Связь параметров фототока светодиодов на основе GaN гетероструктур с изменением их характеристик при термотоковых испытаниях
Кратко описан аппаратно-программный комплекс для измерения распределения уровня фотоэлектрического отклика по поверхности светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) при их локальном фотовозбуждении лазерным излучением в стационарном и динамическом режимах. Приведены результаты измерения распределения уровня фототока по площади светодиодных GaN-гетероструктур в статическом режиме и режиме гармонической модуляции интенсивности фотовозбуждения. Показано, что относительный разброс значений фототока на краях структуры выше, чем в центре, что подтверждается измерением предельных частот фотоотклика при гармоническом фотовозбуждении. Установлено, что уровень фототока при фотовозбуждении гетероструктур более длинноволновым излучением имеет больший разброс, что объясняется увеличением доли фототока, генерируемого с дефектных уровней. Представлены результаты изменения параметров фототока и оптических характеристик светодиодов в процессе термотоковых испытаний. Впервые показано, что спектр интегрального фототока светодиодов на основе GaN- гетероструктур в результате термотоковых испытаний смещается в длинноволновую область. При этом изменение среднего уровня фототока сильно коррелирует с измерением уровня электролюминесценции, то есть характеризует темп деградации гетероструктур. Отмечается, что разброс уровня интегрального фототока УФ-светодиодов заметно превышает разброс, наблюдаемый у светодиодов синего и зеленого свечения. Оценки показали, что коэффициент спада фототока в процессе испытаний для всех типов исследуемых светодиодов заметно коррелирует с начальным уровнем фототока. Обсуждаются возможности разработки на основе полученных результатов промышленно-ориентированной методики диагностики качества светодиодов по параметрам фотоэлектрического отклика.