Морфология и структурные свойства эпитаксиальных пленок AlGaInSbAs, выращенных на подложках InAs
Обсуждается влияние условий выращивания на морфологию поверхности и структурные свойства твердых растворов AlGaInSbAs, полученных на подложках арсенида индия. Определены оптимальные параметры процесса выращивания (T G ≤ 60 K/см, l > 80 мкм) изопериодных пленок AlGaInSbAs на подложках InAs с высоким структурным совершенством BH/2 xGayIn1 –x–ySbzAs1 –z и достигает величины Δa = 1.8 × 10–2 Å. В случае изменения концентрации сурьмы рассогласование решеток достигает Δa = 7.2 × 10–3 Å при z = 0.5 моль доли.