Printed linewidths (i.e., transistor gate lengths) can reach as low as 25 nm on a nominally 65 nm process, while the pitch between two lines may be greater than 130 nm.
Trykte linjebredder (transistor-gatelængder) kan nå helt ned til 25 nm på en symbolsk 65 nm-proces, afstanden mellem to linjer kan være større end 130 nm.