ОДНОУРОВНЕВАЯ МОДЕЛЬ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ТРАНЗИСТОРЫ
В работе приведена одноуровневая модель для определения константы радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе n-p-n транзисторов при облучении быстрыми электронами, DLTS спектры области базы n-p-n транзисторов и результаты расчетов.