Исследование физических процессов в алмазных датчиках УФ излучения на основе спектральных и вольт-амперных характеристик
Изучение фотоэлектрических свойств алмазных датчиков актуально для разработки систем на их основе, применяемых в различных областях. В настоящей работе описаны результаты проведённых экспериментальных исследований данных свойств. Спектральные характеристики фоточувствительности алмазных датчиков УФ излучения существенным образом различаются по форме в зависимости от напряжения смещения. Полученные в работе данные представляют собой серию спектров фоточувствительности, снятых при незначительных изменениях приложенного напряжения смещения от спектра к спектру и объединённых в трёхмерные спектрально-вольт-амперные характеристики. При работе с полученными данными предложен метод исследования физических процессов в алмазных датчиках УФ излучения с помощью нормирования спектрально-вольт-амперных характеристик.