Perbandingan elektron igkang betah ngelintasi basis lan gayuh kolektor inggih punika ukuran saking efisiensi transistor. Pengotoran cerat ing laladan emitor lan pengotoran ringan ing laladan basis njalari langkung kathah elektron ingkang dipuninjeksiaken saking emitor ing basis manawi lubang ingkang diinjeksiaken saking basis ing emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor dipunwakili déning βF atau hfe, punika kinten-kinten sami kaliyan perbandingan arus DC kolektor kaliyan arus DC basis ing laladan aktif-maju. Punika limrahipun langkung ageng saking 100 kanggé transistor isyarat alit, nanging bisa sangat cendhèk, mliginipun ing transistor ingkang dipundésain kanggé penggunaan daya inggil. Parameter ingkang wigati sanèsipun inggih punika penguatan arus tunggal-basis, αF. Penguatan arus tunggal-basis kinten-kinten inggih punika penguatan arus saking emitor ing kolektor ing laladan aktif-maju. bantenipun limrahipun nyeraki satunggal, ing antawisipun 0,9 lan 0,998.