Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS, pronounced "see-moss"), also known as complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fabrication process that uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type MOSFETs for logic functions. CMOS technology is used for constructing integrated circuit (IC) chips, including microprocessors, microcontrollers, memory chips (including CMOS BIOS), and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for analog circuits such as image sensors (CMOS sensors), data converters, RF circuits (RF CMOS), and highly integrated transceivers for many types of communication. Mohamed M. Atalla and Dawon Kahng invented the MOSFET at Bell Labs in 1959, and then demonstrated the PMOS (p-type MOS) and NMOS (n-type MOS) fabrication
El metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS), también conocido como metal-óxido-semiconductor complementario (COS-MOS), es un tipo de proceso de fabricación de transistor de efecto de campo metálico-óxido-semiconductor (MOSFET) que utiliza pares complementarios y simétricos de MOSFET de tipo p y de tipo n para funciones lógicas. La tecnología CMOS se utiliza para construir chips de circuitos integrados (IC), incluyendo microprocesadores, microcontroladores, chips de memoria (incluyendo CMOS BIOS), y otros circuitos lógicos digitales. La tecnología CMOS también se utiliza para circuitos analógicos como sensores de imagen (CMOS), convertidores de datos, circuitos RF (FR CMOS), y transmisores altamente integrados para muchos tipos de comunicación.