ВЛИЯНИЕ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/AlGaAs
Рассматриваются проблемы эволюции энергетического положения максимума линии фотолюминесценции свободных экситонов в высококачественных гетероструктурах GaAs/AlGaAs после оптического возбуждения короткими лазерными импульсами при высоких уровнях оптического возбуждения 5 · 10 14-2 · 10 18 см -3. Обсуждается влияние экранирования кулоновского и межэкситонного обменного взаимодействий. Данные эффекты давали поправки к энергии уровня свободных экситонов разного знака, при этом второй эффект был чувствителен к степени ориентации спинов экситонов и проявлялся в расщеплении положений максимума энергии экситонов с проекциями углового момента +1 и -1. Величина расщепления пропорциональна плотности экситонов и степени их циркулярной поляризации и достигает 1,5 мэВ.