ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4 МИКРОЧИП-ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНОЙ ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ
Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er,Yb:YAl3(BO3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.