ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РАДИАЦИОННО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A3B5
На основе теории функционала плотности и метода специальных точек выполнены расчеты электронной структуры и энергетического положения уровня локальной зарядовой нейтральности CNL для широкой группы соединений A3B5 с решетками сфалерита и вюрцита с использованием различных эвристических моделей. Сравнение с экспериментальными значениями положения предельного уровня Ферми в облученных полупроводниках показывает тесную близость теории и эксперимента. Полученные результаты могут применяться для оценки высоты барьера металл/полупроводник, разрыва зон в полупроводниковых гетеропарах, а также анализа электронных характеристик поверхности материала.