Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи - разработка теории, которая в полной мере описывает квантово-механические процессы в изучаемой структуре. Проведённый расчет в рамках предлагаемого алгоритма транспортного времени показал, что разработанная теория с высокой точностью описывает механизм рассеяния двумерных носителей на ионах донорной примеси в активном слое InAs. Установлено, что время жизни, ограничивающее подвижность двумерных носителей, при рассеянии на ионах примеси порядка 10-12 с.