Исследование вида зависимости коэффициента полезного действия маломощных полупроводниковых лазеров от мощности, потребляемой от источника питания
В работе приведены результаты исследования зависимости коэффициента полезного действия полупроводникового лазера от мощности, потребляемой от источника питания. Зависимость КПД маломощного лазера от потребляемой мощности имеет четко выраженный максимум, наличие которого объясняется достижением излучающим кристаллом некоторой критической температуры, после которой увеличение потребляемой мощности ведет к увеличению излучаемой, но эффективность процесса преобразования энергии уменьшается. Абсолютное значение излучаемой мощности определялось тепловым методом.