Рост эпитаксиальных пленок GaInAs<i>/InAs в поле температурного градиента и исследование их поверхности
Представлены результаты экспериментальных исследований и математического моделирования роста четырехкомпонент-ных твердых растворов GaInAs на основе арсенида индия, в условиях зонной перекристаллизации в поле температурного градиента. Впервые определены коэффициенты распределения в системе Ga-In-As-Bi. Обсуждается влияние температуры, ее градиента и состава жидкой фазы на качество эпитаксиальных слоев твердых растворов. Рассмотрена модель эпитаксиального роста низкоразмерных структур по двум процессам на основе метода Монте-Карло для большого канонического ансамбля.