In principle, a transmission gate made up of two field-effect transistors, in which – in contrast to traditional discrete field-effect transistors – the substrate terminal (bulk) is not connected internally to the source terminal.
Prinzipiell besteht ein Transmission-Gate aus zwei Feldeffekttransistoren, bei denen – im Gegensatz zu herkömmlichen diskreten Feldeffekttransistor – der Substratanschluss (Bulk) nicht intern mit dem Sourceanschluss verbunden ist.