In 1985, he developed low-temperature deposited buffer layers for the growth of group III nitride semiconductor films on a sapphire substrate, which led to the realization of group-III-nitride semiconductor based light-emitting diodes and laser diodes.
Во 1985 година, тој развива нискотемпературни методи за нанесување слоеви за растот на филмови на нитридната III група на сафирни субстрати, кои довеле до создавањето на полупроводниците од нитридната III група основата на светлечките диоди и ласери.