context: In the semiconductor industry, infrared light can be used to characterize materials such as thin films and periodic trench structures. By measuring the reflectance of light from the surface of a semiconductor wafer, the index of refraction (n) and the extinction Coefficient (k) can be determined via the Forouhi-Bloomer dispersion equations. The reflectance from the infrared light can also be used to determine the critical dimension, depth, and sidewall angle of high aspect ratio trench structures.
question: క్రిటికల్ డైమెన్షన్ (critical dimension) మరియు లోతుతో పాటు, హై ఆస్పెక్ట్ రేషియో ట్రెంచ్ (high aspect ratio trench) నిర్మాణాలకు సంబంధించి పరారుణ కాంతి ప్రతిబింబం ఏది ఉపయోగించబడుతుంది?
answers: sidewall angle