Исследование спектральных зависимостей оптического поглощения в кристаллах силленитов, подвергнутых отжигу
Представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектральных зависимостей оптического поглощения в спектральном диапазоне 400–1100 нм в кристаллах Bi 12SiO 20, подвергнутых отжигу в вакууме при температурах от 620 до 785 °C и последующему поэтапному отжигу в воздушной атмосфере в диапазоне температур 160– 390 °C, а также облучению лазерными импульсами с длиной волны λ = 1064 нм. Обнаружены различия в спектральных зависимостях оптического поглощения и чувствительности к вакуумному отжигу и ИК-засветке для нелегированных кристаллов Bi 12SiO 20, имеющих разное происхождение. Проведена численная аппроксимация наблюдаемых спектральных зависимостей коэффициента поглощения.