In 2011, researchers at the University of Texas at Austin developed an InGaAs tunneling field-effect transistors capable of higher operating currents than previous designs.
2011 godine, istraživači na Sveučilište u Teksasu u Austinu razvili su InGaAs tunelske tranzistore s efektom polja koji su sposobni za veće radne struje od prethodnih konstrukcija.