2023にて展示することを発表した。IGBTの小型化に対応する。LSは、難燃性の非ハロゲン化合物で、レーザー感度が高く、熱安定性と低吸水性、優れた電気特性を有する。CTI値(比較トラッキング指数)が600vを超えており、これまでパワースイッチに使用されていた材料より沿面距離が短く、断熱性に優れているため、IGBTの小型化に対応する。高め、小型化に対応する。N(PA9T)は、機械的強度を維持しながら、温度上昇や高電流に耐えられるように最適化。優れた電気絶縁性、堅牢な難燃性、正確な寸法安定性を有し、熱と湿気に対する長期耐久性を備えた材料を使用している。半導体を湿気、ほこり、汚れなどの機械的ストレスや環境ストレスから保護する。UL認定グレードの電気RTI(相対温度指数)値は150°Cを達成。ハロゲンなどの腐食性成分を含まないため、接触腐食のリスクを回避できる。同社のPPAは、IGBTの製造に関して、金属ピンとクランプによる射出成形後に半導体を組み立てる際に使用されるポッティング材料と互換性を持つ。D3(PA/PPA)の6つで構成されている。