Высокостабильные высокотемпературные микроэлектромеханические преобразователи нового поколения на основе гетероструктуры кремний-на-изоляторе
На основе анализа физико-технологических проблем, сдерживающих повышение технического уровня полупроводниковых датчиков давления для информационно-измерительных и управляющих систем, рассмотрены некоторые аспекты создания микроэлектромеханических преобразователей нового поколения на основе гетероструктуры кремний-на-изоляторе с монолитной интегральной тензорамкой.