MOSFET「SQJA81EP」を発表した。サンプルと製品を提供でき、量産時の標準納期は14週間となっている。80Vデバイスと比べオン抵抗が最も低く、電力密度と効率性を向上するため、車載アプリケーションに最適だ。SO-8Lシングルパッケージで提供され、10Vで最小17.3mΩ/標準14.3mΩのオン抵抗を提供する。オン抵抗は、DPAKパッケージに収められた最も近い競合製品と比べ28%低く、前世代ソリューションと比べ31%低くなっている。実装面積も50%削減。低オン抵抗は、導通時の電力損失を抑えて省エネに貢献し、高出力によって電力密度を向上する。10Vで52nCの優れたゲート電荷は、ゲートドライブでの損失を軽減。最高クラスのゲート電荷とオン抵抗の積(電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM)を提供する。バッテリー管理、ハイサイドロードスイッチング、LED照明などの車載アプリケーションが必要とする堅牢さと信頼性を提供する。ガルウィングリードは、自動光学検査(AOI)でのはんだ認識率を向上させ、機械的ストレスを緩和することで基板レベルの信頼性を高める。デバイスの80V定格は、12V、24V、48Vシステムなど幅広く使用される入力電圧レールに対応する安全マージンを提供する。向上した電力密度は、並列で使用される部品数を減らすことでシステムのPCBスペースを節約できる。簡素化されたゲートドライブ設計ができ、Pチャネルデバイスとして対のNチャネル部品が必要とするチャージポンプが不要になるという。MOSFETは、全数Rg、UIS試験済で、RoHSに準拠する鉛フリーのハロゲンフリー品となる。