Способ твердофазного сращивания уже отработан для широкого класса кристаллов : полупроводниковых ( кремний , германий , бор , арсенид галлия ) , для квантовой электроники ( рубин , сапфир , гранаты , окись магния ) , пьезоэлектрических ( кварц , окись цинка ) , суперионных ( окись циркония , окись гафния ) .
способ$1500 твердофазный$1450 сращивание$1452 уже$36 отработать$1856 для$0 широкий$1622 класс$1538 кристалл$1592 :$0 полупроводниковый$1554 ($0 кремний$1500 ,$0 германий$1500 ,$0 бор$1500 ,$0 арсенид$1500 галлий$1538 )$0 ,$0 для$0 квантовый$1650 электроника$1454 ($0 рубин$1500 ,$0 сапфир$1500 ,$0 гранат$1630 ,$0 окись$1446 магний$1538 )$0 ,$0 пьезоэлектрический$1554 ($0 кварц$1500 ,$0 окись$1446 цинк$1538 )$0 ,$0 суперионный$1554 ($0 окись$1446 цирконий$1538 ,$0 окись$1446 гафний$1538 )$0 .$0