ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ВЛИЯНИЯ ДОЛИ О<sub>2</sub> НА ПОКРЫТИЯ TiO<sub>х</sub> ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Получены покрытия TiOх методом магнетронного распыления на стеклянную подложку, с последующим вакуумным фотонным отжигом модифицирующим покрытия. Абсолютно все полученные в процессе магнетронного напыления образцы содержали в своём составе нестехиометрические фазы, причём разным концентрациям O2 в плазме соответствовали, в целом, различные нестехиометрические оксиды, что может говорить о предпочтительном образовании различных фаз TiO2 через различные нестехиометрические фазы. Показано, что с увеличением концентрации кислорода в плазме магнетрона структура покрытий переходит от аморфной к анатазно-рутильной (с преобладанием анатаза). Проведены рентгеновские исследования полученных образцов покрытий устанавливающих роль кислорода в процессе кристаллизации TiOx-покрытий, влияние вакуумного фотонного отжига на формирование фазы анатаза. Установлено что термообработка фотонным вакуумным отжигом при достаточно низких значениях температур (350 °C) способствует перекристаллизации всех присутствующих в покрытии фаз в анатазную.