Abstract本研究の目的は、高温超伝導デバイスを用いて、従来のエレクトロニクスデバイスの性能や機能を画期的に向上させる新しい応用デバイス開発の基礎研究を行うことであり、当初の実施計画の3つのテ-マは下記の通りほぼ達成された。その成果をテ-マの順に述べる。対抗電極スパッタリング装置を用いて、YBCO薄膜の製作を行つた。基板はSTOとMgOの2種類を用い、臨界温度が前者では83K、後者では74K以上の薄膜を再現性良く成膜することができた。今後はさらに良特性の膜を作る検討を行なう。IC用高温超伝導配線の開発をめざして、マイクロストリップ薄膜線路の製作を行つた。基板片面に成膜して中心導体のパタ-ンニグを行い、ついで裏面全面にスパッタ膜を作って線路を構成する。STO基板上では臨界温度が77K以上、MgO基板上では40K以上の臨界温度で動作する線路を作成できた。製作し、線路の減衰定数と位相定数をネットワ-クアナライザを用いて測定した。室温と4Kにおけるこれらの測定結果から、高温超伝導線路の特性が著しく改善されることが分かり、今後さらに良質な高温超伝導線路の製作を行って、特性の評価を行う。新しい試みとして、ジョセフソンファジィプロセッサを提案し、シミュレ-ションによりその性能を比較し、現在の機能の数10倍速い性能が得られることを示した。