Измерение компонент тензора удельной электропроводности анизотропных полупроводниковых пластин модифицированным методом Ван дер Пау
На основе решения краевых задач электродинамики предлагается оригинальная методика измерения контактным методом компонент тензора удельной электропроводности анизотропных полупроводниковых пластин квадратной формы. Омические токовые и измерительные контакты располагаются на периметре образца согласно наиболее часто используемым в практике схемам Ван дер Пау. Полученные выражения представлены в виде полиномиальных зависимостей от параметра анизотропии исследуемого образца. Проведена экспериментальная проверка на полупроводниковых монокристаллах CdSb и CdAs2.