Формирование низкопористых слоев фосфида индия с заданным уровнем качества
Для возможности формирования наноструктурированных слоев на поверхности полупроводников с регулируемыми свойствами разработан морфологический критерий качества. Получены слои низкопористого фосфида индия с мезопористой структурой. Пористые слои формировались методом электрохимического травления в растворе соляной кислоты при постоянной плотности тока. Согласно разработанного критерия проанализированы качество синтезируемых образцов por-InP. Это позволит изготавливать структуры с пористыми слоями на поверхности в промышленных масштабах. Представленный критерий может быть применен для других режимов обработки фосфида индия, или для других полупроводников. Это позволяет рассматривать его как универсальный морфологический критерий качества пористых структур. Установлена корреляция между морфологическими свойствами пористых структур на поверхности фосфида индия и условий травления. Для этого были проанализированы пористые структуры, коротые формировались в интервале времени травления от 10 до 20 мин при различной концентрации кислоты в электролите. В результате установлено, что форма пор наноструктурированных слоев на поверхности полупроводников зависит не только от параметров кристалла, но и от условий травления, в частности от времени травления и состава электролита. Применение насыщенных электролитов приводит к формированию массивных пор, имеющих форму канавок - вытянутые эллипсы. Полученные корреляции полезны с практической точки зрения, так как позволяют обоснованно подходить к определению режимов электрохимической обработки полупроводников. Кроме того, это открывает новые перспективы в построении модели самоорганизации пористой структуры на поверхности полупроводников. Представлена методика расчета основных статистических характеристик ряда распределения пор по размеру, в частности размах вариации, дисперсию, среднее отклонение, коэффициенты вариации и асимметрии. Это позволяет более детально оценивать морфологические показатели пористых структур и продвинуться в понимании механизмов, лежащих в основе порообразования на поверхности полупроводников при электрохимической обработке