О СПОСОБЕ УВЕЛИЧЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ В СХЕМАХ NOR И OR, ФОРМИРОВАННЫХ НА БАЗЕ ПОЛЕВЫХ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ
В данной работе проводится анализ возможности увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, сформированных на базе полевых гетеротранзисторов. Предлагается способ увеличения плотности рассматриваемых элементов, базирующийся на формировании гетероструктуры специфической конфигурации, легировании необходимых ее участков с помощью диффузии и ионной имплантации, а также оптимизации отжига примеси и/или радиационных дефектов. Проводится сравнительный анализ формирования данных транзисторов с помощью диффузии и ионной имплантации.