Потери на ионизацию газовых включений и неполный пробой диэлектриков на основе стекла
Выведена формула относительной плотности тока при ионизации газовых включений в диэлектрике, которая объясняет увеличение диэлектрических потерь, уменьшение результирующей диэлектрической проницаемости и электрической прочности. Показано, что с увеличением размеров газовых включений значение тока ионизации уменьшается, зависимость электрического поля от напряженности становится пологой кривой, насыщение наступает при меньших значениях Е. Исследуется явление неполного пробоя стекла за счет ионизации воздушных включений, выведена формула для пробивной напряженности Е пр при разрушении стекла по микротрещинам, рассчитаны значения Е пр для многих неорганических материалов, щелочно-галоидных соединений, стекол. Рассматривается явление электрического упрочнения диэлектриков в магнитном поле. Магнитное поле уменьшает ток ударной ионизации и увеличивает электрическую прочность. Влияние магнитного поля зависит от подвижности носителей заряда, поэтому электрическое упрочнение должно наблюдаться в материалах с большой подвижностью зарядов.