ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОСЛОЙКИ НА электрические и МАГНИТНЫЕ свойства МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ {[(Co <sub>41</sub>Fe <sub>39</sub>B <sub>20</sub>) <sub>33.9 </sub>(SiO <sub>2</sub>) <sub>66.1</sub>]/[In <sub>35.5</sub>Y <sub>4.2</sub>O <sub>60.3</sub>]} <sub>93</sub>
Исследовано влияние толщины полупроводниковой прослойки In 35.5Y 4.2O 60.3 на электрические, магнитные и магниторезистивные свойства многослойной системы {[(Co 41Fe 39B 20) 33.9(SiO 2) 66.1]/[In 35.5Y 4.2O 60.3]} 93. Установлено, что толщина полупроводниковой прослойки оказывает определяющее значение на исследуемые свойства. Предложена физическая модель наблюдаемых изменений свойств