КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 2Т937
В статье изложена методика моделирования статических входных и выходных характеристик на примере кристалла биполярного транзистора 2Т937 на основе распространенной базовой модели Гуммеля-Пуна биполярного транзистора. Найдены оптимальные значения параметров эквивалентной схемы Гуммеля-Пуна, представлены результаты расчетов входных и выходных статических характеристик транзистора. Результаты моделирования статических характеристик могут использоваться в качестве первого приближения для последующего решения задачи оптимизации частотных характеристик ( S -параметров) транзистора по модели Гуммеля-Пуна.