ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ТЕРМИЧЕСКОЙ ЭМИССИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
В работе получено выражение для вероятности перехода с рекомбинационного центра с учетом электрон-фононного взаимодействия. Показано, что с ростом тепловыделения, которое определяет величину дисперсии форм-функции перехода, вероятность перехода быстро возрастает. Это может приводить к высоким значениям обратного тока полупроводниковых структур, в области пространственного заряда которых содержаться вакансионно-примесные комплексы.