ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>P С АТОМНЫМ УПОРЯДОЧЕНИЕМ
В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1- xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенныч MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводят к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции. Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме отражения - пропускания, впервые определены основные оптические характеристики твердых растворов GaxIn xP с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.