Flash memory is an electronic non-volatile computer memory storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. The two main types of flash memory, NOR flash and NAND flash, are named for the NOR and NAND logic gates. NOR and NAND flash use the same cell design, consisting of floating gate MOSFETs. They differ at the circuit level depending on whether the state of the bit line or word lines is pulled high or low. In NAND flash, the relationship between the bit line and the word lines resembles a NAND gate; in NOR flash, it resembles a NOR gate. Flash memory, a type of floating-gate memory, was invented at Toshiba in 1980 and is based on EEPROM technology. Toshiba began marketing flash memory in 1987. EPROMs had to be erased completely before they could be rewritten. NAND flash memory, however, may be erased, written, and read in blocks (or pages), which generally are much smaller than the entire device. NOR flash memory allows a single machine word to be written to an erased location or read independently. A flash
La memoria flash es un medio de almacenamiento electrónico de memoria de ordenador no volátil que puede ser borrado y reprogramado eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, se llaman por las puertas lógicas NOR y NAND. NOR y NAND flash usan el mismo diseño de célula, consistente en MOSFETs de puerta flotante. Se diferencian en el nivel de circuito dependiendo de si el estado de la línea de bit o de las líneas de palabra se tira alta o baja. En NAND flash, la relación entre la línea de bit y las líneas de palabra se parece a una puerta NAND; en NOR flash, se parece a una puerta NOR. La memoria flash, un tipo de memoria de puerta flotante, fue inventada en Toshiba en 1980 y se basa en la tecnología EEPROM. Toshiba comenzó a comercializar la memoria flash en 1987. Los EPROMs tuvieron que ser borrados completamente antes de que pudieran ser reescritos.