ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ТИПЫ ПРОВОДИМОСТИ И ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩИЕСЯ СИЛЫ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ CEXSN1-XSE
Проведены исследования термоэлектродвижущейся силы (термо-э.д.с.) S, проводимости в твердых растворах CexSn1-xSe (х = 0,00-0,035) в области температур 80-400 K. Обнаружена смена знака S с p- на n-тип и уменьшение σ с ростом Се. Оценены энергии активации примесных областей. Поведение S(Т) и σ(Т) обусловлено возрастанием дефектности кристаллической решетки. В составе CexSn1-xSe (х = 0,00-0,035) величина термо э.д с Ѕ (Ѕ ˃ 0) уменьшается и при х = 0,025 меняет знак на отрицательный. Аналогичное уменьшение электропроводимости наблюдается до х = 0,020; затем с ростом содержания Ce возрастает. По-видимому, такие изменения Ѕ и σ обусловлены процессом заполнения вакансий олова и изменением антиструктурных дефектов селена. Это приводит к снижению концентрации носителей заряда. С дальнейшим увеличением содержания Ce образования антиструктурных дефектов почти не происходит, но, по-видимому, появляются носителей заряда другого типа, что приводит к росту электропроводности. Такое поведение Ѕ с изменением содержания Ce в CexSn1-xSe можно объяснить, так в SnSe существует в основном два вида дефектов: вакансии Sn и антиструктурные дефекты селена причем часть нейтральных атомов Sn располагается в междуузлиях решетки SnSe.