О фотопроводимости TlInSe<sub>2</sub>
Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe2. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, τ ≈ 103 с, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового Edr ≈ 0.1 эВ и рекомбинационного Er ≈ 0.45 эВ барьеров.