МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ СОСТОЯНИЙ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК "ЯДРО/ОБОЛОЧКА" CdSe/CdS И CdSe/ZnS
Проведено моделирование свойств квантовых точек «ядро/оболочка» с ядром CdSe различного диаметра, покрытых оболочкой из полупроводниковых CdS и ZnS. Произведена оценка влияния природы оболочки на положение валентной зоны и зоны проводимости квантовых точек, определена ширина запрещенной зоны.