РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ
Определены зоны и плотности состояний N(E) теллурида кадмия в интервале от -61 до 33 эВ относительно максимума валентных зон с учетом спин-орбитального взаимодействия и без его учета, а также парциальные вклады s -, p -, d -состояний обоих компонент соединения в формирование зон и N(E). Расчеты выполнены методом FP-LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA) с помощью пакета программ WIEN2k.