Эпитаксиальные пленки Nd<sup>3+</sup>:ГГГ и Cr<sup>4+</sup>:ГГГ для применения в неодимовых лазерах
Разработана эффективная технология выращивания монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната, легированного ионами Nd3+ или Cr и Ca, толщиной до 100 мкм на подложках как малого (5-8 мм), так и большого диаметра (до 76 мм) методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Проведены исследования спектрально-люминесцентных характеристик полученных пленок и оптических потерь на длине волны 1 мкм в зависимости от условий роста и состава раствора-расплава. Показано, что в пленках образуются ионы Cr4+, и эти пленки могут быть использованы в качестве пассивных модуляторов добротности в лазерных схемах.