Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100]
Проведено исследование свойств нелегированных и легированных крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] с целью использования их в качестве материала для подложек при создании ИК-фотоприемных устройств нового поколения. Установлено, что неоднородность электрических свойств в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида индия, ориентированных в направлении [100], не превышает 10—16 %. Средняя плотность дислокаций в этих монокристаллах составляет 7,0 × 10 1 см -2, и распределение их по диаметру пластин с ориентацией (100) гораздо более равномерно, чем в пластинах с ориентацией (211). Проведено исследование микроструктуры сильнолегированных теллуром монокристаллов антимонида индия. Установлено, что средняя плотность дислокаций в них не превышает значения 1 × 10 2 см -2. Введение теллура в количестве, обеспечивающем концентрацию основных носителей более 1,5 × 10 18 см -3, приводит к появлению включений второй фазы. Показано, что в образцах с концентрацией носителей ~6,9 × 10 17 см -3 величина оптического пропускания в интервале длин волн 3—5 мкм составляет не менее 40 %.