Технология формирования покрытий на светодиодных гетероструктурах методом магнетронного распыления на примере нанесения пленок ITO
Приводится изучение эффективности отвода заряженных частиц от подложки и растущей плёнки ITO, наносимой методом реактивного магнетронного распыления, используя различные отклоняющие системы. Установлено, что применение магнитной отводящей системы позволило уменьшить энергию электронов, достигающих подложки в пять раз, а концентрацию заряженных частиц - в 13 раз. При этом показано, что плёнки ITO, напыляемые при таких условиях, растут без дефектов.