Another approach to see major development effort is magnetoresistive random-access memory, or MRAM, which uses magnetic elements and in general operates in a fashion similar to core, at least for the first-generation technology.
Друг пристап за да ги забележите главните развојни достигнувања е Magnetoresistive RandomAccess Memory, или MRAM, која користи магнетни елементи и во главно делува на начин сличен на јадрто,барем во првата генерациска технологија.