ترانزیستور چه کاری انجام می دهد؟
ترانزیستور
ترانزیستور، قلب تپندهٔ الکترونیک است. ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار دارد. در مدارات آنالوگ، ترانزیستور در حالت فعال کار می‌کند و می‌توان از آن به عنوان تقویت‌کننده یا تثبیت کننده ولتاژ (رگولاتور) و … استفاده کرد. در مدارات دیجیتال ترانزیستور در دو ناحیه قطع و اشباع فعالیت می‌کند که می‌توان از این حالت ترانزیستور در پیاده‌سازی مدار منطقی، حافظه و سوئیچ (وسیله قطع و وصل جریان) استفاده کرد. ترانزیستور
ترانزیستور مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع و وصل سیگنالها به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P است.
بایاس کردن
ترانزیستور دوقطبی به گونه‌ای بایاس می‌شود که نقطه کار ترانزیستور، با اِعمال ولتاژ مستقیم (DC) مناسب در ناحیه فعال قرار گیرد. نقطه کار حدوداً وسط خط بار DC است. روند رسیدن به جریان و ولتاژ DC خاص کلکتور با تنظیم کردن نقطه کار را بایاس‌کردن می‌گویند. ابزار دقیق
ساختمان ترانسمیترها : به‌طور کلی ترانسمیترها از سه قسمت اصلی حس کننده، مبدل (ترانسدیوسر) و تقویت‌کننده تشکیل می‌شود. ترانسمیترها درانواع الکتریکی و پنوماتیکی ساخته می‌شوند. خروجی ترانسمیترهای الکتریکی بین ۴ تا ۲۰ میلی‌آمپر و ترانسمیترهای پنوماتیکی بین ۳ تا ۱۵ psi بر حسب تغییرات کمیت ورودی می‌تواند تغییر کند. برای مدرج کردن یا کالیبره کردن ترانسمیترها طبق دستور سازنده با دادن ورودی‌های معین و معلوم خروجی را تنظیم می‌کنیم. ترانزیستور
دو دسته اصلی ترانزیستورها، ترانزیستور دوقطبی پیوندی (Bipolar Junction Transistors, BJT) و ترانزیستور اثرِ میدان (Field Effect Transistors, FET) هستند. ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود، تقسیم می‌شوند. ترانزیستور پیوندی دوقطبی
امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند. مراحل ساخت تراشه
تراشه، مدار یکپارچه، مدار مجتمع یا آی‌سی ((نام دیگر آن IC (Integrated Circuit) به مجموعه‌ای از مدارات الکترونیکی اطلاق می‌گردد که با استفاده از مواد نیمه رسانا (عموماً سلیسیم همراه با میزان کنترل شده‌ای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی‌متر مربع) ساخته می‌شود. این مدارات معمولاً شامل دو یا سه نوع دستگاه الکترونیکی می‌باشند: مقاومت. خازن و ترانزیستور (مهم‌ترین آن‌ها ترانزیستور می‌باشد). هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل یک لایه از سیلیکون همگون و با ضخامتی یکنواخت و بدون ترک تزریق شده‌اند. تراشه قطعه‌ای داخل رایانه است که برای چک کردن مدارها و تبادل اطلاعات منطقی (صفر و یک) به کار برده می‌شود. یک تراشه ممکن است ابعادی به اندازه یک اینچ در یک اینچ داشته باشد و حاوی ده‌ها میلیون عدد ترانزیستور باشد. گاهی روی یک تراشه که مساحت آن فقط چند میلیمتر مربع است هزاران عدد ترانزیستور سوار می‌شود. بایاس کردن
بخش‌های مختلف مدارهای خطی که از ترانزیستور استفاده می‌کنند، برای عملکرد درست به ولتاژهای DC احتیاج دارند، که در مدار با استفاده از تقسیم‌کنندهٔ ولتاژ مقاومتی پیاده‌می‌شوند. به عنوان مثال در یک تقویت‌کننده خطی، یک سیگنال ورودی منجر به سیگنالی بزرگتر در خروجی می‌شود که باید شکل آن بدون تغییر بماند. در این حالت، تغییرات ورودی موجب تغییرات نقطه کار متناسب با ورودی می‌شود. از آنجایی که ترانزیستور عنصری غیرخطی است، باید به گونه‌ای بایاس شود که تغییرات سیگنال خروجی وارد ناحیه غیرخطی شدید آن نشود. برای ترانزیستور دوقطبی این کار با نگه‌داشتن ترانزیستور در ناحیه فعال صورت می‌پذیرد. تقویت‌کننده ترانزیستور اثر میدان (مانند ماس‌فت) نیز می‌بایست در ناحیه فعال (یا اشباع) قرار گیرد و وارد نواحی قطع و اهمی (تریود) نشود. ترانزیستور وی‌دی‌ام‌اواس
VDMOS ترانزیستور VDMOS یکی ترانزیستور توان و فرکانس بالای ماسفت است. ترانزیستور DMOS ترانزیستور توان نامیده می‌شود. ترجمهٔ این ترانزیستور به فارسی برابر است با ترانزیستور ماسفت نفوذ دوگانه یا doubble diffused MOSFET. این گونه از ترانزیستورها به دو نوع LDMOS و VDMOS تقسیم می‌شوند. نوع LDMOS جریان به صورت افقی بین درین تا سورس جریان می یابد و در نوع VDMOS، جریان به صورت عمودی از سروس تا درین جاری می‌شود.  در واقع VDMOS مخفف vertical doubble diffused MOSFET است. در این نوع ترانزیستور درین زیر ترانزیستور و سورس بالای ترانزیستور قرار گرفته‌است. ترانسفورماتور باک-بوست
ترانسفورماتور کاهنده-افزاینده () گونه‌ای ترانسفورماتور تنظیم‌پذیر خودکار برای ولتاژهای ورودی متفاوت است. برای مثال گونه‌ای از آن برای ولتاژ ورودی ۲۰۸ تا ۲۳۰ ولت و گونه‌ای دیگر برای ولتاژ ۱۲۰ یا ۲۳۰ ساخته می‌شود. همچنین در برخی کشورها فرکانس ۶۰ و در برخی دیگر ۵۰ هرتز است که این ترانسفورماتور می‌تواند در هر دو حالت کار کند. این نوع ترانسفورماتورها برای تغذیه قطعات الکتریکی ولتاژ پایین چون ۱۲، ۱۶، ۲۴، ۳۲ یا ۴۸ به کار می‌برند. ترانس ولتاژ
ترانسفورماتور ولتاژ (به انگلیسی: Voltage Transformer) یا اصطلاحاً VT) PT)، ترانسفورماتور خاصی است که اولیه‌ای با ولتاژ زیاد و ثانویه‌ای با ولتاژ کم دارد. توان نامی این ترانسفورماتور بسیار کم است و تنها هدف آن فراهم کردن نمونه‌ای از ولتاژ سیستم قدرت برای دستگاه‌های اندازه‌گیری و کنترل است. چون ترانسفورماتور ولتاژ به منظور نمونه‌گیری ولتاژ به کار می‌رود، می‌بایست بسیار دقیق عمل کند تا موجب اعوجاج ولتاژهای واقعی نشود. ترانسفورماتورهای ولتاژ از لحاظ دقت در کلاس‌های مختلفی ساخته می‌شوند و هنگام خرید باید با توجه به دقت مورد نیاز در اندازه‌گیری به این کلاس‌ها توجه کرد. دو سر خروجی ترانس ولتاژ برخلاف ترانس جریان هیچ‌گاه نباید اتصال کوتاه شود.چاپمن، استفن. «مبانی ماشینهای الکتریکی»، چاپ چهارم. تهران: مؤسسه انتشارات نص، ۱۳۸۶. مدار مجتمع
منطق ترانزیستور و ترانزیستور (TTL) توسط جیمز ال بی در اوایل دهه ۱۹۶۰ در TRW توسعه داده شد. TTL در دهه ۱۹۷۰ تا اوایل دهه ۱۹۸۰ به فناوری غالب مدار مجتمع تبدیل شد. لامپ خلأ
تِرایود نوعی لامپ خلأ است که یک اتّصال الکتریکی به صورت یک شبکهٔ فلزیِ استوانه‌ای (Grid) از جنس آلیاژ نیکل و کرم، میان کاتد و آند آن قرار گرفته که سیگنال الکتریکی (مانند خروجی یک آنتن رادیویی یا سیگنال الکتریکی یک میکروفون) به آن وارد می‌شود. اگر ولتاژ سیگنال اعمال شده به شبکه، نسبت به کاتد منفی تر شود، از جریان آند می‌کاهد و هر قدر ولتاژ سیگنالی که به شبکه اعمال می‌شود نسبت به کاتد کمتر منفی شود، جریان الکتریکی آند را می‌افزاید و بدین‌صورت، جریان الکتریکی واپایش یا تقویت یا حتّی قطع و وصل می‌شود. ترایود در سال ۱۹۰۶ میلادی توسط لی_دفارست Lee De Forest اختراع شد و نخستین قطعه‌ای است که به عنوان تقویت‌کننده در مدارهای گیرنده‌های رادیویی و تلویزیونی و همچنین فرستنده‌های رادیویی، کاربرد بسیار وسیعی داشته ولی با گذشت زمان، ترانزیستور جایگزینِ آن شده‌است. ترایود و ترانزیستور معادل یکدیگر بوده و هر دو در مدارهای الکترونیکی صرف‌نظر از مکانیسم عمل، وظایف مشابهی را انجام می‌دهند. به‌طوری‌که در سال‌های نخستین اختراع ترانزیستور آن را ترایود نیمه‌هادی هم می‌نامیدند. ترانزیستور
ترانزیستور پیوندی دارای دو پیوند است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ دیود بیس _ امیتر یا دیود امیتر، و دیود سمت راست دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور است. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد. ترانزیستور نوری
از ترانزیستورهای نوری می‌توان برای بهبود عملکرد شبکه‌های مخابراتی فیبرنوری استفاده کرد. اگرچه از کابل‌های فیبرنوری برای انتقال داده استفاده می‌شود، کارهایی مانند مسیریابی سیگنال به صورت الکترونیکی انجام می‌شود. این امر به تبدیل نوری-الکترونیکی-نوری نیاز دارد که گلوگاه‌هایی را تشکیل می‌دهد. در اصل، پردازش سیگنال دیجیتالی و مسیریابی تمام نوری با استفاده از ترانزیستورهای نوری که در مدارهای فوتونیک یکپارچه مرتب شده‌اند، قابل دستیابی است. از همین ادوات می‌توان برای ایجاد انواع جدید تقویت‌کننده‌های نوری برای جبران تضعیف سیگنال در امتداد خطوط انتقال استفاده کرد. ترانزیستور
همچنین قطعات نیمه‌هادی که در نقش سویچینگ هستند و اتصال کوتاه می‌شوند به دلیل وجود جریان‌های ضربه‌ها یا ولتاژ بالاست (بهترین وقتی رخ می‌دهد که ولتاژ ضربه‌ای، متغیر با زمان فرکانس بالا و … باشد) نظارت بر شرایط ترانسفورماتورها
نظارت بر شرایط ترانسفورماتورها فرایند دستیابی و پردازش داده‌های مربوط به پارامترهای مختلف از شرایط ترانسفورماتور است تا با سنجش این پارامترها از خرابی ترانسفورماتور جلوگیری شود. این امر با مشاهده و مقایسه اختلاف پارامترهای گرفته شده از ترانسفورماتور با مقادیر مورد انتظار آنها انجام می‌شود. ترانسفورماتورها جزء گرانترین اجزای سیستم انتقال و توزیع برق هستند. خرابی ترانسفورماتور می‌تواند باعث قطع برق، خطرات فردی، محیطی یا تجدید هزینه‌های گرانقیمت خرید برق از دیگر تأمین کنندگان شود. خرابی ترانسفورماتور به دلایل مختلفی می‌تواند رخ دهد. وقفه و خرابی در ترانسفورماتور زیر بار معمولاً به دلیل شکست دی الکتریک به دلیل اتصال کوتاه، اختلالات الکتریکی، خراب شدن عایق، رعد و برق، نگهداری نامناسب، اتصالات سست، اضافه بار، خرابی لوازم جانبی از جمله تپ‌چنجر زیر بار، بوشینگ و غیره می‌تواند رخ دهد. ترانسفورماتور جریان
ترانسهای جریان یا (current transformer (CT برای نمونه‌گیری جریان به نسبت گذر جریان از سیم پیچ اولیه خود و القای آن در سیم پیچ ثانویه کاربرد دارند. این ترانسفورمرها برای حفاظت و اندازه‌گیری در ابتدای توان راه‌های ورودی به پستها و همچنین در ورودی ترانس توان و ورودی ثانویه ترانس و همچنین در خروجی‌های پست و نقاط کلیدی دیگر که نیاز است جریان در آن نقطه تحت نظر باشد به کار گرفته می‌شود که هر کدام از این نقاط با ترانس ویژه به خود چه از نظر جداگری و ساختمان و چه از دید نیرو و دقت (ریزسنجی)، نصب و به کار برده می‌شوند. ترانزیستور
سوختن ترانزیستور می‌تواند دلایل زیادی داشته باشد. از جمله این دلایل می‌توان به اعمال ولتاژ بالای خارج از محدوده ولتاژ ترانزیستور به آن اشاره کرد که این ولتاژ می‌تواند از طریق پایه Emitter به ترانزیستور منتقل شده یا در مدارات مکانیکی اعمال بار سلفی سیم پیچ مصرف‌کننده و در زمان Peak Off آن به پایه کلکتور اشاره کرد که جلوگیری از هرکدام از آن‌ها روش‌های مربوط به خود را دارد. ترانزیستور
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه است که با اعمال ولتاژ به یکی از پایه‌ها میزان جریان عبورکننده از دوپایه دیگر را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار، ولتاژها و جریان‌های لازم را باید با مقاومت‌ها برای آن فراهم کرد یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد. ترانزیستور سه ناحیه کاری دارد: ترانسپوندر
در صنعت مخابرات، به دو نوع دستگاه مختلف ترانسپوندر یا ترابری کننده گفته می‌شود. در ناوبری هوایی یا سامانه بازشناسی با امواج رادیویی، ترانسپوندر دستگاهی است که در پاسخ به سیگنالهای تشخیص هویت دریافت شده، سیگنالهای مشخص کننده هویت را منتشر می‌کنند. در یک ماهواره مخابراتی، ترانسپوندر سیگنالها را در یک محدوده بسامدهای ارتباط بالا (Uplink) جمع‌آوری می‌کند و آنها را در یک محدوده بسامدی ارتباط پایین (Downlink) دوباره انتشار می‌دهد و دریافت کننده‌ها در روی زمین این سیگنالها را دریافت می‌کنند. ژول دزد
اگر بار واقع بر مدار بسیار کوچک باشد، نرخ افزایش و ولتاژ نهایی در کلکتور با ظرفیت‌های مجاز محدود می‌شود و ممکن است به بیش از ۱۰۰ برابر ولتاژ منبع تغذیه افزایش یابد. به همین دلیل ضروری است که یک بار همیشه وصل شده باشد تا ترانزیستور آسیب نبیند. از آنجا که V به ثانویه منعکس می‌شود، شکست ترانزیستور به علت بار کم باعث می‌شود که حد معکوس V ترانزیستور عبور کند (این اتفاق در مقدار بسیار پایین‌تر از V max رخ می‌دهد). ترانزیستور نوری
هنوز جای سؤال دارد که آیا پردازش نوری می‌تواند انرژی مورد نیاز برای سوئیچ کردن یک تک ترانزیستور را کمتر از ترانزیستور الکترونیکی کاهش دهد. برای رقابت واقعی، ترانزیستورها برای هر کار به چند دَه فوتون نیاز دارند. البته واضح است که این امر در ترانزیستورهای تک فوتونی پیشنهادی برای پردازش اطلاعات کوانتومی قابل دستیابی است. ترانزیستور
در این حالت مسیر امیتر به کلکتور به صورت یکسره برقرار می‌گردد که این حالت ترانزیستور با قطع ورودی تریگر روی پایه base یا gain همچنان برقرار است. در واقع در این حالت مثل آن می‌ماند که سوئیچ به صورت یکسره و تا زمان وجود ولتاژ روی پایه امیتر همچنان برقرار باشد. ژول دزد
ترانزیستور انرژی بسیار کمی را حتی در فرکانس‌های نوسانی بالا از دست می‌دهد، زیرا بیشتر زمان خود را در حالت کاملاً خاموش یا کاملاً روشن می‌گذارد و ولتاژ واقع بر ترانزیستور یا جریان عبوری از آن صفر است؛ بنابراین تلفات سوئیچینگ به حداقل می‌رسد. ریزپردازنده
ریزپرداز، یا ریزپردازنده یا میکروپرسسور تراشه کوچکی است که می‌تواند عملیات حسابی و منطقی را انجام دهد. این تراشه‌ها از تعداد بسیار زیادی ترانزیستور ساخته شده‌اند. که بر روی یک مدار مجتمع (یا بیشتر) پیاده‌سازی می‌شوند. دیود
در گیرنده‌های AM مانند رادیو، دیود نقش آشکارساز را دارد، چنان‌که فرکانس میانی پس از تقویت در بخش تقویت‌کننده فرکانس میانی، وارد یک دیود می‌شود و سپس خروجی آن فیلتر (پایین‌گذر) می‌شود. گرچه معمولاً به جای دیود از ترانزیستور استفاده می‌شود تا یک طبقهٔ تقویت صورت گرفته باشد و دیود بِیس-اِمیتِر ترانزیستور کار آشکارسازی را هم عملاً انجام خواهد داد. نیم‌رسانا
ترانزیستور از پرکاربردترین و اصلی‌ترین عناصر در مدارات الکترونیکی و مجتمع می‌باشد. اگر نوع p را با نوع n و دوباره با نوع p پیوند دهیم عنصر بدست آمده ترانزیستور pnp نام خواهد داشت. برعکس اگر اگر نوع n را با نوع p و دوباره با نوع n پیوند دهیم عنصر بدست آمده ترانزیستور npn نام خواهد داشت که بیشتر از ترانزیستور pnp در صنعت کاربرد دارد. مبدل زیستی
دستگاه‌های مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) توجه زیادی را به خود جلب کرده‌اند زیرا آنها می‌توانند به‌طور مستقیم فعل و انفعالات بین مولکولهای بیولوژیکی هدف و سطح FET را به سیگنالهای الکتریکی قابل خواندن ترجمه کنند. در یک FET، جریان در امتداد کانال متصل به منبع و تخلیه جریان می‌یابد. ترانسفورماتور
یکی از کاربردهای مهم ترانسفورماتورها کاهش جریان در خطوط انتقال انرژی الکتریکی است. دلیل استفاده از ترانسفورماتور در ابتدای خطوط این است که همه هادی‌های الکتریکی دارای مقاومت الکتریکی هستند. این مقاومت می‌تواند موجب اتلاف انرژی در طول مسیر انتقال انرژی الکتریکی شود. میزان تلفات در یک هادی با مجذور جریان عبوری از هادی رابطهٔ مستقیم دارد و بنابراین با کاهش جریان می‌توان تلفات را به‌شدّت کاهش داد. با افزایش ولتاژ در خطوط انتقال به‌همان نسبت جریان خطوط کاهش می‌یابد و به‌این ترتیب هزینه‌های انتقال انرژی نیز کاهش می‌یابد، البته با نزدیک شدن خطوط انتقال به مراکز مصرف برای بالا بردن ایمنی ولتاژ خطوط در چند مرحله و باز به وسیلهٔ ترانسفورماتورها کاهش می‌یابد تا به میزان استاندارد مصرف برسد. به‌این ترتیب، بدون استفاده از ترانسفورماتورها امکان استفاده از منابع دوردست انرژی وجود ندارد. مدار مجتمع
مدارهای الکتریکی عموماً شامل اجزایی مانند مقاومت، خازن، سلف و ترانزیستور می‌باشد. با توجه به اینکه فرایند ساخت ترانزیستور در فناوری‌های مدارهای مجتمع راحت‌تر از المان‌های غیرفعال یا منفعل دیگر است، طراحان ترجیح می‌دهند این المان‌های غیرفعال را توسط ترانزیستورها پیاده‌سازی کنند و تا حد ممکن تمامی المان‌های مدارهای الکترونیکی را به ترانزیستور تبدیل نمایند، سپس با فناوری‌های ساخت مدارهای مجتمع آن‌ها را پیاده‌سازی کنند. هر تراشه معمولاً دارای شمار بسیاری ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل لایه‌ای از ماده نیم‌رسانا؛ مانند سیلیسیم همگون با پروسه‌های ساخت مدارهای مجتمع ساخته می‌شوند. امروزه تراشه‌ها در بیشتر دستگاه‌های الکترونیکی و به‌ویژه رایانهها در ابعادی گسترده به‌کار می‌روند. ترانزیستور نوری
علاوه بر مزایای بالقوه سرعت بالاتر، مصرف کمتر توان و سازگاری زیاد با سیستم‌های ارتباطی نوری، ترانزیستورهای نوری باید قبل از این که بتوانند با الکترونیک رقابت کنند، مجموعه ای از معیارها را برآورده کنند. هنوز هیچ طراحی واحدی تمام این معیارها را درحالی که عملکرد و سرعت بالاتر و مصرف توانِ پیشرفته‌ترین تجهیزات الکترونیکی را داشته باشد، برآورده نکرده‌است. مقیاس‌بندی دنارد
۱. ابعاد ترانزیستور را می‌توان تا ۳۰٪ (۰٫۷x) مقیاسیده شود. این به‌طور همزمان اثرات زیر را دارد: ترانزیستور تحرک الکترونی بالا
از این نوع ترانزیستور در تقویت‌کننده‌های با نویز کم، تلسکوپ‌های رادیویی و نجومی و تقویت‌کننده‌های مایکروویو استفاده می‌شود. ترانسفورماتور راه‌انداز
ترانسفورماتور راه‌انداز (Trigger) حجم آن کوچک و معمولاً با هسته فریت است این ترانسفورماتور در زمینه‌هایی کاربرد دارد که به تپش (پالس) ولتاژ بالا در جهت تحت فشار قراردادن و شروع یونیزاسیون گاز نیاز است. ایجاد پالس ولتاژ بالا باعث می‌شود مقاومت گاز شکسته شود و جریان الکتریکی برقرار گردد. ترانزیستور پیوندی اثر میدان
در هر نمونه‌ای، سر فلش، قطب پیوند PN که بین کانال و گیت است را نشان می‌دهد. مانند یک دیود معمولی، فلش از P به N اشاره می‌کند که همان جهت جریان عادی است زمانی که بایاس مستقیم است. ترانسفورماتور
ترانسفورماتور یا ترَنسفورمر وسیله‌ای است که انرژی الکتریکی را بین دو یا چند سیم‌پیچ و از طریق القای الکترومغناطیسی منتقل می‌کند. به این صورت، یک جریان متغیر در سیم‌پیچ اولیه ترانسفورمر موجب تولید میدان مغناطیسی متغیر می‌شود که این میدان منجر به ایجاد ولتاژ در سیم‌پیچ ثانویه می‌شود. ترانزیستور
همانگونه که از نامش بر می‌آید، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه‌هادی، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ گونه اثر بارگذاری بر روی طبقاتقبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. فشارقوی جریان مستقیم
در سیستم اچ‌وی‌دی‌سی تیدیل از ای‌سی به دی‌سی و بر عکس تقریباً با تجهیزات مشابهی انجام می‌شود و در بسیاری پست‌های تبدیل، تجهیزات طوری نصب می‌شوند که بتوانند هر دو نقش را داشته باشند. قبل از وصل جریان ای‌سی به تجهیزات یکسوسازی ورودی مبدل از تعدادی ترانسفورماتور (ترانسفورماتور سربه‌سر) عبور می‌کند و سپس خروجی آن‌ها به درگاه‌های یکسوسازی وارد می‌شود. دلیل استفاده از این ترانسفورماتورها ایزوله کردن پست تبدیل از شبکه ای‌سی و به وجود آوردن زمین داخلی است. در پست تبدیل وظیفه اصلی بر عهده درگاه‌هاست. در ساده‌ترین حالت یک یکسوساز از شش درگاه تشکیل شده‌است که دو به دو به فازهای ای‌سی متصل شده‌اند. ساختمان یکسوساز به صورتی است که هر درگاه در هر سیکل تنها در طول ۶۰ درجه هادی است و به این صورت وظیفه انتقال توان در هر سیکل ۳۶۰ درجه‌ای به‌طور مساوی بین شش درگاه تقسیم می‌شود. با افزایش درگاه‌ها تا ۱۲ عدد می‌توان یکسوساز را طوری طراحی کرد که هر ۳۰ درجه درگاه‌ها عوض شوند و بدین ترتیب ظرفیت یکسوسازی هر درگاه افزایش می‌یابد و هارمونیک‌های تولیدی یکسوساز به شدت کاهش می‌یابند. ترانزیستور اثر میدان
کاربرد اصلی این ترانزیستورهای در مدارهای مجمتع به‌ویژه تراشه‌های دیجیتال است. در بیشتر این تراشه‌ها هزاران ماسفت استفاده شده‌است که نه تنها به عنوان عنصر فعال بلکه به عنوان مقاوت و خازن نیز به کار می‌روند. هرچند مدارهای ساخته‌شده با ماسفت نسبت به مدارهای ساخته‌شده با بی‌جی‌تیها پیچیده‌تر هستند و سرعت کمتری دارند، اما هزینهٔ کمتری نیز دارند و فضای کمتری اشغال می‌کنند و بنابراین در فناوری‌های یکپارچه‌سازی کلان‌مقیاس (VLSI) کاربرد گسترده‌ای دارند و در فرایندهای کنترل صنعتی، ابزارهای الکترونیک خودکار، الکترونیک نوری، مدارهای سوئیچینگ تلفنی و… نقش مهمی ایفا می‌کنند. جی‌فت‌ها همچنین به علت مقاومت ورودی زیاد و اغتشاش کم در الکترونیک خطی (غیر دیجیتال) اهمیت ویژه‌ای دارند. از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای کاربردی‌ای نظیر تقویت‌کننده‌ها، کلیدها، منابع جریان، بار فعال و… استفاده می‌شود. فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف‌ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. عدد ترانزیستور
از نظر سیستم‌های رایانهای که از مدارهای مجتمع متعددی تشکیل شده‌اند، ابر رایانه با بیشترین تعداد ترانزیستور در ابر رایانه سانوی تاوهولایت (ردخورشید باریکه‌نور) با طراحی چینی است که برای کلیه سی‌پی‌یو/ گره‌ها (۱ تریلیون برای ۱۰ میلیون هسته و برای رَم برای ۱٫۳ میلیون گیگابایت) ترکیب شده‌است «حدود ۴۰۰ تریلیون ترانزیستور در بخش پردازش سخت‌افزار» و «دی‌رَم شامل حدود ۱۲ کوادریلیون ترانزیستور است، و این تقریباً ۹۷ درصد از کل ترانزیستورها است.» برای مقایسه، کوچکترین رایانه، کوتاه‌شده به اندازه یک دانه برنج، دارای مرتبهٔ ۱۰۰٬۰۰۰ ترانزیستور است، و این یکی کاملاً قابل‌برنامه‌ریزی، با کمترین ترانزیستور تاکنون ۱۳۰ ترانزیستور یا کمتر دارد. ترانزیستور
نوع دیگر ترانزیستورهای اثر می‌دانی MOSFETها هستند (ترانزیستور اثر می‌دانی اکسید فلزی نیمه‌هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) یکی از اساسی‌ترین مزیت‌های ماسفت‌ها نویز کمتر آن‌ها در مدار است. عدد ترانزیستور
از سال ۲۰۱۹، بیشترین تعداد ترانزیستور در یک ریزپردازنده در دسترس تجاری ۳۹٫۵۴ میلیارد ماسفت است، در زِن ۲ ای‌ام‌دی مبتنی‌بر اپسی رام، که یک مدار یکپارچه 3D (با هشت دای در یک بسته واحد) ساخته شده با استفاده از فرایند تولید نیم‌رسانا ۷ نانومتری فین‌فت تی‌اس‌ام‌سی است. از سال ۲۰۲۰، بالاترین تعداد ترانزیستور در یک واحد پردازش گرافیکی (جی‌پی‌یو) GA100 Ampere Nvidia بالغ بر ۵۴ میلیارد ماسفت است که با استفاده از فرایند ۷ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی تولید می‌شود. از سال ۲۰۱۹، بالاترین تعداد ترانزیستور در هر تراشه IC حافظه فلش V-نَند سامسونگ دارای ۲ تریلیون ماسفت با گیت شناور (۴ بیت در هر ترانزیستور) است. از سال ۲۰۱۹، بالاترین تعداد ترانزیستور در تراشه غیر-حافظه، یک موتور یادگیری عمیق به نام موتور مقیاس ویفر توسط سیریبرس که از یک طراحی ویژه برای مسیریابی در اطراف هر هسته غیر-تابعی در قطعه است، استفاده می‌کند. دارای ۱٫۲ تریلیون ماسفت است که با استفاده از فرایند فین‌فت ۱۶ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی تولید می‌شود. مشعل
عملکرد ترانس جرقه نیز همانند ترانسفرماتورهای دکل‌های انتقال برق (ترانسفرماتور کاهنده) است اما به شکل عکس (ترانسفرماتور افزاینده) بدین معنی که ترانس جرقه از ولتاژ پایین (ولتاژ برق شهری) ولتاژ بالا (معمولاً۱۰٫۰۰۰ولت) را ایجاد می‌کند. وظیفه ترانس جرقه ایجاد جرقه و شروع عمل احتراق است. مهندسی قدرت
نقش ترانسفورماتور در سیستم⁯‌های انتقال بسیار مهم است چرا که ترانسفورماتورها در سیستم قدرت وظیفه تغییر دامنه ولتاژ را بر عهده دارند. افزایش ولتاژ به وسیله ترانسفورماتور به کاهش جریان می‌انجامد و طبق قانون تلفات توان الکتریکی (که تلفات توان با مجذور جریان متناسب است در این ارتباط معادله P=r.i مفیدتر است که در آن r مقاومت مسیر انتقال و i  معرف جریان عبوری از آن است p تلقات توان در مسیر انتقال است.) با کاهش جریان تا حد امکان، می‌⁯توان تلفات را تا حد قابل ملاحظه‌ای کاهش داد؛ بنابراین افزایش ولتاژ در خطوط انتقال به کاهش تلفات و در نتیجه افزایش بهره‌وری خطوط انتقال می‌انجامد. اتوترانسفورماتور
یک اتوترانسفورماتور متغیر از اتصال ثانویه sliding-brush و هسته مارپیچی تشکیل شده‌است. در آن پوشش (عایق) برای نشان دادن سیم‌پیچ مسی کنار گذاشته شده‌است. همانند ترانسفورمر دو سیم‌پیچی، اتوترانسفورماتور با تعدادی بند که به آن tap می‌گویند و کلیدهای خودکار سازماندهی شده‌اند تا این وسیله بتواند به عنوان تنظیم‌کننده خودکار ولتاژ به منظور نگه‌داری ولتاژ یکنواخت عمل کند. هم چنین از اتوترانسفورماتور به منظور شبیه‌سازی وضعیت low line برای تست کردن استفاده می‌شود. کاربرد دیگر آن در چراغ‌های چشمک‌زن است که مانع تولید EMI در آن می‌شود. ترانزیستور
ترانزیستور BJT، سه‌پایه دارد: بِیس (پایه Base)، کُلِکتور یا کالِکتِر (جمع‌کننده Collector) و اِمیتر (منتشرکننده Emitter). ترانزیستور
آزمایشگاه‌های بل فوراً ترانزیستور تک اتصالی را جزء تولیدات انحصاری شرکت وسترن الکتریک، شهر آلنتون در ایالت پنسیلوانیا قرار داد. نخستین ترانزیستورها برای گیرنده‌های رادیو AM ساخته و به نمایش گذاشته شدند اگر چه در واقع فقط در سطح آزمایشگاهی بودند. به هر حال در سال ۱۹۵۰ شاکلی یک نوع کاملاً متفاوت ترانزیستور را ارائه داد که به ترانزیستور اتصال دوقطبی معروف شد. اگرچه اصول کار آن با ترانزیستور تک اتصالی کاملاً فرق می‌کند، این قطعه‌ای است که امروزه به عنوان ترانزیستور شناخته می‌شود. پروانه تولید آن نیز به تعدادی از شرکت‌های الکترونیک شامل تگزاس اینسترومنتس که تعداد محدودی رادیو ترانزیستوری تولید می‌کرد داده شد. ترانزیستورهای اولیه از نظر شیمیایی ناپایدار بودند و فقط برای کاربردهای فرکانس و توان پایین مناسب بودند، اما همینکه طراحی ترانزیستور توسعه یافت این مشکلات نیز کم‌کم رفع شدند. ترانزیستور پیوندی دوقطبی
شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاریشان متفاوت است. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی معمولاً سوراخی روی ترانزیستور قرار دارد که برای پیچ‌شدن ترانزیستور به سطوح فلزی هیت‌سینک به کار می‌رود که این کار موجب خنک‌شدن ترانزیستور می‌گردد. اما ترانزستورهایی که در مدارهای معمولی و برای فرکانس‌های بالا ساخته می‌شوند معمولاً این سوراخ را ندارند. وی‌ماس
ترانزیستور وی‌ماس () یک نوع ماسفت است (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم‌رسانا). وی‌ماس همچنین برای توصیف شکل شیار وی (V) تیز به صورت عمودی برش داده شده در مواد زیرلایه استفاده می‌شود. "وی‌ماس" مخفف «نیم‌رسانا-اکسید-فلز عمودی» یا «ماس با شیار وی» است. ترانسفورماتور
ساده‌ترین طراحی برای یک ترانسفورماتور در شکل ۲ آمده است. جریان سیم‌پیچ اولیه موجب به‌وجود آمدن یک میدان مغناطیسی می‌گردد. هر دو سیم‌پیچ اولیه و ثانویه روی یک هسته که دارای خاصیت نفوذپذیری مغناطیسی بالایی است (مانند آهن) پیچیده شده‌اند. بالا بودن نفوذپذیری مغناطیسی هسته موجب می‌شود تا بیش‌تر میدان تولیدشده توسط سیم‌پیچ اولیه از داخل هسته عبور کرده و به سیم‌پیچ ثانویه برسَد. ترانزیستور پیوندی دوقطبی
برای رسیدن به وضعیت اشباع، با توجه به اینکه در ترانزیستور رابطهٔ formula_1 برقرار است، پیوند بیس-امیتر را در بایاس موافق قرار می‌دهند تا جریان کلکتور به حداکثر مقدار خود برسد، در این حالت ولتاژ دو سر پایه‌های کلکتور و امیتر به صفر می‌رسد و اگر مصرف‌کننده در کلکتور باشد جریان کلکتور از آن نیز خواهد گذشت، در این حالت ترانزیستور مانند یک کلید بسته‌است و می‌گویند ترانزیستور در حالت اشباع قرار دارد. برای رسیدن به حالت قطع، جریان بیس را صفر می‌کنند تا به تبع آن جریان کلکتور صفر شود، در این حالت دو سر پایه‌های کلکتور و امیتر مانند یک کلید باز عمل می‌کند و اگر مصرف‌کننده‌ای در مسیر کلکتور قرار داشته باشد هیچ جریانی از آن عبور نخواهد کرد. توربو سیم
در واقع کار این دستگاه مداخله در ترافیک بین سیم‌کارت و گوشی است به صورتی که برنامه‌نویس آن مد نظر دارد و همان‌طور که در بالا ذکر شد، مهم‌ترین هدف این ریزپردازنده، گشایش قفل اصالت‌سنجی سیم کارت از راه تغییر دادن شناسه جهانی مشترکین تلفن همراه یا International mobile subscriber identity (IMSI) به منظور گشودن قفل سیم‌کارت تعبیه شده توسط اپراتور است تا کاربر بتواند از دستگاهش، به طور مثال آیفون در دیگر شبکه‌های تلفن همراه و دیگر اپراتورها نیز بهره برد. به تازگی کاربران گوشی‌های ان‌تی‌تی دوکومو و سافت‌بانک قادر شده‌اند که با بهره‌گیری از توربو سیم، روی دیگر شبکه‌ها و اپراتورها نیز از گوشی خود استفاده کنند. مبدل
تَرارِسان، مُبدّل یا تِرَنسدیوسِر چیزی است که انرژی را از نوعی به نوع دیگر تبدیل می‌کند. انواع انرژی شامل: الکتریکی، مکانیکی، الکترومغناطیسی (از جمله نور)، شیمیایی، صوتی یا گرمایی است. واژهٔ مبدل برای حس‌گرها یا تبدیل‌کننده‌های انرژی استفاده می‌شود. آستابل
توضیح عملکرد: ابتدا فرض می‌کنیم ترانزیستور خاموش است. پس خازن به سمت Vcc شارژ می‌شود ولی هنگامی که تا ۲/۳Vcc (دو سوم تغذیه) رسید چون به پابه آستانه متصل است خروجی low می‌شود. سپس ترانزیستور روشن می‌شود و خازن با ثابت زمانی R۱*C به سمت صفر می‌رود تا به ۱/۳Vcc (ثلث منبع تغذیه) برسد در این لحظه پایه تریگر مجدداً خروجی آی سی را High می‌کند و ترانزیستور خاموش می‌شود. " این سیکل مرتباً تکرار می‌شود ." پس شکل موج خروجی، یک موج مربعی است. شکل موج ایجاد شده روی خازن، تقریباً یک شکل موج دندانه اره‌ای است. (به جای مقاومت می‌توان از منبع جریان استفاده کرد تا خازن با آهنگ یکسانی شارژ شود)ویکی‌پدیای انگلیسی ترانزیستور
در آن زمان تصور می‌شد که این قطعه مثل دو لامپ خلاء است. لامپ‌های خلاء هدایت انتقالی دارند بنابراین ترانزیستور هدایت انتقالی دارد؛ و این اسم می‌بایست متناسب با نام دیگر قطعات مثل وریستور، ترمیستور باشد؛ و نام ترانزیستور پیشنهاد شد. ترنسفورمرها (یادگیری ماشین)
هر دو لایه رمزگذار و رمزگشا دارای یک شبکه عصبی پیش‌خور برای پردازش اضافی خروجی‌ها هستند و شامل اتصالات باقی‌مانده و مراحل عادی‌سازی لایه هستند. ترانزیستور
فت دارای سه‌پایه با نام‌های درین D، سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. ترانزیستور شاتکی
استاندارد منطق ترانزیستور-ترانزیستور (تی‌تی‌ال) از ترانزیستورها به عنوان کلیدهای اشباع‌شده استفاده می‌کند. ترانزیستور اشباع‌شده به سختی روشن می‌شود، به این معنی که راه‌اندازی بیس آن بسیار بیشتر از میزان جریان کلکتوری که می‌کشد، است. راه‌اندازی بیس اضافی باعث ایجاد یک بار ذخیره شده در بیس ترانزیستور می‌شود. بار ذخیره شده هنگام نیاز به روشن و خاموش کردن ترانزیستور باعث ایجاد مشکل می‌شود: در حالی که بار وجود دارد، ترانزیستور روشن است. قبل از خاموش شدن ترانزیستور، تمام بار باید برداشته شود. حذف بار به زمان (زمان ذخیره‌سازی نامیده می‌شود) نیاز دارد، بنابراین نتیجه اشباع تأخیر بین ورودی خاموش اعمال شده در بیس و نوسان ولتاژ در کلکتور است. زمان ذخیره‌سازی سهم قابل توجهی از تأخیر انتشار را در خانواده منطقی اصلی تی‌تی‌ال تشکیل می‌دهد. ترانزیستور
ترانزیستور به عنوان یکی از بزرگترین اختراعات در تاریخ نوین مطرح شده‌است و در رتبه‌بندی از لحاظ اهمیت، در کنار ماشین چاپ، خودرو و ارتباطات الکترونیکی و الکتریکی قرار دارد. ترانزیستور عنصر فعال بنیادی در الکترونیک مدرن است. اهمیت ترانزیستور در جامعهٔ امروز متکی به قابلیت تولید انبوه آن است که از یک فرایند ساخت کاملاً اتوماتیک که قیمت تمام شده هر ترانزیستور در آن بسیار ناچیز است، استفاده می‌کند. اگرچه ترانزیستورها هنوز به صورت جداگانه نیز استفاده می‌شوند ولی بیشتر در مدارهای مجتمع (اغلب به صورت مختصر IC و هم‌چنین میکرو چیپ یا به صورت ساده چیپ ساخته و نامیده می‌شوند) همراه با دیودها، مقاومتها، خازنها و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار کامل الکترونیک به کار می‌روند. به‌طور مثال یک گیت منطقی حدود بیست ترانزیستور دارد یا یک ریزپردازنده پیشرفته سال ۲۰۰۶ از بیش از ۷٫۱ میلیون ترانزیستور ماسفت ساخته شده‌ است. واحد پردازش مرکزی
پیچیدگی طراحی پردازنده‌ها، همزمان با آسان شدن ساخت ابزارهای الکترونیک کوچک‌تر و قابل اعتماد تر در نتیجهٔ افزایش تکنولوژی‌های مختلف، افزایش یافت، اولین پیشرفت در نتیجه ابداع ترانزیستور حاصل شد. در طی دهه‌های ۱۹۵۰ و ۱۹۶۰، دیگر لازم نبود که برای ساخت پردازنده‌های ترانزیستوری از عناصر سوئیچ حجیم، نامطمئن، و شکننده همچون لامپ‌های خلاء و رله‌ها استفاده کرد. با این پیشرفت‌ها، پردازنده‌های پیچیده‌تر و قابل اطمینان تر، بر روی یک یا چندین بورد مدار چاپی که حاوی اجزاء گسسته (منفرد) بودند، پیاده‌سازی شدند. ترانزیستور
طرز کار ترانزیستور pnp مشابه npn است، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت بایاس مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس بایاس کنیم، ناحیه دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود. الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند. بخشی از آن‌ها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آن‌ها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی بیس روانه می‌شوند، این مؤلفه بسیار کوچک است. دروازه(گیت) منطقی
یک سیستم منطقی کامل عملکردی ممکن است از رله ها ، سوپاپ ها یا ترانزیستورها تشکیل شده باشد. ساده ترین خانواده گیت  های منطقی از ترانزیستور پیوندی دوقطبی (RTL )استفاده شده  است. برخلاف گیت های ساده منطقی ،دیود ، می توان دروازه های RTL را به طور نامحدود به کاربرد تا توابع منطقی پیچیده تری تولید کند. از گیت  RTL در مدارهای مجتمع اولیه استفاده می شد. برای سرعت بالاتر، مقاومتهای مورد استفاده در RTL توسط دیودها جایگزین شدند و نتیجه آن منطق دیود - ترانزیستور (DTL) بود. منطق ترانزیستور - ترانزیستور (TTL) جایگزین DTL شد.همگام پیچیده شدن مدار ها، ترانزیستور های اثر میدان  جایگزین ترانزیستورهای دو قطبی شدند که کوچکتر از ترانزیستور های دو قطبی بودند. در حال حاضر ، برای کاهش مصرف برق، بیشترین تراشه های پیاده سازی سیستم های دیجیتال ، از منطق  سیماس CMOS استفاده می کنند.سیموس از دستگاه های مکمل برای دستیابی به یک سرعت بالا با اتلاف انرژی کم استفاده می کند. مدار مجتمع
هر ریز تراشه، وظیفه یا وظایف خاصی را در مدار انجام می‌دهد. عموماً هر ریز تراشه چندین ورودی دارد که با پردازش این ورودی‌ها، مقادیر خروجی را تولید و در بخش خروجی خود قرار می‌دهند. بعضی از ریز تراشه‌ها با سیگنالهای آنالوگ کار می‌کنند (مانند ریز تراشه‌ای با کد ۷۴۱، یک تقویت‌کننده آنالوگ است). بعضی‌های دیگر با سیگنال‌های دیجیتال کار می‌کنند - به عنوان ورودی‌های منطقی یا برای دریافت داده دیجیتالی، مانند ریز تراشه‌ای که برای خواندن اطلاعات موجود در یک CD استفاده می‌شود. واحد پردازنده مرکزی رایانه ها یکی از مهم‌ترین مدارات ساخته شده به صورت مجتمع است که میلیاردها ترانزیستور را در سطح کوچکی از نیم‌رسانا جای داده‌است؛ مثلاً پروسسور IBM z13 Storage Controller که در سال ۲۰۱۵ ساخته شده‌است، حدود ۷٬۱۰۰٬۰۰۰٬۰۰۰ ترانزیستور را در 678 میلی‌متر مربع سطح نیم‌رسانا از ویفر جای داده‌است. گونه‌های ترانسفورماتور
این نوع ترانسفورماتور رایج ترن مدل ترانس است و اغلب در شبکه انتقال برق به کار گرفته می‌شود و برق مورد نیاز دستگاه‌های الکتریکی را فراهم می‌سازد. این ترانس از میلی‌ولت تا مگاولت تولید برق می‌کند و لایه‌لایه بودن آن و عایق نازک میان لایه‌های آن باعث کاهش جریان گردابی می‌شود. ابزار دقیق
ترانسمیتر از ترکیب دو واژه TRANSFER+METER گرفته شده‌است. یعنی تجهیزی که بتواند یک کمیت فیزیکی را اندازه‌گیری کرده(METERING)و آن را به مکانی دورتر مثل اتاق کنترل انتقال(TRANSFER) دهد. می‌تواند پنوماتیکی یا الکترونیکی باشد. در هر دو مورد، سیگنال ارسالی استاندارد بوده و برای تجهیزاتی که در LOOP کنترل قرار دارند قابل فهم می‌باشد. در نوع الکترونیکی جریان ۲۰–۴ میلی‌آمپر و در نوع پنوماتیکی فشار هوای 15-3 (PSI)یا (bar)از سوی TRANSMITTER به کنترلرهای الکترونیکی و نیوماتیکی ارسال می‌شود. به بیان دیگر ترانسمیتر صنعتی ابزاری است که برای اندازه‌گیری کمیت‌ها و پارامترهای مختلف نظیر دما، فشار، رطوبت، سطح مایعات، فلو، گازهای‌های محیطی و مواردی از این دست استفاده می‌گردند و مقادیر اندازه‌گیری شده را به صورت جریان الکتریکی استاندارد در بازه ۴ تا ۲۰ میلی‌آمپر روی یک زوج سیم ارسال می‌نمایند. ترانسمیتر ایزوله (TRANSMITTER) جهت تبدیل انواع سیگنال‌های آنالوگ با دقت و کیفیت عالی به کار می‌رود. با پشتیبانی از تمامی سیگنال‌ها و رنج‌های مختلف اندازه‌گیری شامل سیگنال ۴ تا ۲۰ میلی‌آمپر DC، ۰ تا ۲۰ میلی‌آمپر DC، ۰ تا ۵ ولت DC، ۰ تا ۱۰ ولت DC، انواع ترموکوپل (Thermocouple) J,K,B,R,S,T,E,N، انواع RTD و PT100، پتانسیومتر (Potentiometer)، مقاومت (Resistance). ورودی و خروجی کاملاً ایزوله در برابر نویز و نوسانات برق، فیلترینگ و تقویت سیگنال از نکات مهم در ترانسمیتر می‌باشد. خروجی بدست آمده از ترانسمیترها قابل استفاده در نمایشگرها، سیستم‌های پی ال سی (PLC) و تمام تجهیزات کنترلی می‌باشد و امروزه ترانسمیتر مصرف زیادی در صنایع نفت، گاز، پتروشیمی، فولاد، سیمان، ریخته‌گری، داروسازی، لوازم منزل مهندسی پزشکی و به‌طور کلی هر سیستمی که نیاز به اتوماسیون صنعتی دارد، پیدا نموده‌است. منطق ترانزیستور-ترانزیستور
منطق ترانزیستور-ترانزیستور به اختصار تی‌تی‌ال ، یک کلاس از مدارهای منطقی ساخته شده از ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی و مقاومت‌ها می‌باشد. نامیده شدن تحت عنوان منطق ترانزیستور-ترانزیستور به خاطر این است که هم عمل منطقی (به عنوان مثال عمل AND) و هم عمل تقویت کردن توسط ترانزیستورها انجام می‌گیرید. (برخلاف منطق مقاومت-ترانزیستور و منطق دیود-ترانزیستور) رگولاتور خطی
از یک ترانزیستور (یا هر المان دیگر) به عنوان یکی از مقاومت‌های مدار تقسیم‌کننده ولتاژ برای تنظیم ولتاژ خروجی استفاده می‌شود (مقاومت دوم همان مقاومت بار است). ولتاژ خروجی با یک ولتاژ مرجع مقایسه می‌شود و یک سیگنال کنترل به پایه بیس یا گیت ترانزیستور ارسال می‌شود. به کمک فیدبک منفی و روش‌های جبران سازی مناسب، ولتاژ خروجی تا حد قابل قبولی ثابت می‌ماند. رگولاتورهای خطی اغلب از لحاظ بازده ناکارآمد هستند زیرا ترانزیستور به عنوان یک مقاومت اهمی عمل کرده و توان الکتریکی را به صورت حرارت تلف می‌کند. مقدار تلفات توان ترانزیستور برابر است با حاصلضرب شدت جریان عبوری در اختلاف ولتاژ بین ورودی و خروجی و از این رو، تنظیم کننده‌های خطی در مواردی بکار می‌رود که اختلاف ولتاژ منبع ورودی با خروجی مدار کم باشد. از سوی دیگر در رگولاتورهای خطی نیازی به سلف و ترانسفورماتور نیست. وجود این المان‌ها سبب تداخل الکترومغناطیسی شده و همچنین وزن و قیمت مدار را بالا می‌برند. ترانسفورماتور توزیع
ترانسفورماتور توزیع یا ترانسفورمر توزیع همچنین ترانس توزیع (به انگلیسی: distribution transformer) نوعی ترانسفورماتور است که تبدیل نهایی ولتاژ را در شبکه توزیع برق انجام می‌دهد. این ترانسفورمر، ولتاژ شبکه توزیع فشار متوسط را کاهش داده و سطح ولتاژ مورد نیاز مشترکان را فراهم می‌کند (ولتاژ برق شهر). این ترانسفورماتورها دارای توان‌های مختلفی هستند. در مواقعی که ترانسی با توان پایین نیاز است، آن را بر بالای تیر برق یا بین دو تیر نصب می‌کنند اما اگر ترانسی با قدرت بالا نیاز باشد (بیشتر از ۴۰۰ کیلو ولت‌آمپر) آن را درون اتاق مخصوصی قرار می‌دهند تا ایمنی شهروندان حفظ شود. این اتاق‌ها با درب زردرنگ در همهٔ محلات شهر قابل مشاهده است. اختراع این نوع ترانسفورماتورهای با بازدهٔ بالا که به سال ۱۸۸۲ میلادی بازمی‌گردد، توزیع برق را میسر و آسان می‌سازد. الکتریسیته
الکترونیک حالت جامد با ظهور ترانزیستور، ارتقا یافت. نخستین ترانزیستوری که با موفقیت آزمایش شد، ترانزیستور تماس نقطه‌ای بود که توسط جان باردین و والتر هاوسر برانید در سال ۱۹۴۷ اختراع شد، وسایل حالت جامد رایج عبارتند از: ترانزیستورها، تراشه‌های ریزپردازنده و حافظه دسترسی تصادفی. نوع ویژه‌ای از حافظه‌ها که حافظه فلش نام دارد، در یواس‌بی فلش درایوها به کار می‌رود و به تازگی، درایوهای حالت جامد جایگزین سیستم چرخش مکانیکی دیسک مغناطیسی در دیسک سخت شده‌است. وسایل حالت جامد در دهه‌های ۱۹۵۰ و ۱۹۶۰ محبوبیت فراوانی کسب کردند، که مصادف با تغییر از تکنولوژی لامپ خلاء به دیودهای نیم‌رسانا، ترانزیستورها، مدار مجتمع و ال‌ئی‌دی بود. ترانزیستور پیوندی دوقطبی
طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقاً مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود. ترانسمیشن (کلاینت بیت‌تورنت)
ترانسمیشن اجازه می‌دهد تا به تورنت‌ها و فایل‌های درون تورنت‌ها، اولویت اختصاص دهید، بنابراین می‌توانید تنظیم کنید که کدام فایل‌ها اول بارگیری شوند. این برنامه از پیوندهای مغناطیسی و اتصالات رمزگذاری شده پشتیبانی می‌کند. این کار باعث می‌شود تا ایجاد فایل تورنت و تبادل همتا سازگار با ویوز و میوتورنت باشد. ترانسمیشن شامل یک وب‌سرور داخلی است به طوری که کاربران می‌توانند ترانسمیشن از راه دور و از طریق وب کنترل کنند. همچنین پشتیبانی از کَش کردن همتاها، فهرست سیاه همتاهای بد، محدود کردن پهنای باند براساس زمان و روز و در سطح کلی یا هر تورنت و پشتیبانی جزئی از آی‌پی ورژن ۶ از دیگر امکانات این نرم‌افزار است. آیسفت
آیسفت یا ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون، برای سنجش تراکم یونی یک محلول بکار می‌رود، به طوری که وقتی تراکم یونی تغییر کند، جریان ترانزیستور نیز تغییر می‌کند در اینجا، محلول به عنوان الکترود دروازه بکار می‌رود. یک جریان بین زیرلایه و سطح اکسید تحریک می‌شود که به دلیل غلاف یونی می‌باشد. این نوع خاصی از ماسفت است. و همان ساختمان اساسی را دارد، اما در آن دروازه فلزی با غشای حساس به یون، الکترولیت محلول و الکترود مبنای جایگزین شده‌است. لغزانه ترانسفورماتور
۱- Motor Drive: جعبه موتور بروی بدنه ترانسفورماتور کارگذاشته شده‌است و جنبش موتور آن به جعبه دنده و از آنجا به دیگر بخش‌های لغزانه فرستاده می‌شود. برای آراستار و تنظیم تپ‌ها و دگرگونی در گردش موتور و دستگاههای فرستنده راه دور و دادن فرمان‌های از دور و نزدیک و خواندن اندازه تپ در درون این بسته کالاهای گوناگونی کار گذاشته شده، همچون کنتاکتور‌ها، کلیدهای محدود کننده، بی متال، رله کنترل فاز، گرم کننده، نشانگرها، بسته دنده و... ترانزیستور شاتکی
ترانزیستور شاتکی ترکیبی از ترانزیستور و دیود شاتکی است که با منحرف‌کردن جریان ورودی مازاد از اشباع ترانزیستور جلوگیری می‌کند. به آن ترانزیستور مهارشده با شاتکی نیز گفته می‌شود. ژول دزد
این مدار توسط سوئیچ کردن سریع ترانزیستور عمل می‌کند. در ابتدا، جریان از طریق مقاومت، سیم پیچ ثانویه و اتصال پایه امیتر شارش می‌یابد (نمودار را ببینید) که باعث می‌شود ترانزیستور جریان کلکتور را به سیم پیچ اولیه هدایت کند. متصل بودن دو سیم پیچ از جهت‌های مخالف به هم باعث ایجاد ولتاژ در سیم پیچ ثانویه می‌شود که مثبت است (به دلیل polarity پیچشی، نگاه کنید به قرارداد نقطه) که ترانزیستور را با بایاس بالاتر فعال می‌کند. این روند خودضربه زنی / بازخورد مثبت تقریباً بلافاصله ترانزیستور را به شدیدترین شکل ممکن فعال می‌کند (آن را به منطقه اشباع می‌برد)، و از مسیر کلکتور-امیتر اساساً یک سوئیچ بسته می‌سازد (از آنجا که V فقط حدود ۰٫۱ ولت، فرض می‌کنیم که جریان پایه به اندازه کافی بالا است). با قرار گرفتن سیم پیچ اولیه به‌طور مؤثر در موازات باتری، جریان با نرخی متناسب با ولتاژ منبع تقسیم شده توسط القا کننده افزایش می‌یابد. خاموش شدن ترانزیستور بسته به ولتاژ منبع تغذیه با مکانیزم‌های مختلفی انجام می‌شود. ترانزیستور
"ترانزیستور، یک ترکیب اختصاری از کلمات «ترانسفر» (انتقال) و «رزیستور» (مقاومت) است. این قطعه منطقاً متعلق به خانواده مقاومت متغیر است که "امپدانس انتقالی" و نیز "بهره" دارد؛ بنابراین این اسم یک ترکیب توصیفی است. -آزمایشگاه‌های تلفن بل- یاداشت فنی (۲۸ می۱۹۴۸)" ترانزیستور پیوندی دوقطبی
سطح تماس بین لایهٔ امیتر و بیس نسبت به سطح تماس بین لایهٔ کلکتور و بیس کمتر است. بیشترین حجم بین سه لایه را لایهٔ کلکتور و کمترین حجم را لایهٔ بیس دارد. مقاومت بین پایه‌های بیس-امیتر از مقاومت بین پایه‌های بیس-کلکتور بیشتر است و از این موضوع می‌توان برای تشخیص پایه‌های ترانزیستور استفاده کرد. ولتاژ سد دیودهای ترانزیستور برای ترانزیستورهای سیلیسیم ۰٫۷ ولت و برای ترانزیستورهای ژرمانیوم ۰٫۲ ولت است. پست برق
زمانی که از ولتاژهای مختلفی برای وصل به شین‌ها استفاده می‌شود بین سطوح مختلف ولتاژ از ترانسفورماتور استفاده می‌شود. هر ترانسفورماتور نیز به نوبه خود دارای یک مدارشکن است تا در صورت بروز خطا در آن، بقیه مدار را از ترانسفورماتور جدا کند. ترانزیستور تک‌پیوندی قابل‌برنامه‌ریزی
ترانزیستور تک‌پیوندی قابل‌برنامه‌ریزی (PUT) یک قطعه نیم‌رسانا الکترونیکی سه-سَر است که از لحاظ خصوصیات مشابه ترانزیستور تک‌پیوندی است، با این تفاوت که قابل‌برنامه‌ریزی است. در یک ترانزیستور یک‌پیوندی، ناحیه بیس توسط امیتر به دو قسمت تقسیم می‌شود. دو قسمت بیس یک تقسیم ولتاژ تشکیل می‌دهد که نقطه کار UJT را تنظیم می‌کند. این تقسیم‌کننده ولتاژ را می‌توان با دو مقاومت فیزیکی متصل به ترمینال گیت PUT برنامه‌ریزی کرد. این به طراحی اجازه می‌دهد تا نقطه کار PUT را کنترل کند. ترانسفورماتور زمین
ترانسفورماتور زمین () ترانسفورماتوری کمکی است که در جهت فراهم کردن نقطه خنثای مصنوعی؛ در ترانسفورماتورهای با توان الکتریکی سه فاز، برای فراهم کردن مسیر اتصال زمین، به یک سیستم اتصال ستاره یا مثلث فاقد اتصال زمین استفاده می‌شود. ترانسفورماتورهای زمین بخشی از سیستم اتصال به زمین در شبکه برق هستند. آن‌ها امکان دسترسی یک سیستم سه فازی به‌صورت دلتا متصل شده را به نول برای بارها، فراهم می‌سازند. اتصال آن به صورت زیگزاگ است. ممریستور
ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای ۲ ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بار الکتریک و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد همین وسیله شود مقاومت الکتریکی افزایش می‌یابد و وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می‌یابد. اما زمانی‌که جریان متوقف شد این جزء مدار آخرین مقاومتی را که داشته‌است حفظ می‌کند و وقتی دوباره جریان بار شروع می‌شود، مقاومت مدار به میزان آخرین زمان فعالیت خواهد بود. ترانسفورماتور تفاضلی متغیر دوار
این ترانسفورماتور یک ماشین الکتریکی مبدل است که دارای یک سیم‌پیچ در اولیه و دو سیم‌پیچ در ثانویه است. در شرایط عادی اگر زاویه اهرم صفر باشد ولتاژ مساوی در دو سیم‌پیچ ثانویه القا می‌شود اما با کوچکترین تغییر در زاویه اهرم که نقش هسته در ترانس را ایفا می‌کند منجر به تغییر توازن ولتاژ دو سیم‌پیچ ثانویه می‌شود. با احتساب تفاضل دو ولتاژ خروجی جابه‌جایی زاویه اهرم را با دقت بالا می‌توان اندازه گرفت. آینه جریان
ترانزیستور دوقطبی می‌تواند به عنوان ساده‌ترین "مبدل جریان-به-جریان" مورد استفاده قرار گیرد اما نسبت انتقال آن به تغییرات دما، تغییرات بتا (β) و غیره بستگی دارد. برای از بین بردن این اختلالات ناخواسته، یک آینه جریان از دو مبدل "جریان-به-ولتاژ آبشاری" و "ولتاژ به جریان تشکیل" شده‌است که در همان شرایط قرار گرفته و دارای خصوصیات معکوس هستند. خطی بودن برای آن‌ها واجب نیست؛ تنها مورد نیاز این است که ویژگی‌های آن‌ها آینه‌ای مانند باشد (برای مثال، در آینه جریان BJT در زیر، آن‌ها لگاریتمی و نمایی هستند). معمولاً از دو مبدل یکسان استفاده می‌شود اما ویژگی اول با استفاده از بازخورد منفی معکوس می‌شود؛ بنابراین یک آینه جریان از دو مبدل معادل آبشاری (اولی-معکوس و دومی-مستقیم) تشکیل شده‌است. ترانزیستور اثرمیدانی آلی
ترانزیستور اثرمیدانی آلی (اوفِت) یک ترانزیستور اثر میدانی است که از یک نیم‌رسانا آلی در کانال خود استفاده می‌کند. اوفِت‌ها را می‌توان با تبخیر خلأ از مولکول‌های کوچک، با ریخته‌گری محلول از پلیمرها یا مولکول‌های کوچک، یا با انتقال مکانیکی یک لایه آلی تک-بلوری پودر شده برروی یک زیرلایه تهیه کرد. این ادوات برای تحقق بخشیدن به محصولات الکترونیکی کم‌هزینه، ابعاد-بزرگ و الکترونیکی‌های زیست‌تجزیه‌پذیر تولید شده‌اند. اوفِت‌ها با هندسه‌های مختلف قطعه ساخته شده‌اند. هندسه ادواتی که معمولاً مورد استفاده قرار می‌گیرد، گیت زیرین با الکترودهای درین بالا و سورس است، زیرا این هندسه شبیه ترانزیستور سیلیکون با فیلم نازک (تی‌اف‌تی) است که از سیلیسیم دی‌اکسید به عنوان دی‌الکتریک گیت، با رشد حرارتی رشد می‌کند. از پلیمرهای آلی مانند پلی (متیل-متاکریلات) (PMMA) نیز می‌توان به عنوان دی‌الکتریک استفاده کرد. یکی از مزایای اوفِت‌ها، به ویژه در مقایسه با تی‌اف‌تی‌های غیر آلی، انعطاف‌پذیری فیزیکی بی‌نظیر آن‌ها است که منجر به کاربردهای زیست‌سازگار می‌شود، به عنوان مثال در صنعت مراقبت‌های بهداشتی در آینده از داروهای زیست پزشکی شخصی و بیوالکترونیک. بایاس کردن
به‌طور کلی در الکترونیک، قرار دادن یک عنصر مداری (مانند ترانزیستور و …) در ناحیه کاری‌اش بایاس‌کردن نام دارد؛ مثلاً در استفاده از یک ترانزیستور به عنوان تقویت‌کننده خطی، لازم است که ولتاژها و جریان‌های پایه‌های آن طوری تنظیم شوند که با اِعمال سیگنال ورودی، ترانزیستور تا جای ممکن در ناحیه خطی خود کارکرده و در آن باقی بماند. این کار برای جلوگیری از تغییر شکل (اِعوِجاج) سیگنال تقویت‌شده بسیار مهم است. ترانزیستور
در مدارهای آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت‌کننده‌ها استفاده می‌شوند (تقویت سیگنالهایی مانند صوت، امواج رادیویی، ...) و نیز منابع تغذیه تثبیت‌شده خطی و غیرخطی (منبع تغذیه سوییچینگ). در مدارهای دیجیتال از ترانزیستورها به عنوان سوییچ (کلید) الکترونیکی استفاده می‌شود، اگر چه به ندرت به صورت یک قطعهٔ جداگانه، بلکه به صورت به‌هم‌پیوسته در مدارهای مجتمع یک‌پارچه به کار می‌روند. مدارهای دیجیتال شامل گیت‌های منطقی (logic gates)، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، ریزپردازنده‌ها و پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSP) هستند. ترانسفورماتور تفاضلی متغیر خطی
ترانسفورماتور تفاضلی متغیر خطی یا ال‌وی‌دی‌تی () گونه‌ای ترانسفورماتور است که در جهت اندازه‌گیری جابه‌جایی خطی استفاده می‌شود. این ترانسفورماتور به شکل استوانه و دارای سه سیم‌پیچ است. سیم‌پیچ اولیه در مرکز آن قرار دارد و دو سیم‌پیچ ثانویه با تعداد دور یکسان و فاصله یکسان در کنار سیم‌پیچ اولیه قرار می‌گیرند. هسته آن استوانه‌ای و متحرک است اگر در وسط قرار بگیرد در دو سیم‌پیچ، به یک میزان ولتاژ القا می‌شود لذا تفاضل ولتاژ آن دو سیم‌پیچ در این حالت صفر است و چون دستگاه بسیار دقیق است با کوچک‌ترین تغییر هسته، تفاضل میان این دو سیم‌پیچ ثانویه از صفر تغییر می‌کند. ترانزیستور پیوند نامتناجس
ترانزیستور پیوند نامتناجس (به انگلیسی heterojunction bipolar transistor (HBT) ) نوعی از ترانزیستور است که از نیمه هادی‌های متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوند نامتناجس به وجود آمده است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می‌تواند در فرکانس‌های بسیار بالا تا حدود چند صد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستور معمولاً در مدارات نسل جدید بسیار سریع و فرکانس رادیویی که نیازمند راندمان بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده می‌شود. مراحل ساخت تراشه
دوباره لاک نوری با الگوی مشخصی روی ویفر می‌ریزد، سپس یون‌های با سرعت ۳۰۰٫۰۰۰کیلومتر در ساعت به ویفرها برخورد خواهند کرد و خواص شیمیایی ماده را تغییر می‌دهند و دوباره لاک نوری را پاک می‌کنند. اگر چه معمولاً صدها ریزپردازنده بر روی یک ویفر ساخته می‌شوند، این فرایندها تنها بر یک قسمت کوچکی از یک ریز پردازنده تمرکز می‌کند (بر روی یک ترانزیستور یا قسمت‌های وابسته آن). یک ترانزیستور به عنوان یک سوئیچ عمل می‌کند، جریان جریان الکتریکی را در یک تراشه کامپیوتر کنترل می‌کند. محققان ترانزیستورهای کوچک را توسعه داده‌اند بطوری‌که حدود ۳۰ میلیون از آن‌ها می‌توانند بر روی یک پین قرار بگیرند. پست برق
وظیفه پست انتقال (یا فوق‌توزیع) اتصال ۲ یا چند خط انتقال است. ساده‌ترین حالت زمانی است که ۲ خط دارای ولتاژ یکسان هستند. در این موارد پست دارای مدارشکن‌هایی است، تا در صورت نیاز، مثل انجام تعمیرات، مدار را از شبکه جدا کند. یک پست انتقال ممکن است دارای ترانسفورماتور برای تبدیل ۲ولتاژ انتقال یا تجهیزات تنظیم اختلاف فاز باشد. ترانزیستور
این دو دلیل هم بابت عدم ایده‌آل بودن دیفیوژن قطعات در هنگام ساخت قطعه است. یعنی وقتی که قطعه p روی n قرار می‌گیرد به جای اینکه سطوح صاف و مثلاً مثل مستطیل باشند، لبه‌های تند و تیز یا در جاهایی یکنواختی وجود دارد که لبه‌های تیز باعت حالت اول و لبه‌های صاف ایجاد حالت دوم می‌کند. خودکارسازی
ترانسدیوسر قطعه‌ای است که وظیفه تبدیل حالات انرژی به یکدیگر را برعهده دارد، حسگر پارامتر مورد اندازه‌گیری را به ترانسدیوسر تحویل می‌دهد، سپس ترانسدیوسر آن را به یک سیگنال قابل درک برای کنترلر تبدیل می‌کند لذا برای انجام این تبدیل نیاز به یک منبع انرژی خارجی دارد. ترانزیستور
قیمت کم، انعطاف‌پذیری و اطمینان، از ترانزیستور یک قطعهٔ همه‌کاره ساخته‌است. مدارهای ترانزیستوری به خوبی جایگزین دستگاه‌های کنترل ادوات و ماشین‌ها شده‌اند. استفاده از یک میکروکنترلر استاندارد و نوشتن یک برنامه رایانه‌ای که عمل کنترل را انجام می‌دهد اغلب ارزان‌تر و مؤثرتر از طراحی مکانیکی معادل آن است. کارآیی کامپیوتر
تعداد ترانزیستور، تعداد ترانزیستورهای مدار مجتمع (IC) است. تعداد ترانزیستور متداول‌ترین معیار پیچیدگی IC است. کلکتور باز
در تصویر، پایه ترانزیستور با عنوان "خروجی آی‌سی" مشخص شده‌است. این یک سیگنال از آی‌سی منطقی داخلی به ترانزیستور است. این سیگنال کلیدزنیِ ترانزیستور را کنترل می‌کند. خروجی بیرونی، کلکتور ترانزیستور است. ترانزیستور رابطی بین آی‌سی منطقی داخلی و قسمت‌های خارجی آی‌سی ایجاد می‌کند. حاصل ضرب بهره در پهنای‌باند
برای ترانزیستور، حاصل ضرب بهره جریان در پهنای‌باند به عنوان یا "فرکانس قطع" شناخته شده است. معمولاً، ترانزیستور باید در فرکانس‌های خیلی زیر بکار رود تا برای تقویت‌کننده و نوسان‌ساز مفید باشد. عدد ترانزیستور
عدد ترانزیستور ، تعداد ترانزیستورهای موجود در مدار یکپارچه (IC) است. این به‌طور معمول به تعداد ماسفت (ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیم‌رسانا، یا ترانزیستور ماس) در یک تراشه آی‌سی اشاره دارد، زیرا تمام آی‌سی‌های مدرن از ماسفت استفاده می‌کنند. این رایج‌ترین اندازه‌گیری پیچیدگی آی‌سی است (اگرچه بیشتر ترانزیستورها در میکروپروسسورهای مدرن در حافظه نهان قرار دارند که بیشتر آن‌ها از همان مدارهای سلول حافظه است که بارها تکرار شده‌اند). نرخ رشد تعداد ترانزیستور ماس به‌طور کلی مطابق قانون مور است، که مشاهده کرد که تعداد ترانزیستور تقریباً هر دو سال دو برابر می‌شود. ترانزیستور
اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالباً به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود. ترانزیستور پیوندی اثر میدان
در ناحیه اشباع: در منطقه خطی: یا جایی که Vp ولتاژ مصرف شده‌است، حداقل ولتاژ از گیت –سورس برای به‌طور کامل خاموش کردن، عبور می‌کند. هنگامی که در مقایسه با - کوچک است، دستگاه مانند یک مقاومت کنترل شده باولتاژ عمل می‌کند. ترانزیستور پیوندی دوقطبی
ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جِی‌تی نوعی ترانزیستور است که دارای سه‌پایه به نام‌های بِیس (B)، اِمیتر (E) و کُلِکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌ها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرند که تنها یک نوع حامل بار دارند. تریستور کنترل‌شده با نیمه‌رسانای اکسید فلز
تریستور کنترل‌شده با نیمه‌رسانای اکسید فلز یا اِم‌سی‌تی ، نوعی تریستور است که ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان و تریستور را همزمان در خود دارد. این تریستورها را می‌توان با دروازه‌ای مشابه دروازهٔ مسفتها خاموش و روشن نمود. ام‌سی‌تی‌ها دارای di/dt بالا(حدود ۱۰۰۰ آمپر بر میکروثانیه)، افت ولتاژ کم (حدود ۱ ولت)، و زمان خاموشی کوتاه (حدود ۱.۵ ثانیه) هستند. dv/dt در ام‌سی‌تی‌ها حدود ۵۰۰۰ ولت بر میکروثانیه است. با توجه به این ویژگی‌ها ام‌سی‌تی‌ها برای کلیدزنی بسیار مناسبند.