Japanese本発明は、スパークプラグの製造方法に関する。plug.従来から、電極の先端部に貴金属チップが設けられたスパークプラグが使用されている。このようなスパークプラグの製造では、貴金属チップと中間チップ(例えばNiチップ)とを接合した複合チップを形成し、この複合チップの中間チップを電極の先端部に接合する、という工程が採用されるのが普通である。normal.しかしながら、貴金属チップも中間チップも、その径と高さがいずれも約1mm前後の小さな部材であるため、両者をレーザー溶接して複合チップを形成する際に、レーザー光を照射する高さを2つのチップの境界部の高さに正しく設定するのは必ずしも容易では無いという問題があった。このような問題は、貴金属チップと中間チップとの接合工程だけでなく、一般に、2つのチップを接合する場合に共通する問題であった。A本発明は、複合チップを接合する際に、レーザー光を照射する高さを、複合チップを構成する2つのチップの境界部の高さに正しく調整することのできる技術を提供することを目的とする。do.本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。前記接合工程は、(a)前記第2チップを支持具の上に配置する工程と、(b)押し具を用いて少なくとも前記第2チップを下方に押した後に、前記レーザーの照射される高さを補正するための補正値を取得する工程と、(c)前記補正値に基いて前記レーザーが照射される高さを補正する工程と、(d)前記レーザーを用いて前記第1と第2のチップとを接合する工程と、を、この順序で備えることを特徴とするスパークプラグの製造方法。この構成では、押し具を用いて少なくとも第2チップを下方に押した後に、レーザーの照射される高さを補正するための補正値を取得し、この補正値に基いてレーザーが照射される高さを補正するので、レーザー光を照射する高さを、複合チップを構成する2つのチップの境界部の高さに正しく調整することができる。前記取得された前記第1チップの上面の高さ位置情報と、前記工程(i)で取得された前記第2チップの上面の高さ位置情報と、予め定められた基準上面高さとを用いて、前記補正値を取得する工程と、を含むことを特徴とするスパークプラグの製造方法。この構成によれば、測定で得られた第1チップと第2チップの上面の高さ位置情報と、予め定められた基準上面高さとを用いて、望ましい補正値を取得することが可能である。前記第2の測定装置は、前記第1の測定装置とは異なる測定原理で前記第1チップの上面の高さ位置情報を取得することを特徴とするスパークプラグの製造方法。この構成では、測定原理が異なる2つの測定装置を用いてチップの上面の高さを測定するので、それぞれの測定原理や測定装置の構成に適した測定状態において測定を実行することが可能である。前記第2の測定装置は、測長センサであることを特徴とするスパークプラグの製造方法。この構成では、測長センサを利用するので、第2のチップの上に載置された第1のチップの上面の高さ位置情報を容易に取得することができる。前記工程(d)において前記第1と第2のチップを接合する前に、前記第2チップの上に前記第1チップを配置する工程を有する、ことを特徴とするスパークプラグの製造方法。この構成では、押し具を用いて第2チップを下方に押した後に第2チップの上面の高さ位置情報を再取得し、再取得された上面の高さ位置情報と以前に取得された上面の高さ位置情報とを用いて補正値を取得することにより、望ましい補正値を容易に得ることができる。value.なお、本発明は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、スパークプラグ、スパークプラグ用の金具、及び、それらの製造方法等の形態で実現することができる。methods.本発明の一実施形態としてのスパークプラグの部分断面図。接合前の貴金属チップと中間チップを示す斜視図。貴金属チップと中間チップが接合された複合チップを示す斜視図。中心電極の先端部付近の拡大図。第1実施形態における接合装置の一例を示す説明図。第1実施形態における準備工程を示す説明図。第1実施形態における複合チップの接合工程を示す説明図。第2実施形態における複合チップの接合工程を示す説明図。第3実施形態における複合チップの接合工程を示す説明図。スパークプラグの製造方法の工程を示すフローチャート。plug.A.第1実施形態:図1は、本発明の一実施形態としてのスパークプラグ100の部分断面図である。図1では、スパークプラグ100の軸線O方向を図面における上下方向とし、下側をスパークプラグ100の先端側、上側を後端側として説明する。このスパークプラグ100は、絶縁碍子10と、主体金具50と、中心電極20と、接地電極30と、端子金具40とを備えている。40.絶縁碍子10はアルミナ等を焼成して形成され、軸中心に軸線O方向へ延びる軸孔12が形成された筒形状を有する。絶縁碍子10は中心電極20と主体金具50とを絶縁する絶縁体として用いられている。軸線O方向の略中央には外径が最も大きな鍔部19が形成されており、それより後端側(図1における上側)には後端側胴部18が形成されている。鍔部19より先端側(図1における下側)には、後端側胴部18よりも外径の小さな先端側胴部17が形成され、さらにその先端側胴部17よりも先端側に、先端側胴部17よりも外径の小さな脚長部13が形成されている。脚長部13は先端側ほど縮径され、スパークプラグ100が内燃機関のエンジンヘッド200に取り付けられた際には、その燃焼室に曝される。脚長部13と先端側胴部17との間には段部15が形成されている。17.中心電極20は、絶縁碍子10内に軸線O方向に保持された棒状の電極である。中心電極20は、インコネル(商標名)600または601等のニッケルまたはニッケルを主成分とする合金から形成された電極母材21の内部に、電極母材21よりも熱伝導性に優れる銅または銅を主成分とする合金からなる芯材25を埋設した構造を有する。通常、中心電極20は、有底筒状に形成された電極母材21の内部に芯材25を詰め、底側から押出成形を行って引き延ばすことで作製される。芯材25は、胴部分においては略一定の外径をなすものの、先端側においては先細り形状に形成される。side.中心電極20の先端部22は絶縁碍子10の先端よりも突出しており、先端側に向かって径小となるように形成されている。中心電極20の先端部22の先端面には、耐火花消耗性を向上するため、高融点の貴金属からなる略円柱状の貴金属チップ90が接合されている。貴金属チップ90は、例えば、イリジウム(Ir)や、Irを主成分として、白金(Pt)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(Pd)、レニウム(Re)等を、1種類あるいは2種類以上を添加したIr合金によって形成することができる。added.中心電極20と貴金属チップ90の接合は、貴金属チップ90と中心電極20の先端部22との合わせ面を狙って外周を一周するレーザー溶接によって行われている。レーザー溶接では、レーザーの照射により両材料が溶けて混ざり合うため、貴金属チップ90と中心電極20とは強固に接合される。中心電極20は軸孔12内を後端側に向けて延設され、シール体4およびセラミック抵抗3を経由して、後方(図1における上方)の端子金具40に電気的に接続されている。絶縁碍子10の後端部に設けられた端子金具40には、高圧ケーブル(図示しない)がプラグキャップ(図示しない)を介して接続され、高電圧が印加される。applied.接地電極30は、その基部32が主体金具50の先端面57に溶接され、先端部31の一側面が中心電極20の先端部22に対向するように配置されている。接地電極30は耐腐食性の高い金属から構成され、例えば、インコネル(商標名)600または601等のニッケル合金が用いられる。接地電極30は長手方向の横断面が略長方形を有している。接地電極30の先端部31は、先端部31の一側面が中心電極20に溶接された貴金属チップ90と、軸線O上で対向するように屈曲されている。O.接地電極30の先端部31には、中心電極20の先端部22と軸線O上で対向する面上に、中間チップ60が接合されている。中間チップ60は、例えば、クロム(Cr)、ケイ素(Si)、マンガン(Mn)アルミニウム(Ai)等を含んだNi合金によって形成することができる。中間チップ60上であって、中心電極20の先端部22と対向する側(図面上側)には、貴金属チップ70が接合されている。中間チップ60と貴金属チップ70との接合はレーザー溶接によりおこなわれ、貴金属チップ70と中間チップ60の溶融により溶融部80が形成されている。貴金属チップ70は、例えば、Ptを主成分として、Rh、Ni等を1種類あるいは2種類以上を添加したPt合金によって形成することができる。thereto.後述するように、スパークプラグの製造時には、中間チップ60と貴金属チップ70とが互いに接合された複合チップが形成され、この複合チップが接地電極30の先端部31に接合される。貴金属チップ70を「第1のチップ」とも呼び、「中間チップ60を「第2のチップ」とも呼ぶ。”.主体金具50は、内燃機関のエンジンヘッド200にスパークプラグ100を固定するための円筒状の金具である。主体金具50は、絶縁碍子10を内部に保持している。主体金具50は低炭素鋼材より形成され、図示外のスパークプラグレンチが嵌合する工具係合部51と、内燃機関の上部に設けられたエンジンヘッド200の取付ねじ孔201に螺合するねじ山が形成された取付ねじ部52とを備えている。the.主体金具50の工具係合部51と取付ねじ部52との間には、鍔状のシール部54が形成されている。取付ねじ部52とシール部54との間のねじ首59には、板体を折り曲げて形成した環状のガスケット5が嵌挿されている。ガスケット5は、スパークプラグ100をエンジンヘッド200に取り付けた際に、シール部54の座面55と、取付ねじ孔201の開口周縁部205との間で押し潰されて変形する。このガスケット5の変形により、スパークプラグ100とエンジンヘッド200間が封止され、取付ねじ孔201を介したエンジン内の気密漏れが防止される。prevented.主体金具50の工具係合部51より後端側には薄肉の加締部53が設けられている。シール部54と工具係合部51との間には、加締部53と同様に薄肉の座屈部58が設けられている。工具係合部51から加締部53にかけての主体金具50の内周面と絶縁碍子10との間には、円環状のリング部材6,7が介在され、さらにタルク(滑石)9の粉末が充填されている。加締部53を内側に折り曲げるようにして加締めることにより、リング部材6,7およびタルク9を介し、絶縁碍子10が主体金具50内で先端側に向け押圧される。これにより、主体金具50の内周で取付ねじ部52の位置に形成された段部56に、環状の板パッキン8を介し、絶縁碍子10の段部15が支持されて、主体金具50と絶縁碍子10とが一体にされる。このとき、主体金具50と絶縁碍子10との間の気密性は、板パッキン8によって保持され、燃焼ガスの流出が防止される。座屈部58は、加締めの際に、圧縮力の付加に伴い外向きに撓み変形するように構成されており、タルク9の軸線O方向の圧縮長を長くして主体金具50内の気密性を高めている。先端側における主体金具50と絶縁碍子10との間には、所定寸法のクリアランスが設けられている。side.なお、図1に示したスパークプラグの全体構成は単なる一例であり、これ以外の種々の構成を採用可能である。employed.図2は、接合前の貴金属チップ70と中間チップ60を示す斜視図である。貴金属チップ70は、略円柱形状を有しており、軸線に垂直な方向にギャップ形成面SF(「上面」又は「上底面」とも呼ぶ)を有している。ギャップ形成面SFは、スパークプラグ100において中心電極20の先端部22と対向するように配置される。ギャップ形成面SFは外縁部71を外周とした略円形状を有している。中間チップ60は、略円形状の柱状部61と、柱状部61よりも径方向に拡径された鍔状をなす鍔部62とを有し、柱状部61の上面は、貴金属チップ70を設置する設置面DFとして機能する。設置面DFは略円形状を有している。貴金属チップ70は、中間チップ60の設置面DF上に、貴金属チップ70の軸線と中間チップ60の軸線を一致させた状態で配置される。貴金属チップ70の径D1は、中間チップ60の設置面DFの径D2よりやや小さいのが普通である。60.図3は、貴金属チップ70と中間チップ60が接合された複合チップを示す斜視図である。中間チップ60と貴金属チップ70とがレーザー溶接等により接合されて複合チップCPが作製される。このとき、中間チップ60と貴金属チップ70の境界には溶融部80が形成される。複合チップCPの鍔部62は、接地電極30の先端部31に抵抗溶接等により接合される。like.図4は、中心電極20の先端部付近の拡大図である。複合チップCPは、その軸線が中心電極20の軸線に一致する位置に配置されている。中心電極20の下面CF(ここでは貴金属チップ90の下面)と、複合チップCPの上面SFとの間には、火花ギャップGが形成される。図1〜図4の例では、接地電極30の先端部31に複合チップCPが設けられていたが、中心電極20の先端部に複合チップを設けるようにしてもよい。中心電極20と接地電極30の少なくとも一方に複合チップを設けることが好ましい。30.図5は、第1実施形態において複合チップを接合する接合装置の一例を示す説明図である。この接合装置は、接合装置全体の制御を行う制御装置300と、撮像装置400と、チップ押さえ装置500と、レーザー溶接機600と、チップ支持装置700とを備えている。以下の説明では、貴金属チップ70を「第1のチップ70」と呼び、中間チップ60を「第2のチップ60」と呼ぶ。60”.チップ支持装置700は、第2のチップ60を支持する装置である。第2のチップ60の上には第1のチップ70も載置されるが、図5(A)ではこれらのチップ60,70が破線で描かれている。チップ支持装置700は、載置面712と把持爪714とをそれぞれ有する複数の把持具710を有している。これらの把持具710は、それぞれの把持爪714がチップ支持装置700の中心の位置に近づくように移動又は回動が可能な構成を有する。これらの把持具710が第2のチップ60の鍔部62を周囲から把持することにより、第2のチップ60が支持された状態となる。この把持状態では、鍔部62の底面が把持具710の載置面712上に載置され、鍔部62の上側の端部が把持爪714の内側で押された状態となる。把持具710は、第2のチップ60の周囲に複数(例えば3個)設けられているので、複数の把持具710で第2のチップ60を把持することによって、第2のチップ60の中心が、チップ支持装置700の中心の位置に正しく位置決めされる。把持具710による位置決め機能を高めるためには、載置面712と把持爪714の内面が鋭角をなすように形成されていることが好ましい。angle.チップ押さえ装置500は、第1のチップ70と第2のチップ60の境界部をレーザー溶接する際に、第1のチップ70の上面を下向きに押さえる装置である。チップ押さえ装置500は、第1のチップ70を押さえる押さえ具510(「押し具」とも呼ぶ)と、押さえ具510を上下に移動させる駆動機構520と、測長センサ530とを有している。駆動機構520には、測長センサ530を下向きに押すことによって測長動作を行わせるためのレバー部材522が設けられている。図5(B)に示すように、駆動機構520が下降して第1のチップ70を押さえると、レバー部材522が測長センサ530に上側から接触する。測長センサ530は、レバー部材522で押さえられることによって、その高さ(長さ)が変化し、その変化量を測長信号として制御装置300に出力する。signal.レーザー溶接機600は、チップ支持装置700上に第2のチップ60と第1のチップ70が載置され、チップ押さえ装置500で第1のチップ70が押さえられた状態で、第1のチップ70と第2のチップ60の境界部分を溶接することによって両者を接合して、複合チップを形成する(図5(B))。5B).なお、レーザー溶接時における第2のチップ60の上面の高さは、第2のチップ60がチップ支持装置700で支持された直後の状態における第2のチップ60の上面の高さから変化する場合がある。第2のチップ60の上に第1のチップ70を重ねた状態でチップ押さえ装置500で上から押さえると、第2のチップ60の上面高さが少し低下する場合がある。この高さ変化は、例えば、第2のチップ60が把持具710で把持されたときに、その載置面712から第2のチップ60が浮き上がっている場合があることなどに起因している。そこで、後述するように、第2のチップ60の上面高さを正確に測定して、レーザー溶接時における第2のチップ60の上面高さ(すなわち、第1の第2のチップの境界部の高さ)を正確に決定する処理が実行される。executed.撮像装置400は、チップの高さを測定するために使用される。チップ支持装置700に第2のチップ60のみが載置された状態で、第2のチップ60を撮影し、制御装置300がその画像を解析すること(画像処理を行うこと)によって第2のチップ60の上面の高さを測定することができる。この画像解析としては、周知の種々の手法を利用可能である。多階調モノクロ画像又は2値画像を撮像し、その画像に対してエッジ検出を行うことによって、チップの上面の高さを決定することが可能である。image.図5の接合装置では、チップの高さを測定する測定装置として、撮像装置400(第1の測定装置)と測長センサ530(第2の測定装置)の2つの装置が設けられている。後述するように、撮像装置400は、主に、チップ支持装置700上に第2のチップ60のみが支持されて、その上に第1のチップ70が載置されていない状態において、第2のチップ60の上面の高さを測定する際に使用される。測長センサ530は、主に、チップ支持装置700上に第2のチップ60が支持され、その上に第1のチップ70が載置されている状態において、第1のチップ70の上面の高さを測定するために使用される。画像処理による高さ測定は、チップの上面の高さをかなり高精度に測定することができる。2つのチップ60,70の直径の差が極めて小さい(例えば直径の差が0.1mm以下)の場合には、2つのチップ60,70が重ねられた状態において、2つのチップ60,70の境界の高さを画像解析で正確に測定するのが困難な場合がある。そこで、第1実施形態では、2つのチップ60,70が重ねられた状態では、撮像装置400ではなく、測長センサ530を用いてその高さを測定するものとしている。これらの測定装置の具体的な使用方法については以下で詳述する。below.図6は、第1実施形態における複合チップの接合のための準備工程を示す説明図である。図6(A)〜(D)の処理は、2つの基準高さH1ref,H2refと高さ差分基準値ΔH1refと取得するための処理である。ここで、第1の基準高さH1ref(図6(D))は、レーザー溶接時における第1のチップ70の上面の標準的な高さを示す値である。第2の基準高さH2ref(図6(B))は、チップ支持装置700上に第2のチップ60を載置した状態における第2のチップ60の上面の標準的な高さを示す値である。高さ差分基準値ΔH1ref(図6(D))は、第2の基準高さH2refから第1の基準高さH1refへの変化量を示す値である。この図6(A)〜(D)の処理は、製品用の複合チップの製造を行う前に、予め標準的なチップ60,70を用いて複数回実行されることが好ましい。product.図6(A)は、チップ支持装置700の把持具710上に第2のチップ60が載置された状態を示している。第2のチップ60や第1のチップの載置は、通常は、それぞれのチップの搬送装置(図示せず)によって自動的に行われる。図6(B)では、撮像装置400で第2のチップ60を撮影し、画像処理によって第2のチップ60の上面高さH2を測定する。複数回の図6(B)の測定で得られた上面高さH2の平均値は、第2のチップ60の上面高さの基準値H2refとして制御装置300の記憶装置310(図5)に格納される。図6(C)では、第2のチップ60の上に、第1のチップ70を載置する。図6(D)では、チップ押さえ装置500を用いて、第1のチップ70の上面から、第1のチップ70と第2のチップ60を押さえる上押さえ処理(「上面押さえ処理」とも呼ぶ)を行う。この上押さえをしながら、測長センサ530を用いて測長値H1を取得する。複数回の図6(D)の測長で得られた測長値H1の平均値は、第1のチップ70の上面高さの基準値H1refとして記憶装置310に格納される。70.高さ差分基準値ΔH1refは、以下の式で算出される。(1)図7は、製品用の複合チップの接合工程を示す説明図である。図7(A)〜(D)の処理は、図6(A)〜(D)の処理と同じである。図7(A)においては把持具710上に第2のチップ60が載置され、図7(B)では画像処理によって第2のチップ60の上面高さH2mesが測定される。図7(C)で第2のチップ60の上に第1のチップ70を載置した後に、図7(D)では、第1のチップ70の上押さえをしながら、測長センサ530を用いて測長値H1mesを取得する。この測長値H1mesは、第1のチップ70の上面高さの測定値に相当する。70.図6及び図7における測定により、以下の基準値及び測定値が得られる。・H1ref:第1のチップ70の上面高さの基準値(図6(D))・H2ref:第2のチップ60の上面高さの基準値(図6(B))・H1mes:第1のチップ70の上面高さの測定値(図7(D))・H2mes:第2のチップ60の上面高さの測定値(図7(B))・ΔH1ref:高さ差分基準値(上記(1)式)これらの基準値及び測定値(高さ位置情報)は、制御装置300の記憶装置310内に格納される。300.制御装置300は、これらの各種の値を用いて、以下のようないくつかの判定値を算出することが可能である。...(2)この(2)式の右辺第1項(H2mes+ΔH1ref)は、図7(C)の状態における第1のチップ70の上面高さの推定値に相当する。(2)式の右辺第2項(H1mes)は、上押さえ後の第1のチップ70の上面高さの測定値(図7(D))である。従って、この異常判定値δ1が過度に大きい場合には、図7(A)〜(C)の状態における第2のチップ60の浮き上がりや、装置の温度変化による誤差が大きいことを示唆している。この異常判定値δ1が過度に小さい場合にも、何らかの測定異常が発生している可能性がある。そこで、この第1の異常判定値δ1が、予め設定された第1の許容範囲を外れている場合には、何らかの異常が存在するものと判定することができる。この第1の許容範囲は、予め実験的又は経験的に設定される。これは以下で説明する他の許容範囲も同様である。...(3)この第2の異常判定値δ2は、上押さえ後の第1のチップ70の上面高さの基準値と実際の測定値の差である。この異常判定値δ2が予め設定された第2の許容範囲を外れている場合には、やはり何らかの不具合が発生しているものと推定される。...(4)この第3の異常判定値δ3は、第2のチップ60の上面高さの測定値H2mesと、第1のチップ70の上面高さの測定値H1mesと、の差分である。従って、この異常判定値δ3が予め設定された第3の許容範囲を外れている場合には、やはり何らかの不具合が発生しているものと推定される。occurred.制御装置300は、上述した3つの異常判定値δ1〜δ3を用いた異常判定によって、何らかの異常が発生したものと判断した場合には、この複合チップの溶接を中止又は再試行する(図7(A)から始める)ことが好ましい。これらの異常判定処理の一部又は全部を省略してもよい。omitted.制御装置300は、レーザー溶接を実行しようとする際には、レーザー溶接の高さ(第2のチップ60の上面高さ)を補正するための高さ補正値ΔH2を以下のように算出する。...(5)ここで、右辺第1項は、第2のチップ60の上面高さの基準値H2refと測定値H2mesの差分であり、右辺第2項は第1のチップ70の上面高さの基準値H1refと測定値H1mesの差分である。第2のチップ60をチップ支持装置700に支持した状態(図7(B))において第2のチップ60の浮き上がりが無ければ、右辺第1項と第2項は互いに相殺し、補正値ΔH2aはほぼゼロになると期待される。第2のチップ60の浮き上がりがあれば、第1のチップ70の上面高さの測定値H1mesがこれに応じて小さくなるので、(5)式の右辺第2項の絶対値が大きくなり、補正値ΔH2aの値が負になる。このように、この高さ補正値ΔH2aは、第2のチップ60の浮き上がりの程度を示す値であると考えることが可能である。60.制御装置300は、この高さ補正値ΔH2aを使用して、第2のチップ60の補正後の上面高さH2corを算出することができる。(6)この補正後の上面高さH2corは、第1のチップ70と第2のチップ60の境界面の高さを示している。従って、この補正後の高さH2corを用いてレーザー溶接機600によるレーザー溶接の高さを調整すれば、図3に示したように、第1のチップ70と第2のチップ60の境界部において正しく溶接を行うことができる。図7(E)は、このようにして溶接が行われている様子を示している。way.なお、後続の複合チップの溶接時に使用するために、図7(B)及び図7(D)で得られた測定値H2mes,H1mesを、それぞれの基準値H2ref,H1refに反映するようにしてもよい。基準値H2refを得る際に使用した測定回数を記憶装置310内に記憶しておき、新たに得られた測定値H2mesを含めた全測定値の平均を取ることによって、基準値H2refを更新することができる。基準値H1refについても同様である。H1ref.このように、第1実施形態では、第2のチップ60の上面高さを測定し(図7(B))、その上に第1のチップ70を載置した状態で第1のチップ70の上面を下方に押した後に第1のチップ70の上面高さを測定し(図7(D))、これらの測定値を用いて第2のチップ60の上面高さを補正したので、第2のチップ60に浮き上がりがあった場合にも、正しい高さを得ることができる。この結果、レーザー溶接を正しい高さで実行することが可能である。複数回の測定で得られた測定値から基準値H2ref,H1refを決定し、これらの基準値H2ref,H1refを用いて高さ補正値ΔH2aを求めるようにしたので、装置の温度変化等に応じて高さ測定値が多少変動した場合にも、その変動を反映した補正を実行することが可能である。fluctuation.なお、上記(6)式に(5)式を代入すると次式が得られる。...(7)この場合には、(7)式の右辺第2項(H1ref−H1mes)が、高さ補正値として使用されていることが理解できる。value.上記(7)式に従って第2のチップ60の補正後の上面高さH2corを算出する場合には、図7(B)における高さ測定は省略可能である。図7(B)における高さ測定を行えば、上述した第1の異常判定値δ1や第3の異常判定値δ3を用いた異常判定を実行できるので、より確実に異常の無い状態でチップの溶接を実行できる点で好ましい。performed.B.第2実施形態:図8は、本発明の第2実施形態における接合装置とその動作を示す説明図であり、第1実施形態の図7に対応する図である。第2実施形態では、図6で説明した準備工程は省略してもよい。omitted.図8(A),(B)は、図7(A),(B)と同じであり、第2のチップ60の上面高さH2が画像処理によって測定される。第2実施形態では、後述する図8(D)でも第2のチップ60の上面高さが測定されるので、図8(B)における高さ測定値を「H2mes1」とする。図8(C)では、チップ押さえ装置500を用いて、第2のチップ60の上面から第2のチップ60を下方に押さえる上押さえ処理を行う。ここでは、第1のチップ70が第2のチップ60の上に載置されていない状態で上押さえ処理が実行されている。その後、図8(D)において、図8(B)と同様に、第2のチップ60の上面高さH2mes2が画像処理によって再測定される。図8(B)の状態で第2のチップ60に浮き上がりがあった場合には、図8(D)で得られた測定値H2mes2は、図8(B)で得られた測定値H2mes1とはかなり異なる値となる。different.第2実施形態において、高さ補正値ΔH2bと、第2のチップ60の補正後の上面高さH2corは、それぞれ以下の式で算出される。(9)このように、第2実施形態では、第2のチップ60の上面高さを測定し、第2のチップ60の上面を下方に押した後に第2のチップ60の上面高さを再測定し、これらの測定値を用いて第2のチップ60の上面高さを補正したので、第2のチップ60に浮き上がりがあった場合にも、正しい高さを得ることができる。この結果、レーザー溶接を正しい高さで実行することが可能である。height.なお、上記(9)式に(8)式を代入すると次式が得られる。...(10)この(10)式を使用する場合には、2回目の測定値H2mes2自体が、補正後の高さとして使用されている。この場合にも、上述した(11)式で与えられる高さ補正値ΔH2bが実質的に使用されているものと考えることが可能である。この点は、後述する第3実施形態も同様である。later.C.第3実施形態:図9は、本発明の第3実施形態における接合装置とその動作を示す説明図であり、第1実施形態の図7に対応する図である。第3実施形態では、図6で説明した準備工程は省略してもよい。omitted.図9(A)〜(C)は、図7(A)〜(C)と同じである。図9(B)では、第2のチップ60の上面高さH2mes1が画像処理によって測定され、図9(C)では第2のチップ60の上に第1のチップ70が載置される。図9(D)では、チップ押さえ装置500を用いて、第1のチップ70の上面から第1のチップ70を下方に押さえる上押さえ処理を行いつつ、撮像装置400を用いた画像処理によって、第2のチップ60の上面高さH2mes2が画像処理によって再測定される。図9(D)の状態では、第2のチップ60の上に第1のチップ70が載置されているので、画像処理では、それらの境界線を探索する処理が実行される。executed.第3実施形態においても、第2実施形態と同様に、高さ補正値ΔH2cと、第2のチップ60の補正後の上面高さH2corが、それぞれ以下の式で算出される。(12)このように、第3実施形態では、第2のチップ60の上面高さを測定し、第2のチップ60の上に第1のチップ70が載置された後に、第1のチップ70の上面を下方に押した後に第2のチップ60の上面高さを再測定し、これらの測定値を用いて第2のチップ60の上面高さを補正したので、第2のチップ60に浮き上がりがあった場合にも、正しい高さを得ることができる。この結果、レーザー溶接を正しい高さで実行することが可能である。height.なお、第1実施形態(図7)では、第1と第2のチップ70,60を重ねて第1のチップ70を上から押さえた状態で、第1のチップ70の高さ測定(図7(D))を行うことによって高さ補正値を得ていた。第2実施形態(図8)では、第2のチップ60のみを上から押さえた後に、第2のチップ60の高さ測定(図8(D))を行うことによって高さ補正値を得ていた。第3実施形態(図9)では、第1と第2のチップ70,60を重ねて第1のチップ70を上から押さえた状態で、第2のチップ60の高さ測定(図9(D))を行うことによって高さ補正値を得ていた。これらの各種の実施形態から理解できるように、レーザーの照射高さを補正するための補正値を取得するための測定(図7(D),図8(D),図9(D)など)は、押し具を用いて少なくとも第2のチップ60を下方に押した後に行われることが好ましい。第1と第2のチップ70,60を重ねて第1のチップ70を上から押さえた後に、レーザーの照射高さを補正するための補正値を取得するための測定を行えば、より高精度に高さ補正値を得ることができるものと期待できる。accuracy.D.スパークプラグの製造工程全体:図10は、本発明の一実施形態におけるスパークプラグの製造方法の工程を示すフローチャートである。ステップT10では主体金具50と、絶縁碍子10と、中心電極20と、接地電極30とが準備される。ステップT20では、第1のチップ70と第2のチップ60が接合された複合チップCPが作成される。この複合チップCPの作成工程は、図7〜図9のいずれかで説明した手順で実行される。ステップT30では、主体金具50に接地電極30が接合され、ステップT40では、曲げ工具(図示省略)を用いて接地電極30の先端が曲げ加工される。ステップT50では、接地電極30の先端部31に複合チップCPが接合される(図4)。この接合は、例えば抵抗溶接を利用して行われる。ステップT60では、主体金具50に中心電極20と絶縁碍子10とが挿入される組み付け工程が実施される。この組み付け工程によって、主体金具50の内側に絶縁碍子(絶縁体)10と中心電極20とが組み付けられた組立体が構成される。組み付け工程としては、中心電極20を絶縁碍子10に組み付けたものを主体金具50に組み付ける方法と、絶縁碍子10を主体金具50に組み付けた後に、中心電極20を組み付ける方法とがあるが、これらのいずれを採用してもよい。ステップT70では、加締工具(図示省略)を用いて、主体金具50の加締加工が実施される。この加締加工により、絶縁碍子10が主体金具50に固定される。ステップT80において主体金具50の取付ねじ部52にガスケット5が装着されて、スパークプラグ100が完成する。completed.なお、図10に示した製造方法は単なる一例であり、これとは異なる種々の方法でスパークプラグを製造可能である。ステップT10〜T80の工程の順序はある程度任意に変更可能である。extent.・変形例:なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。possible.・変形例1:上記実施形態では、チップの上面の高さを測定する測定装置として、撮像装置400(第1の測定装置)と、測長センサ530(第2の測定装置)とを用いていたが、これらの測定装置としては任意の種々のタイプの測定装置を使用可能である。これらの第1と第2の測定装置としては、同じ測定原理で測定を行う装置よりも、異なる測定原理で測定を行う装置を利用することが好ましい。すれば、それぞれの測定原理や測定装置の構成に適した測定状態において測定を実行することが可能である。各種の測定原理を利用したセンサを利用することが可能である。測長センサは、第2のチップ60の上に第1のチップ70を載置した状態で使用すれば、画像処理を利用するよりも簡単に測定を行えるという利点がある。前記接合工程は、(a)前記第2チップを支持具の上に配置する工程と、(b)押し具を用いて少なくとも前記第2チップを下方に押した後に、前記レーザーの照射される高さを補正するための補正値を取得する工程と、(c)前記補正値に基いて前記レーザーが照射される高さを補正する工程と、(d)前記レーザーを用いて前記第1と第2のチップとを接合する工程と、を、この順序で備えることを特徴とするスパークプラグの製造方法。前記取得された前記第1チップの上面の高さ位置情報と、前記工程(i)で取得された前記第2チップの上面の高さ位置情報と、予め定められた基準上面高さとを用いて、前記補正値を取得する工程と、を含むことを特徴とするスパークプラグの製造方法。前記第2の測定装置は、前記第1の測定装置とは異なる測定原理で前記第1チップの上面の高さ位置情報を取得することを特徴とするスパークプラグの製造方法。前記第2の測定装置は、測長センサであることを特徴とするスパークプラグの製造方法。前記工程(d)において前記第1と第2のチップを接合する前に、前記第2チップの上に前記第1チップを配置する工程を有する、ことを特徴とするスパークプラグの製造方法。