Эффект Холла в структуре Si/SiO <sub>2</sub> c нанокластерами никеля в порах диокосида кремния
Приводятся результаты исследования эффекта Холла в структуре Si/SiO 2 с нанокластерами Ni в порах диоксида. Показано, что отрицательный знак эффекта определяется механизмами переноса заряда и особенностями зонной структуры. В области низких температур положительные значения холловского напряжения связаны с аномальным вкладом в эффект ферромагнитного металла из-за дополнительного рассеяния носителей заряда с различной степенью спиновой поляризации.