Изучение влияния дефектов в зародышевых cлоях AlGaN на утечки в гетероструктурах для транзисторов с высокой подвижностью электронов
Исследован вопрос улучшения морфологии рельефа зародышевых слоев нитридных гетероструктур на подложках сапфира, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ). Установлено, что при осаждении высокотемпературных слоев AlGaN, в отличие от AlN, галлий может выступать в качестве автосурфактанта, способствуя установлению двумерного режима роста. Показано, что использование зародышевых слоев с улучшенной морфологией поверхности позволяет снизить токи утечек в гетероструктурах для ТВПЭ на несколько порядков. На основе гетероструктуры с минимальными токами утечек изготовлены тестовые транзисторы с длиной затворов L G=0,15 мкм, демонстрирующие Ft до 71 ГГц и Fmax до 172 ГГц, что приближается к результатам, полученным на гетероструктурах, выращенным методом газофазной эпитаксии (MOCVD).