Karbonnanorør har lenge vore kjend for å ha elektroniske eigenskapar som er overlegne for dagens silikonbaserte enheter. Men vanskeligheter i å manipulere dei har hindra nanorørbaserte chips. Eksperimentet, rapportert i Nature Nanotechnology, viser ei slags to-del epoxyd tilnærming til å enkelt plassere nanorørene i høgt tetthet. Medforfattaren til studien, James Hannon, som er materialvitskapar ved IBM, sa at det finst få realistiske etterfølgjarar til trona til silisium. "Problemet er at du må setja det i produksjon på ein tidsskala på 10 eller 15 år, så knekka må arbeidd ut i dei neste få åra", sa han. "Om du ser på alle mulighetane der ute, er det svært få som faktisk har produsert ein elektronisk enhet som ville overgå silisium - det finst eksotiske ting der ute, men dei er alle enno i 'PowerPoint-stadiet'". Sjølv om enkelt nanorør har vist mykje overlegne fart- og energikarakteristika i labodemonstrasjonar, har utfordringa vore i såkalla integrering - å få milliarder av dei plassert på ein chip med den presisjonen som industrin no krev. For å løysa integrasjonsutfordringa kom Dr. Hannon og kollegaane hans med ei løysing - faktisk to av dei. Den første var ei kjemikalie som lagar nanorør og gjer dei oppløyselege i vatn. Den andre var ei løysing som bind til den første kjemikalien og til elementet hafnium, men ikkje til silisium. Dei "dopplet" då chippa inn i dei to løysingane - eit kjemisk middel som la til hafnium, og det andre kjemisk mediet som den andre delen av ein to-del epoksyd, som knytte nanorør til hafnium-områda på chippa, men ikkje til silisium. "Det er ein nanorør på 150 eller 200 (milliardtedeler av ein meter) eller noko slikt", forklarte Dr. Hannon. "Det er ikkje god nok til å laga ein mikroprosessor enno - det er ein faktor på 10 unna. "Men det er ein faktor på 100 betre enn det som har vore gjort tidlegare". Demonstrasjonen er ein "stor forbedring", men Dr. Hannon sa at fleire problem er framleis å løysa. Dei innleikar å finna meir effektive måtar å sortera gjennom nanorør - som er laga i ei bred variasjon av storlekar og typar - for å velje i stor mengd og med høg nøyaktighet den typen som er egnet for enhetene. Etingprosessen som fastsetter den endelige storleiken til ein transistor på chipet må òg forbedrast. For no har teamet modellisert kva det kan gjera med teknikken i den nåværende form - eit stort utvalg av transistorar, som kvar består av seks nanorør med 10 nanometer mellomrom. Modella deira tyder på eit 10-faldig spring i ytelse - ein chip som går med meir enn tre gonger så mange frekvensar og forbrukar berre ein tredjedel så mykje energi. Men på lengre sikt ville nanorør-chips gå opp mot dei same grensene som silisium står overfor; som Dr. Hannon seier, "vi er avgrensa av storleiken på eit atom i det siste". "Men dette gjev oss i det minste ein måte å få ytelse på medan vi krymper enheten".
Vitskapsmenn har vist fram metoder som kan gjera høgare ytelsesevne på dataspinnen som er laga av små kolstørr som blir kalla nanorør.