For a sufficiently large Schottky barrier height, where ΦB is significantly higher than the thermal energy kT, the semiconductor is depleted near the metal and behaves as a Schottky barrier.
For en tilstrækkelig stor Schottky-barrier højde, hvor ΦB er væsentlig højere end den termiske energi kT, er halvlederens rumladningsområde tømt nær metallet og opfører sig som Schottky-barriere.