電験三種FETの動作理論トランジスタにはいくつか種類があり、その一つが電界効果トランジスタ(FET)で、接合型FETとMOSFETの2つの種類があります。本項ではは接合型FETの構造と動作理論について説明します。接合型FETはにはnチャネルFETとpチャネルFETの二つがあります。(ドレイン)・G(ゲート)・S(ソース)の3つです。接合型FETの構造は、下記の図のようにゲートが繋がる半導体をもう1種類の半導体が囲うようになっているのが特徴で、半導体は2つしか使っていません。回路記号は下記のようになります。バイポーラトランジスタは、電流を流すことによってスイッチングや電流の増幅を行いますが、FETは電圧で電流を制御するトランジスタです。上の図のような回路で、ドレイン・ソース間に電圧をかけると電流が流れます。その状態のまま、ゲート・ソース間に電圧をかけるとゲートの半導体とドレイン・ソースの半導体の間に空乏層ができ電流が流れづらくなるのです。ゲート・ソース間の電圧が大きくなるにしたがって、ドレイン・ソース間の電流の値は小さくなっていきます。これが電圧によって電流を制御するFETの理論です。トランジスタは同じ半導体を使っていても、種類によって原理や動作は違います。名前の違いだけでなく、理論の違いもしっかり覚えるようにしましょう。誘導電動機の入出力とトルクミルマンの定理とは同期機のベクトル図とV曲線について一線地絡電流の計算式についてコメントこの記事へのコメントはありません。全てのコンテンツを見るには無料会員登録してください。