Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe : Ti
Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe : Ti в видимой и ИК-областях спектра. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe : Тi обусловлена оптическими переходами электронов с основного состояния 3A2(F) на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe : Тi осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Ti2+.