公式计算mobility,u=[dIds/dVbg][L/(WCiVds)],但是这一段不应该是...<br>Eicky<br>论文求助:AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性研究帮朋友求下面的论文,请有CNKI账号的帮忙下载,上传。谢谢吴桐,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性研究:[硕士学位论文],北京:...<br>nuoan<br>王凯掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究物理学报Vlo.65,No.1(2016))016802-6<br>zuowansheng<br>晶体管的电流开关比、阈值电压,亚阈值摆幅以及迁移率之间的关系及他们与晶体管性能的关系<br>916941518<br>利用42000CSC测量得到场效应晶体
一楼二楼的解答不妥,从p[(∑xi-10p)/√10p(1-p) ≥ (n-10p)/√10p(1-p) ] ≤5%推不出标准正态分布的Φ( (n-10p)/√10p(1-p)) = 0.05,因为样本数要足够大时,根据大数定律,所有有期望有方差的分布才能有渐近的正态分布,实际应用样本数至少要>=30才行.<br>事实上不需要用到标准正态分布,因为充分完备统计量k=∑xi本身服从二项分布b(m,p),此题m=10,p=0.08<br>而且公式p(∑xi > n) ≤ 5%对于小的p来说很难用,我们可以用一下它的等价形式p(∑xi 95% 令k=∑xi,为样本的充分完备统计量,其诱导分布为<br>P(k<br>1年前<br>4个人,设需要x人,用概率A底10,上x再乘于0.08