metal遷移金属のコバルトを積層したシリコン光導波路(Siプラズモニック導波路)の幅0.4マイクロメートルの領域に光が到達し、吸収された光によって243°Cに加熱できることを金属の抵抗の変化から測定することに成功しました(清水研究室)。Circuits遷移金属のCo(コバルト)を積層したSi(シリコン)光導波路(Siプラズモニック導波路)に光が到達し、吸収された光が発熱する際の温度上昇を金属の抵抗の変化を測定することにより明らかにしました。達する局所加熱ヒータを実現し、これまで報告された温度を上回りました。電子回路の配線を光化した光配線や光集積回路において必須となる超小型の光スイッチとその高密度化、光の強弱の情報を一時的に記憶する光メモリの実現に向けて有望な研究成果です。バイオテクノロジー、化学などの分野におけるlab-on-a-chipやオンチップ光センサなどのへの応用も期待されます。micrometers本研究成果は、Sensors誌(2021年10月6日付)に掲載されました。エネルギー分野の助教1名を募集します。エネルギー分野の助教1名を募集します。(必須)サイト%d人のブロガーが「いいね」をつけました。