Спектральные характеристики поглощения в эпитаксиальных структурах на основе <b>InAs</b> при температурах 80 К и 300 К
В работе исследованы эпитаксиальные структуры n- InAs, выращенные на сильнолегированной подложке n ++- InAs методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Представлены экспериментально полученные спектры показателя поглощения n ++- InAs при 83 К и 300 К. Проведено сравнение спектральных зависимостей доли поглощаемого в эпитаксиальном слое излучения при облучении со стороны подложки с различным уровнем легирования n = (0,6-3,3)·10 18 см -3.