Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg<sub>1-<i>x</i></sub>Cd<i><sub>x</sub> </i>Te (<i>x</i> = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур
Рассмотрены особенности электрофизических свойств n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) с диэлектриками Al2O3 или SiO2/Si3N4. Пленки HgCdTe были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров МДП-структур на основе n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из адмиттанса структур, измеренного в широком диапазоне температур и частот.