ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ БАРЬЕРОВ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ ХАРАКТЕРИСТИК РТД НА ОСНОВЕ GaN/AlGaN С ВЕРТИКАЛЬНЫМ ТРАНСПОРТОМ
В докладе приведены результаты моделирования вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе GaN/AlGaN с вертикальным транспортом с использованием предложенной комбинированной модели. Модель основана на численном решении уравнений Шредингера и Пуассона в активной области прибора. Рассмотрены случаи с барьерами из AlGaN различной толщины.