ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ С ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Исследовано взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах. Показано, что электрическое поле дислокации возбуждает электронные переходы между энергетическими уровнями атомов, что приводит к потере энергии. Получено и исследовано выражение для силы торможения, действующей на единицу длины дислокации при малых и больших скоростях ее движения.