Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура р-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/р-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление Rsh · Sc = 879Ом· см2, последовательное сопротивление Rs · Sc = 8.5Ом· см2, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера р-n-перехода Ф = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 0 составили 6.4 · 10-6мА · см-2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7 · 10-3 мА · см-2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.