Получение фотоактивных структур Si( <i>n</i> <sup>+</sup>)/Si( <i>p</i>)/Si( <i>p</i> <sup>+</sup>) методом ионно-лучевой кристаллизации
Разработана физико-математическая модель массопереноса при ионно-лучевой кристаллизации. Рассмотрено получение фотоактивных структур Si(n +)/Si(p)/Si(p +) на подложках 100 мм методом ионно-лучевой кристаллизации. Определены оптимальные условия этого процесса: остаточное давление в ростовой камере — 10 −4 Па; температура подложки — 550 °C; плотность ионного тока — 2 мА/см 2; ускоряющее напряжение пучка — 400 В; расстояние «мишень — подложка» — 150 мм. Данные сканирующей электронной микроскопии показывают, что выращенные фотоструктуры имеют практически бездефектную поверхность. Установлено, что фотоструктуры Si(n +)/Si(p)/Si(p +) характеризуются внешним квантовым выходом более 90 % в диапазоне длин волн 550—900 нм (спектр AM 1,5) при следующих условиях: толщина фронтального слоя Si(n +) 100 нм, уровень легирования n + = 5·10 18 см −3, толщина слоя Si(p) 130 мкм, уровень легирования p = 2·10 16 см −3, толщина слоя Si(p +) 500 нм, уровень легирования p + = 1·10 18 см −3.