Зависимость энергетического разрешения полусферического полупроводникового детектора от напряжения смещения
В данной работе показано, что разложение в ряд по величине обратного напряжения смещения амплитуды и дисперсии сигнала полупроводникового полусферического детектора позволяет определять фактор Фано, величину произведения времени жизни и подвижности электронов, степень неоднородности плотности ловушек полупроводникового материала и относительную дисперсию коэффициента усиления электронного усилителя. Важным преимуществом предложенного метода является его независимость от коэффициента усиления и шумов электронного тракта.