ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОСИСТЕМЫ Si/Si-O<sub>y</sub>-Si<sub>4-y</sub> СРЕДСТВАМИ КОМПЬТЕРНОЕО МОДЕЛИРОВАНИЯ
Методом компьютерного моделирования Монте-Карло смоделирована атомная система 81-Оу-81+у Анализ результатов вычислительного эксперимента выявил некоторые особенности! структуры тонкого оксида кремния, в частности, функция радиального распределения g(r)SІ_O демонстрирует нарушение порядка в расположении атомов 8! и О; наблюдается уменьшение значения угла Si-O-Si связи вблизи поверхности; граничная концентрация кислорода, при которой образуется кремниевый кластер, равняется 0.9 от стехиометрического значения.