目標であった一辺の寸法が50mm以上の電子基板において、そのはんだ接合部の熱疲労き裂を、完全な非破壊で観察することが可能となった。得られたラミノグラフィ画像は、き裂を抽出するための十分な画質を有しており、同一のはんだバンプにおけるき裂進展過程を三次元的に明瞭に捉えることが可能となった。抽出されたき裂の三次元画像からき裂表面積を計測し、き裂進展速度を算出することが可能であり、これを基にき裂進展寿命を推定することが可能である。現時点では、測定サンプル数、測定サイクル数ともにデータ数が限定的なため、精度の向上のためには、さらに多数のサンプルの測定が必要である。今後は、この問題を解決するとともに、企業との共同で実際の製品開発への適用を模索したい。新たな研究課題への本技術の応用も検討している。