Si/Ge pin фотодиод с множественными квантовыми ямами
В работе приведены расчеты темнового тока, фототока и быстродействия pin фотодиода с квантовыми структурами на основе Si с Si/Ge гетероструктурой. Полученные результаты позволили провести анализ и сформулировать рекомендации по выбору конструкции Si pin фотодиода для различных сфер применения на длине волны 1,55 мкм