Поля температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора
Проведено экспериментальное исследование температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора КТ819ГМ в металлическом корпусе при различных рассеиваемых мощностях. Выделены режимы тепловой неустойчивости и условия выхода из строя транзисторов при определенных электрических режимах работы.