Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y
Определены оптимальные технологические условия выращивания многокомпонентных эпитаксиальных пленок твердых растворов (GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe) с заданными физическими свойствами методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что наиболее оптимальными являются приведенные условия выращивания тонких пленок из оловянного раствора-расплава в диапазоне значений температуры 730-630, 650-550 °С со скоростью охлаждения подложки 1 град/мин. При этом пленки имели толщину 10 мкм и p-тип проводимости. Для омических контактов к таким полупроводниковым твердым растворам использованы Sn, Au, In, сплавы (In-Ga) и (Ge-Ag). Определено, что подвижность носителей тока зависит от состава, структурного совершенства эпитаксиальных слоев и энергии ионизации атомов составляющих компонентов, которые имеют значения 0,19, 0,07, 0,029 эВ. Установлено, что в гетероструктурах типа n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y, полученных при температуре 750 °С токопрохождение определяется туннельно-рекомбинационным зарядом, а в образцах, полученных при температуре 730 °С - токами ограниченными объемными зарядами. Определено также, что на гетерогранице образуется область с более высоким удельным сопротивлением, толщина которого в зависимости от условий роста тонких пленок, от 0,2 до 0,5 мкм.