Epitaxial growth of germanene crystals on GaAs(0001) has also been demonstrated, and calculations suggest that the minimal interactions should allow germanene to be readily removed from this substrate.
Epitaxial vækst af germanenkrystaller på GaAs (100) er ligeledes blevet demonstreret og beregner indikerer at minimale interaktioner skulle gøre det muligt fjerne germanen let fra substratet.