Because they are written by forcing electrons through a layer of electrical insulation onto a floating transistor gate, rewriteable ROMs can withstand only a limited number of write and erase cycles before the insulation is permanently damaged.
Întrucât acestea sunt scrise prin forțarea electronilor printr-un strat de izolare electrică pe o poartă tranzistor plutitoare, memoriile ROM reinscripționabile pot rezista doar un număr limitat de cicluri de scriere și ștergere înainte ca izolația să fie permanet deteriorată.