Năm 2006, một nhóm các nhà nghiên cứu Hàn Quốc từ Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc (KAIST) và Trung tâm Nano Fab Quốc gia đã phát triển MOSFET 3 nm, thiết bị điện tử nano nhỏ nhất thế giới. Nó dựa trên công nghệ FinFET toàn cổng (GAA).Hơn 60 quốc gia đã tạo ra các chương trình nghiên cứu và phát triển công nghệ nano (R&D) của chính phủ từ năm 2001 đến năm 2004. Nguồn tài trợ của chính phủ đã vượt quá chi tiêu của công ty cho nghiên cứu và phát triển công nghệ nano, với phần lớn tài trợ đến từ các tập đoàn có trụ sở tại Hoa Kỳ, Nhật Bản và Đức. Năm tổ chức hàng đầu đã nộp nhiều bằng sáng chế trí tuệ nhất về R&D công nghệ nano từ năm 1970 đến 2011 là Samsung Electronics (2,578 bằng sáng chế đầu tiên), Nippon Steel (1,490 bằng sáng chế đầu tiên), IBM (1,360 bằng sáng chế đầu tiên), Toshiba (1,298 bằng sáng chế đầu tiên) và Canon (1.162 bằng sáng chế đầu tiên). Năm tổ chức hàng đầu xuất bản nhiều bài báo khoa học nhất về nghiên cứu công nghệ nano từ năm 1970 đến 2012 là Viện Khoa học Trung Quốc, Viện Hàn lâm Khoa học Nga, Trung tâm National de la recherche scientifique, Đại học Tokyo và Đại học Osaka.
Năm 2006, một nhóm các nhà nghiên cứu Hàn Quốc từ Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc (KAIST) và Trung tâm Nano Fab Quốc gia đã phát triển MOSFET 3 nm, thiết bị điện tử nano nhỏ nhất thế giới. Nguồn tài trợ của chính phủ đã vượt quá chi tiêu của công ty cho nghiên cứu và phát triển công nghệ nano, với phần lớn tài trợ đến từ các tập đoàn có trụ sở tại Hoa Kỳ, Nhật Bản và Đức.