Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In<sub>x</sub> Ga<sub>1</sub> _<sub>x</sub>As (x > 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-tempe- rature grown GaAs, LT-GaAs) и InxGa1_xAs c повышенным содержанием индия (x > 0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в Inx Ga1 _xAs в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью Inx Ga1 _xAs при x > 0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In0.38Gao.62As и на 64% для антенны на основе Ino.53Gao.47As.