hat
ON la nan 1200 volt (V), 80 milliohm (mΩ), SiC MOSFETs fè yon koule ki ba aktyèl, yon dyòd dyod entrizik ki ba chaj rekiperasyon ranvèse, ki bay apik rediksyon pouvwa pèt ak sipò pi wo operasyon frekans ak pi gwo dansite pouvwa, ak ba EON ak vire / vit vire SOU ak OFF konbine avèk ba avanse vòltaj diminye pèt pouvwa total ak Se poutèt sa refwadi kondisyon.
aze
ON-un 1200 volt (V), 80 mlohm (mΩ), SiC MOSFETs aşağı sızma axını, aşağı geri bərpa yükü olan sürətli güclü diodu gücləndirir, güclü enerji itkisi azaldır və daha yüksək tezlikli əməliyyat və daha yüksək enerji sıxlığını təmin edir və aşağı Eon və Eoff / fast gücünü azaldır və buna görə də soyutma tələblərini azaltmaq üçün aşağı irəli gərginliklə birləşdirilir.