Импедансная спектроскопия нитевидных кристаллов Sі в области перехода металл-диэлектрик
В результате выполненных исследований электропроводности нитевидных кристаллов Si с диаметрами 40x10-6 м, легированных примесью бора до концентраций вблизи перехода металл-изолятор (ρ300К =0,94 - 1,68x10-4 Ом м) в температурном интервале 4,2-70 К, частотном диапазоне 0,01-250x103 Гц обнаружено, что импеданс образцов в зависимости от температуры имеет емкостный (4,2 - 20 К) и индуктивный (30-70 К) характер, величина которого зависит от концентрации легирующей примеси. Исходя из результатов исследований кристаллов методом импедансной спектроскопии обсуждены отличия поведения импенданса образцов с различной концентрацией легирующей примеси.