СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs ГЕТЕРОФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ГОЛОГРАФИЧЕСКИМ КОНЦЕНТРАТОРОМ
Изучены фотоэлектрические процессы в GaAs/AlGaAs гетероструктурных солнечных элементах со спектральной чувствительностью в диапазоне 450 ≤ λ≤ 850 нм при освещений голографическим концентратором. Показано, что с ростом концентрации солнечного потока до 10 крат при линейном росте тока короткого замыкания напряжение холостого хода и коэффициент полезного действия достигает своего максимального значения.