О возможности уменьшения пороговой энергии Оже-генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках при двухчастичных столкновениях за счет отклонения от прямозонности
Проанализирован характер зависимости пороговой энергии ударной генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках при двух частичных столкновениях от степени непрямозонности полупроводника. Показано, что эта зависимость ассиметрична и немонотонна относительно взаимного импульсного расположения зоны проводимости и валентной зоны, причем минимальная пороговая энергия меньше, чем в прямозонном полупроводнике.