ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ПОВЕРХНОСТНО СТРУКТУРИРОВАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МИКРОВОЛНОВОЙ ПЛАЗМЫ АРГОНА
С использованием атомной структуры поверхности кристаллов кремния, явлений самоорганизации при осаждении субмонослойных углеродных покрытий и высокоанизотропного микроволнового плазмохимического травления получены катодные матрицы с наноструктурированными эмиссионными центрами. Исследована взаимосвязь их морфологических и автоэмиссионных характеристик. Показано, что наноструктурирование поверхности позволяет более чем на одну треть уменьшить пороги возбуждения автоэмиссии и практически на два порядка увеличить максимальные плотности автоэмиссионных токов, которые на кристаллах кремния n-типа могут достигать 5,7 мА/см2.