Năm 1987, Bijan Davari dẫn đầu một nhóm nghiên cứu của IBM đã trình diễn MOSFET đầu tiên có độ dày oxide cổng 10 nm, sử dụng công nghệ cổng wolfram. MOSFET đa cổng cho phép mở rộng quy mô dưới độ dài cổng 20 nm, bắt đầu với FinFET (bóng bán dẫn hiệu ứng trường vây), một MOSFET cổng đôi, không phẳng, ba chiều. FinFET bắt nguồn từ nghiên cứu của Digh Hisamoto tại Phòng thí nghiệm Nghiên cứu Trung tâm Hitachi vào năm 1989. Tại UC Berkeley, các thiết bị FinFET được chế tạo bởi một nhóm bao gồm Hisamoto cùng với Chenming Hu của TSMC và các nhà nghiên cứu quốc tế khác bao gồm Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor, Hideki Takeuchi, K. Asano, Jakub Kedziersk, Xuejue Huang, Leland Chang, Nick Lindert, Shibly Ahmed và Cyrus Tabery. Nhóm đã chế tạo các thiết bị FinFET xuống còn 17nm vào năm 1998, và sau đó là 15nm năm 2001. Năm 2002, một nhóm bao gồm Yu, Chang, Ahmed, Hu, Liu, Bokor và Tabery đã chế tạo ra thiết bị FinFET kích cỡ 10nm.Vào đầu những năm 2000, lĩnh vực này đã thu hút được sự chú ý ngày càng tăng của giới khoa học, chính trị và thương mại, dẫn đến cả tranh cãi và tiến bộ. Các cuộc tranh cãi đã xuất hiện liên quan đến các định nghĩa và ý nghĩa tiềm tàng của công nghệ nano, được minh chứng bởi báo cáo của Hiệp hội Hoàng gia về công nghệ nano. Những thách thức đã được đặt ra liên quan đến tính khả thi của các ứng dụng được hình dung bởi những người ủng hộ công nghệ nano phân tử, mà đỉnh điểm là cuộc tranh luận công khai giữa Drexler và Smalley vào năm 2001 và 2003.Trong khi đó, việc thương mại hóa các sản phẩm dựa trên những tiến bộ của công nghệ kích thước nano bắt đầu xuất hiện. Các sản phẩm này được giới hạn trong các ứng dụng hàng loạt của vật liệu nano và không liên quan đến việc kiểm soát nguyên tử của vật chất. Một số ví dụ bao gồm nền tảng Silver Nano để sử dụng các hạt nano bạc làm chất kháng khuẩn, kem chống nắng trong suốt dựa trên hạt nano, tăng cường sợi carbon bằng cách sử dụng hạt nano silica và ống nano carbon cho vải dệt chống ố.Các chính phủ đã chuyển sang thúc đẩy và tài trợ cho nghiên cứu về công nghệ nano, chẳng hạn như ở Mỹ với Sáng kiến Công nghệ Nano Quốc gia, tổ chức đã chính thức hóa định nghĩa dựa trên kích thước của công nghệ nano và thiết lập tài trợ cho nghiên cứu về quy mô nano và ở Châu Âu thông qua các Chương trình Khung Châu Âu về Nghiên cứu và Phát triển công nghệ.
Năm 1987, Bijan Davari dẫn đầu một nhóm nghiên cứu của IBM đã trình diễn MOSFET đầu tiên có độ dày oxide cổng 10 nm, sử dụng công nghệ cổng wolfram. Một số ví dụ bao gồm nền tảng Silver Nano để sử dụng các hạt nano bạc làm chất kháng khuẩn, kem chống nắng trong suốt dựa trên hạt nano, tăng cường sợi carbon bằng cách sử dụng hạt nano silica và ống nano carbon cho vải dệt chống ố.Các chính phủ đã chuyển sang thúc đẩy và tài trợ cho nghiên cứu về công nghệ nano, chẳng hạn như ở Mỹ với Sáng kiến Công nghệ Nano Quốc gia, tổ chức đã chính thức hóa định nghĩa dựa trên kích thước của công nghệ nano và thiết lập tài trợ cho nghiên cứu về quy mô nano và ở Châu Âu thông qua các Chương trình Khung Châu Âu về Nghiên cứu và Phát triển công nghệ.