N-type metal-oxide-semiconductor logic uses n-type (-) MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) to implement logic gates and other digital circuits. These nMOS transistors operate by creating an inversion layer in a p-type transistor body. This inversion layer, called the n-channel, can conduct electrons between n-type "source" and "drain" terminals. The n-channel is created by applying voltage to the third terminal, called the gate. Like other MOSFETs, nMOS transistors have four modes of operation: cut-off (or subthreshold), triode, saturation (sometimes called active), and velocity saturation. Overview MOS stands for metal-oxide-semiconductor, reflecting the way MOS-transistors were originally constructed, predominantly before the 1970s, with gates of metal, typically aluminium. Since around 1970, however, most MOS circuits have used self-aligned
La lógica metálico-óxido-semiconductor de tipo N utiliza MOSFETs de tipo n (-) para implementar puertas lógicas y otros circuitos digitales. Estos transistores nMOS operan creando una capa de inversión en un cuerpo de transistor de tipo p. Esta capa de inversión, llamada el canal n, puede conducir electrones entre terminales de tipo n de "fuente" y "drenado". El n-canal se crea aplicando tensión al tercer terminal, llamado el puerto. Al igual que otros MOSFETs, los transistores nMOS tienen cuatro modos de operación: corte-off (o subthreshold), triodo, saturación (a veces llamado activo), y saturación de velocidad. La visión general de MOS se refiere al metal-óxido-semiconductor, reflejando la forma en que los MOS-transistores fueron originalmente construidos, predominantemente antes de los 1970s, la mayoría de los circuitos automáticos de aluminio, sin embargo, han sido utilizados desde 1970.