They achieved stimulated emission from the GaN firstly at room temperature in 1990, and developed in 1995 the stimulated emission at 388 nm with pulsed current injection from high-quality AlGaN/GaN/GaInN quantum well device.
Тие постигнале и стимулирана емисија од GaN првично на собна температура во 1990 година, и во 1995 година развиле стимулирана емисија на 388 nm со внесување на пулсирачка струја оф висококвалитетна AlGaN/GaN/GaInN квантна јама.