Особенности гальваностатического анодного окисления наноструктур Si <sub>3</sub>N <sub>4</sub>-Si в нитратном электролите на основе этиленгликоля.
Предложены механизмы формирования анодных оксидных пленок кремния при гальваностатическом анодировании наноструктур нитрид кремния - кремний, учитывающие лимитирующую стадию образования промежуточного соединения оксида кремния и его последующее взаимодействие с нитрит-, нитрат- и гидроксид-анионами с образованием диоксида кремния.