Los elementos del grupo V tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes; la sustitución de estos átomos x silicio crea un electrón libre adicional. Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un semiconductor de tipo p, mientras que uno dopado con fósforo da lugar a un material de tipo n.

 Durante la fabricación, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del semiconductor x contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado, o bien puede utilizarse la implantación de iones para posicionar con precisión las regiones dopadas. 

 Semiconductores amorfos. 
 Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo, tienen propiedades semiconductoras.
Los elementos del grupo V tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes; la sustitución de estos átomos por silicio crea un electrón libre adicional. Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un semiconductor de tipo p, mientras que uno dopado con fósforo da lugar a un material de tipo n.

 Durante la fabricación, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del semiconductor por contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado, o bien puede utilizarse la implantación de iones para posicionar con precisión las regiones dopadas. 

 Semiconductores amorfos. 
 Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo, tienen propiedades semiconductoras.
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