Анализ точности контактного метода измерения площади кристаллов, выращиваемых способом Чохральского
На основе контактного метода измерения рассмотрены основные требования для обеспечения точности измерения площади кристалла, выращиваемого из жидкого расплава по способу Чохраль-ского, на цилиндрической части. В системе управления по координатам перемещения кристалла и тигля обосновано применение фотосчитывающих оптических линеек с дискретностью отсчёта 0,1 мкм. Предложен алгоритм работы установки выращивания кристаллов на основе управления условиями замыкания датчика уровня расплава в тигле, что обеспечивает точность измерения текущей площади кристалла величиной ниже 1 %.