Microscope)は薄片化した試料に電子線を照射し、透過した電子線を結像させる装置です。起因した像を観察できます。解析方法TEMは数十kV~数百kVに加速した電子線を試料に照射し、透過電子を磁界レンズで拡大することにより観察します。得られ、分解能は0.1nm~0.2nmです。T電子線が透過するように試料を薄片化する必要があり、主にFIBを用いて0.1~0.2μm程度に薄片化を行います。STEMは細く絞った電子ビームで試料を走査し、各種電子を検出して結像します。二次電子像(SE)、透過電子像(TE)、散乱電子像(ZC)の観察が可能です。マッピング(元素(B~U))の定性分析が可能です。EELSによる点分析、元素マッピング(元素(Li~))、及び化学結合状態の測定が可能です。※EDS、EELSの検出下限は%オーダーです。Reserved.管理者ログインRSS。