Амплитудный дефект SiC-детекторов при регистрации ускоренных ионов Хе
Представлены характеристики детекторов, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC). Показано, что разработанные детекторы обладают хорошими спектрометрическими характеристиками при регистрации α-частиц с энергиями до 8 МэВ. Измерен дефект амплитуды импульса в SiC-детекторах при облучении ускоренными ионами ксенона с различными энергиями. Показано, что этот параметр при спектрометрии ионов Хе составляет ~45% от истинной энергии этих частиц.