Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT c диэлектрическим слоем Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости и проводимости органической МДП-структуры при температуре 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 2 МГц. Показано, что измеряемые значения емкости и проводимости существенно зависят от толщины диэлектрического слоя, толщины и удельной проводимости органической пленки, параметров поверхностных ловушек, частоты и напряжения смещения. Описаны способы определения значений основных элементов эквивалентной схемы для корректной характеризации ловушек на границе раздела неорганический диэлектрик - органическая пленка.