"刘涛 - 红颜旧电视剧《琅琊榜》插曲作词:袁 亮作曲:赵佳霖西风夜渡寒山雨家国依稀残梦里思君不见倍思君别离难忍忍别离狼烟烽火何时休成王败寇尽东流蜡炬已残泪难干江山未老红颜旧忍别离不忍却又别离托鸿雁南去不知此心何寄红颜旧任凭斗转星移唯不变此情悠悠狼烟烽火何时休成王败寇尽东流蜡炬已残泪难干江山未老红颜旧忍别离不忍却又别离托鸿雁南去不知此心何寄红颜旧任凭斗转星移唯不变此情悠悠忍别离不忍却又别离托鸿雁南去不知此心何寄红颜旧任凭斗转星移唯不变此情悠悠唯不变此情悠悠唯不变此情悠悠"" r"
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。<br>扩展资料<br>IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;<br>IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;<br>IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。<br>IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。