構成される誘電体層を有するセラミック電子部品に関する。composition.セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、小型で高性能、かつ高信頼性を有する電子部品として広く利用されており、自動車用の電子部品として積層セラミックコンデンサが多数搭載されている。automobiles.自動車搭載用の積層セラミックコンデンサは、小型かつ高性能であることはもちろん、高温かつ高電圧な環境にも対応できることが必須条件である。近年では、積層セラミックコンデンサに対して、125°C〜150°Cの高温環境下、かつ16Vから100Vでの動作保障および信頼性の向上が要求されている。V.特許文献1にはX8R特性を満足しつつ、高い信頼性を有している積層セラミックコンデンサが記載されている。積層セラミックコンデンサの誘電体磁器層の厚みを10μm〜15μmに薄層化することが可能である旨が記載されている。μm.しかし、近年では、積層セラミックコンデンサのさらなる小型化および誘電体層の薄層化が求められている。積層セラミックコンデンサの小型化に伴い誘電体層を薄層化すると、同じ電圧を印加しても、誘電体層への電界強度が強くなることで、信頼性が低下することが知られている。7-37427本発明はこのような実情に鑑みてなされ、従来よりも誘電体層を薄層化して誘電体層に印加される電界強度が高くなった場合、また積層数が増えた場合において良好な温度特性と十分な信頼性を満足する誘電体磁器組成物および電子部品を提供することである。前記主成分100モルに対する前記Euの酸化物の含有量をEu2O3換算でαモル、前記Raの酸化物の含有量をRa2O3換算でβモル、前記Rbの酸化物の含有量をRb2O3換算でγモル、前記第2の副成分の含有量をSiO2換算でδモルとすると、0.075≦α≦0.50.5≦β≦31.0≦γ≦41.5≦δ≦50.030≦α/δ≦0.250であることを特徴とする。being.本発明に係る誘電体磁器組成物は、セラミック電子部品の誘電体層に用いることができる。誘電体層を2μm以下に薄層化しても、−55〜150°Cの広範囲の温度領域において静電容量変化が少なく、150°C近傍の高温でも絶縁抵抗が高く、さらに高温負荷寿命に優れるセラミック電子部品を得ることができる。前記主成分100モルに対する前記第3の副成分の含有量は、BaO、CaO換算で0.5〜4モルであることが好ましい。前記主成分100モルに対する前記第4の副成分の含有量は、MnO、Cr2O3換算で0.05〜0.3モルであることが好ましい。前記主成分100モルに対する前記第5の副成分の含有量は、V2O5、Mo2O3、WO3換算で0.010〜0.15モルであることが好ましい。前記主成分100モルに対しする前記第6の副成分の含有量は、MgO換算で0.5〜1.8モルであることが好ましい。MgO.本発明は、さらに、上記の誘電体磁器組成物から形成される誘電体層と、電極層とを有するセラミック電子部品に関する。layer.本発明は、さらに、前記誘電体層の厚さが2μm以下であるセラミック電子部品に関する。less.本発明に係るセラミック電子部品は、誘電体層の厚さを2μm以下としても、EIA規格のX8R特性を満たすことができ、小型かつ高静電容量で信頼性の高いセラミック電子部品となる。本発明に係るセラミック電子部品が積層セラミック電子部品である場合には、積層数を従来よりも増加させることも可能である。誘電体層に印可できる電界強度も高くなる。increased.さらに、本発明に係る誘電体磁器組成物から形成される誘電体層を有する積層セラミックコンデンサは、自動車の電子装置のように厳しい環境下で使用される各種機器内において安定した動作が可能となり、適用された機器の信頼性を著しく向上させることができる。improved.本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。invention.以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。drawings.(積層セラミックコンデンサ)図1に示すように、積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と、内部電極層3と、が交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。内部電極層3は、各端面がコンデンサ素子本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。circuit.コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、図1に示すように、通常、直方体とされる。その寸法にも特に制限はない。dimension.(誘電体層)誘電体層2は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物から構成されている。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、一般式ABO3(AはBa、CaおよびSrから選ばれる少なくとも1つであり、BはTiおよびZrから選ばれる少なくとも1つである)で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として有している。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、主成分がABO3である誘電体粒子を有しているともいえる。.一般式ABO3で表される化合物の具体例として、{(Ba1−x−yCaxSry)O}u(Ti1−zZrz)vO3で表される化合物が挙げられる。u、v、x、y、zの値には特に制限はない。z.上記式中、xは好ましくは0≦x≦0.1、より好ましくは0≦x≦0.05ある。xを前記の範囲内とすることにより、本実施形態に係る誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の温度特性や比誘電率を好ましい範囲に制御することができる。xが大きすぎると、誘電体層の比誘電率が低くなりすぎる傾向にある。本実施形態においては、必ずしもCaを含まなくても良い。0.上記式中、yは好ましくは0≦y≦0.1、より好ましくは0≦y≦0.05である。yを前記範囲とすることにより、本発明に係る誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の比誘電率を向上させることができる。yが大きすぎると、誘電体層の温度特性が悪化する傾向にある。本実施形態においては、必ずしもSrを含まなくても良い。0.上記式中、zは好ましくは、0≦z≦0.3、より好ましくは0≦z≦0.15である。zを上記範囲とすることにより、本発明に係る誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の比誘電率を向上させることができる。zが大きすぎると、誘電体層の温度特性が悪化する傾向にある。本実施形態においては必ずしもZrを含まなくても良い。0.また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物の主成分はチタン酸バリウムであることが好ましい。x=y=z=0であることが好ましい。0.本発明に係る誘電体磁器組成物は前記主成分に対し、副成分として、Euを含む少なくとも3種の希土類元素の酸化物である第1の副成分と、Siの酸化物である第2の副成分とを少なくとも有している。component.第1の副成分はEuの酸化物と、Raの酸化物と、Rbの酸化物とを少なくとも含む。RaはSc、Er、Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、RbはY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種である。Raの酸化物としてYbの酸化物を用いることが好ましい。Rbの酸化物としてYの酸化物を用いることが好ましく、Yの酸化物とTbの酸化物との両方を用いることが、より好ましい。Tb.主成分100モルに対するEuの酸化物の含有量をEu2O3換算でαモルとすると、αは0.075以上0.5以下であり、好ましくは0.10以上0.4以下である。αを上記の範囲内とすることにより、誘電体層2の厚さを2μm以下としても、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好になる。improved.主成分100モルに対するRaの酸化物の含有量をRa2O3換算でβモルとすると、βは0.5以上3以下であり、好ましくは1.0以上2.5以下である。βを上記の範囲内とすることにより、誘電体層2の厚さを2μm以下としても、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好になる。improved.主成分100モルに対するRbの酸化物の含有量をRb2O3換算でγモルとすると、γは1.0以上4以下であり、好ましくは1.4以上3以下である。γを上記の範囲内とすることにより、誘電体層2の厚さを2μm以下としても、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好になる。improved.主成分100モルに対するSiの酸化物の含有量をSiO2換算でδとすると、δは1.5以上5以下であり、好ましくは2以上4以下である。δを上記の範囲内とすることにより、誘電体層2の厚さを2μm以下としても、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好になる。improved.本実施形態に係るEuの酸化物の含有量αおよびSiの酸化物の含有量δは、0.030≦α/δ≦0.250を満足し、好ましくは0.05≦α/δ≦0.2を満足する。α/δを上記の範囲内とすることにより、誘電体層2の厚さを2μm以下としても、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好になる。improved.上述の通り、本実施形態では、前記主成分に対し、前記第1の副成分としてEuの酸化物、Raの酸化物およびRbの酸化物を含有する。ここで、Eu、Ra、Rbは、各希土類元素のイオン半径の大きさに応じて分類している。Euのイオン半径は大きく、Raのイオン半径は小さく、Rbのイオン半径がEuのイオン半径とRaのイオン半径との中間に位置する。Ra.Euの酸化物、Raの酸化物およびRbの酸化物は、主成分を含む誘電体粒子に固溶する。各希土類元素の酸化物が誘電体粒子に固溶することで、誘電体粒子が、いわゆるコアシェル構造を形成する。structure.Raの酸化物の含有量が増加すると、主成分のキュリー温度が高温側へシフトし、静電容量の温度特性が高温まで良好になる傾向にある。Raの酸化物の含有量が増加しすぎると、高温負荷寿命が悪化する傾向にある。deteriorate.それに対し、Euの酸化物および/またはRbの酸化物の含有量が増加すると、高温負荷寿命が向上する傾向にある。Euの酸化物および/またはRbの酸化物の含有量が増加しすぎると、静電容量の温度特性が悪化する傾向にある。deteriorate.また、本実施形態では第2の副成分としてSiの酸化物、例えばSiO2を含有する。SiO2は焼結助剤としての機能を有する。ここで、Siの酸化物は、前記第1の副成分との複合酸化物を形成しやすい。composition.前記第2の副成分が過剰となり、前記複合酸化物が過剰に形成されると、コアシェル構造を形成するための第1の副成分が不足することとなる。その結果、コアシェル構造を形成した誘電体粒子の局所的な欠損が生じ、高温負荷寿命の悪化、および/または、静電容量の温度特性の悪化を示すと推測される。capacitance.第1の副成分のうち、特にEuの酸化物が不足した場合の影響が大きい。Euの酸化物と前記第2の副成分との複合酸化物が偏析することで、Euを含むコアシェル構造を形成した誘電体粒子の局所的な欠損が生じ、高温負荷寿命および静電容量の温度特性の致命的な悪化が生じる傾向がある。特性を更に向上させることができる。improved.前記第3の副成分は任意成分である。前記第3の副成分を含有させることにより、主成分を含む誘電体粒子の異常粒成長が抑制され、異常粒成長による高温負荷寿命の低下が抑制される。前記第3の副成分の含有量に上限はないものの、前記第3の副成分の含有量を適量にすることで、焼成温度の上昇および誘電体磁器組成物の構造変化を抑制することができる。do.主成分100モルに対する第3の副成分の含有量は、BaO、CaO換算で、0.5モル以上4モル以下であることが好ましく、より好ましくは1.5モル以上4モル以下である。第3の副成分としては、少なくともBaの酸化物を含有することが好ましい。Ba.さらに、前記主成分に含まれるBa、CaおよびSrと、前記第3の副成分に含まれるBa、Caとの合計物質量をAtとし、前記主成分に含まれるTiおよびZrの合計物質量をBtとした場合に、1.004≦At/Bt≦1.054であることが好ましく、1.009≦At/Bt≦1.054であることがより好ましい。1.054.前記第4の副成分は任意成分である。前記第4の副成分を適量、含有させることにより、高温負荷寿命をさらに向上させることができる。主成分100モルに対する第4の副成分の含有量は、MnO、Cr2O3換算で、0.05モル以上0.3モル以下であることが好ましく、より好ましくは0.1モル以上0.3モル以下である。本実施形態では、第4の副成分として、少なくともMnの酸化物を含有することが好ましい。subcomponent.前記第5の副成分は任意成分である。前記第5の副成分を含有させることで高温負荷寿命をさらに向上させることができる。前記第5の副成分の含有量に上限はないものの、前記第5の副成分の含有量を適量にすることで、絶縁抵抗の低下を抑制することができる。したがって、主成分100モルに対する第5の副成分の含有量は、V2O5、Mo2O3、WO3換算で、0.010モル以上0.15モル以下であることが好ましく、より好ましくは0.05モル以上0.1モル以下である。第5の副成分としては、少なくともVの酸化物を含有することが好ましい。oxide.前記第6の副成分は任意成分である。前記第6の副成分を適量、含有させることで、主成分を含む誘電体粒子の異常粒成長を防止するとともに焼結を促進する。本実施形態では主成分100モルに対する第6の副成分の含有量は、MgO換算で0.5〜1.8モルが好ましく、より好ましくは0.6モル以上1.2モル以下である。mol.本実施形態の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径には、特に限定はない。誘電体層の厚さなどに応じて例えば0.1〜3.0μmの範囲から適宜決定することができるが、前記の範囲を外れてもかまわない。range.一般的に、セラミック電子部品における静電容量の温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化する傾向にある。小さいほど、セラミック電子部品の静電容量の温度特性が悪化する傾向にあることに由来する。本実施形態の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場合、具体的には、平均結晶粒径が0.1〜0.5μmとする必要がある場合に特に好適に用いられる。一般的に、平均結晶粒径が小さい場合には、高温負荷寿命は良好であり、直流電界下での静電容量の経時変化も小さい。この点からも平均結晶粒径を0.1〜0.5μmと小さくすることが好ましい。μm.本実施形態の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の厚さに特に制限はない。誘電体層を一層あたり約3μm〜約5μmの薄層とした場合でも、X8R特性を満足し、高信頼性を達成できる。誘電体層を、一層あたり2μm以下の薄層とした場合でも、X8R特性を満足し、高信頼性を達成できる。achieved.以上より、本実施形態の誘電体磁器組成物は、薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの静電容量の温度特性の改善に有効である。本実施形態の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサの誘電体層の積層数は、通常、2〜300程度となる。300.本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、80°C以上、特に125〜150°Cの環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適である。このような温度範囲において、静電容量の温度特性がEIA規格のR特性を満足し、さらに、X8R特性も満足する。EIAJ規格のB特性(−25〜85°Cで容量変化率±10%以内)、EIA規格のX7R特性(−55〜125°C、ΔC=±15%以内)も同時に満足することが可能である。there.積層セラミックコンデンサの通常の使用時には、誘電体層に、0.1V/μm以上、約5V/μm以下の交流電界と、前記交流電界に重畳して5V/μm以上、約50V/μm以下の直流電界とが加えられる。このような電界が加わっても、本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、極めて安定した静電容量の温度特性を得ることができる。誘電体層に、0.5V/μm以上、約5V/μm以下の交流電界と、前記交流電界に重畳して5V/μm以上、約50V/μm以下の直流電界とが加えられる場合であっても、極めて安定した静電容量の温度特性を得ることができる。capacitance.(内部電極層)内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層を構成する材料が耐還元性を有するため、比較的安価な卑金属を用いることができる。導電材として卑金属を用いる場合には、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn、Cr、CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましい。合金中のNiの含有量は95重量%以上であることが好ましい。NiまたはNi合金中には、P等の各微量成分が合計0.1重量%程度以下含まれていてもよい。内部電極層3の厚さは用途に応じて適宜変更でき、特に限定されない。通常、0.1〜3.0μm、好ましくは0.5〜2.0μm程度である。μm.(外部電極)外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本実施形態では、安価なNi、Cuやこれらの合金を用いることができる。外部電極4の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常10〜50μm程度であることが好ましい。μm.(積層セラミックコンデンサ1の製造方法)本実施形態の積層セラミックコンデンサ1は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。)を準備し、これを塗料化して、誘電体層を形成するためのペースト(誘電体層用ペースト)を調整する。layer.(誘電体原料)誘電体原料の主成分原料として、まずABO3の原料を準備する。ABO3としてはBauTivO3で表されるチタン酸バリウムを用いることが好ましい。アルコキシド法、ゾルゲル法など)により製造されたものなど、種々の方法で製造されたものを用いることができる。used.また、前記ABO3の原料としてBauTivO3で表されるチタン酸バリウムを用いる場合には、u/vが1.000≦u/v≦1.005の範囲内であることが好ましい。u/vを上記範囲内とすることにより、焼成時の粒成長を好適に制御することが容易となる。温度特性および高温負荷寿命が向上する。improve.主成分として前記チタン酸バリウムを用いる場合、チタン酸バリウム原料の平均粒子径は特に限定されるものではないが、好ましくは、0.10μm〜0.3μmであり、さらに好ましくは、0.12μm〜0.17μmである。使用するチタン酸バリウム原料の粒子径を上記範囲内とすることにより、焼結を好適に制御することが容易となる。最終的に得られるセラミック電子部品の信頼性および温度特性が向上する。選択し、混合して用いることもできる。副成分の原料の平均粒子径は前記主成分の平均粒子径より小さいことが好ましく、より好ましくは、前記副成分の原料の平均粒子径が前記主成分の平均粒子径の1/2以下である。製造方法は特に限定されるものではなく、上記した方法以外の方法として、たとえばチタン酸バリウム粉末に副成分を被覆してもよい。被覆させる副成分の種類も特に限定されるものではないが、好ましくは希土類元素(Eu、Ra、Rb)の酸化物(第1の副成分)、Mgの酸化物(第6の副成分)、およびSiの酸化物(第2の副成分)である。被覆させる方法は、公知の方法を用いればよく、たとえばRの酸化物(Eu、Ra、Rb)、Mgの酸化物、およびSiの酸化物を溶液化し、チタン酸バリウムが分散したスラリーと混合した後、熱処理することでチタン酸バリウム粒子表面に各副成分を被覆することができる。treatment.誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。組成が焼成前後で実質的に変化しないことを確認している。change.(誘電体層用ペースト)誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、誘電体原料と水系ビヒクルとを混練した水系の塗料であってもよい。vehicle.有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。前記バインダの種類には特に限定はなく、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等、一般的な有機ビヒクルに用いられる各種バインダから適宜選択することができる。前記有機溶剤の種類にも特に限定はなく、誘電体層の印刷、積層に利用する方法(例えば印刷法やシート法など)に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択することができる。selected.水系ビヒクルとは、水溶性バインダや分散剤などを水中に溶解したものである。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダの種類には特に限定はなく、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂等、一般的な水系ビヒクルに用いられる各種バインダから適宜選択することができる。resin.(内部電極用ペースト)内部電極層用ペーストは、導電材と、有機ビヒクルと、を混練して調整する。レジネート等を用いることができる。前記有機ビヒクルは、誘電体層用ペーストに用いられる有機ビヒクルと同様の有機ビヒクルを選択することができる。内部電極層用ペーストには、共材が含まれていてもよい。共材の種類に特に制限はない。本実施形態に係る内部電極用ペーストには、チタン酸バリウムを共材として含有していることが好ましい。co-material.(外部電極用ペースト)外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。above.上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは1〜10重量%程度、溶剤は10〜50重量%程度とすればよい。無機物、有機物から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、10重量%以下とすることが好ましい。less.(印刷、積層)印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、PET等の基板上に印刷、積層し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。chip.また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷し内部電極パターンを形成した後、これらを積層してグリーンチップとする。.(脱バインダ)脱バインダ条件は特に制限はないが、昇温速度を好ましくは5〜300°C/時間、保持温度を好ましくは180〜800°C、温度保持時間を好ましくは0.5〜48時間とする。脱バインダの雰囲気は、空気中もしくは還元雰囲気中とすることが好ましい。atmosphere.(焼成)脱バインダ後、グリーンチップの焼成を行う。昇温速度は好ましくは600〜10000°C/時間、更に好ましくは2000〜10000°Cである。焼成時の保持温度は、好ましくは1300°C以下、より好ましくは1180°C〜1290°Cである。上記範囲に制御することで、高温負荷寿命が向上する。降温速度に特に制限はないが、好ましくは50〜1000°C/時間である。hour.焼成の雰囲気は、還元性雰囲気とすることが好ましい。雰囲気ガスにはとくに制限はなく、たとえば、N2とH2との混合ガスを加湿して用いることができる。2.焼成時の酸素分圧は、内部電極用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すればよい。導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合には、焼成雰囲気中の酸素分圧を10−14〜10−10MPaとすることが好ましい。酸素分圧を前記範囲内とすることにより、内部電極層の酸化を防ぎつつ、内部電極の導電材の焼結が正常に行われやすい。layer.(アニール)還元性雰囲気中で焼成した後、コンデンサ素子本体にはアニール処理を施すことが好ましい。アニールは誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより誘電体層の絶縁抵抗(IR)を著しく上げることができ、高温負荷寿命(IR寿命)も向上させることができる。improved.アニールの際の雰囲気に特に制限はないが、酸素分圧を10−9〜10−5MPaとすることが好ましい。酸素分圧を前記範囲内とすることにより、内部電極層の酸化を防ぎつつ、誘電体層の再酸化が容易となる。oxidized.アニールの際の保持温度に特に制限はないが、1100°C以下とすることが好ましく、950〜1090°Cとすることが特に好ましい。保持温度を前記範囲内とすることにより、誘電体層の酸化を十分に行いやすい。(IR)、高温負荷寿命(IR寿命)およびコンデンサの静電容量が良好になりやすい。good.上記以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは0〜20時間、より好ましくは2〜4時間とする。降温速度を好ましくは50〜1000°C/時間、より好ましくは100〜600°C/時間とする。アニールの雰囲気ガスの種類に特に制限はないが、たとえば加湿したN2ガスを用いることが好ましい。used.上記脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、N2ガスや混合ガス等を加湿するためには、たとえばウェッター等を使用すればよい。ウェッターを使用する場合、水温は5〜75°C程度が好ましい。C.脱バインダ処理、焼成、アニールは連続して行ってもよく、それぞれ独立におこなってもよい。independently.以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。Examples.(実施例1)主成分であるチタン酸バリウムの原料粉体として平均粒子径が120〜170nmのBauTivO3粉末(u/v=1.004)を準備した。.第1の副成分であるEuの酸化物の原料粉体としてEu2O3粉末を、Raの酸化物の原料粉体としてYb2O3粉末を、Rbの酸化物の原料粉体としてTb2O3.5粉末およびY2O3粉末を、それぞれ準備した。prepared.第2の副成分であるSiの酸化物の原料粉体としてSiO2粉末を準備した。subcomponent.第3の副成分であるBaの酸化物の原料粉体としてBaCO3粉末を準備した。subcomponent.第4の副成分であるMnの酸化物の原料粉体としてMnCO3粉体を準備した。subcomponent.第5の副成分であるVの酸化物の原料粉体としてV2O5粉末を準備した。subcomponent.第6の副成分であるMgの酸化物の原料粉体としてMgO粉末を準備した。subcomponent.なお、上記全ての副成分の酸化物原料には、予備粉砕を行い、上記全ての副成分の平均粒子径を、それぞれ50nm〜75nmに揃えた。respectively.次に、各副成分の原料粉末を、チタン酸バリウム100モルに対する含有量が表1、表2に示す含有量となるように秤量した。試料番号1〜29の第3〜第6の副成分の原料粉末については、BaCO3粉末を2モル、MnCO3粉末を0.2モル、V2O5粉末を0.05モルおよびMgO粉末を0.9モル、秤量した。し、乾燥して、誘電体原料を得た。含有されることとなる。composition.次いで、得られた誘電体原料:100重量部と、ポリビニルブチラール樹脂:10重量部と、ジオクチルフタレート(DOP):5重量部と、アルコール:100重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。前記誘電体層用ペーストにおいて、DOPは可塑剤であり、アルコールは溶媒である。solvent.また、上記の誘電体層用ペーストとは別に、Ni粒子:44.6重量部と、テルピネオール:52重量部と、エチルセルロース:3重量部と、ベンゾトリアゾール:0.4重量部とを、3本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを作製した。paste.そして、前記誘電体層用ペーストを用いて、PETフィルム上にグリーンシートを形成した。当該グリーンシートの形成は、前記グリーンシートの乾燥後の厚みが2.5μmとなるようにして行った。ペーストを用いて、前記グリーンシートの上に、所定パターンで電極層を印刷した。前記電極層を印刷した後に、前記PETフィルムから前記グリーンシートを剥離し、電極層を有するグリーンシートを作製した。layer.次いで、前記電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、前記グリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。chip.次いで、得られた前記グリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にておこない、積層セラミック焼成体を得た。body.脱バインダ処理条件は、昇温速度:25°C/時間、保持温度:235°C、保持時間:8時間、雰囲気:空気中、とした。air.焼成条件は、昇温速度:600°C/時間、保持温度:1260°C、保持時間:1時間、降温速度:200°C/時間とした。雰囲気ガス:加湿したN2+H2混合ガス、酸素分圧:10−12MPa、とした。MPa.アニール条件は、昇温速度:200°C/時間、保持温度:1050°C、保持時間:3時間、降温速度:200°C/時間、雰囲気ガス:加湿したN2ガス、酸素分圧:10−7MPa、とした。And.なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを使用した。annealing.次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をバレル研磨した。前記バレル研磨を行った端面に前記外部電極用ペーストを塗布し、還元雰囲気にて焼き付け処理を行い、表1、表2に示す試料番号1〜51の積層セラミックコンデンサ試料(以下、単に「コンデンサ試料」と表記する場合がある)を得た。各試料番号の組成について、誘電体層の層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料と、3.0μmのコンデンサ試料とを作製した。得られたコンデンサ試料のサイズは3.2mm×1.6mm×1.2mm、内部電極厚みは1.0μm、誘電体層の数は100層である。layers.得られたコンデンサ試料について、CR積(前記層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料のみ)、静電容量の温度特性(X8R特性)、高温負荷寿命(HALT)の測定を、それぞれ下記に示す方法により行った。測定結果を表1、表2に示す。2.(CR積)前記層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料に対し、基準温度25°CにおいてデジタルLCRメータにて、周波数1.0kHz、入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で静電容量Cを測定した。前記層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計を用いて、25°Cにおいて25Vの直流電圧を1分間印加した後の絶縁抵抗IRを測定した。CR積は、上記にて測定した静電容量C(単位はμF)と絶縁抵抗IR(単位はMΩ)との積を求めることにより算出した。以下に示す表1、2では、CR積が1000以上のサンプルは○、CR積が1000未満のサンプルは△と評価している。CR積は1000以上であることが好ましいが、1000未満であっても静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好であれば本願発明の目的を達成することができる。good.(静電容量の温度特性)前記層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料および3.0μmのコンデンサ試料に対して、周波数1.0kHz、入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で、−55°C〜155°Cにおける静電容量を測定した。25°Cにおける静電容量を基準として、温度変化に対する静電容量の変化率を算出した。前記静電容量の変化率が、EIA規格の温度特性であるX8R特性を満足するか否かについて評価した。X8R特性を満足しているサンプルを良好とした。以下に示す表1、表2では、X8R特性を満足しているサンプルは○、X8R特性を満足していないサンプルは×と評価している。×.(高温負荷寿命)前記層間厚みが2.0μmのコンデンサ試料および3.0μmのコンデンサ試料に対し、175°Cにて100Vの電界下で直流電圧の印加状態を保持し、コンデンサ試料の絶縁劣化時間を測定することにより、高温負荷寿命を評価した。本実施例においては、コンデンサ試料に対する電圧印加開始から、コンデンサ試料の絶縁抵抗が1桁落ちるまでの時間を寿命とした。本実施例では、上記の評価を20個のコンデンサ試料について行い、これをワイブル解析することにより算出した平均故障時間(MTTF)を、当該コンデンサ試料の平均寿命とした。本実施例では平均寿命5時間以上を良好とし、平均寿命10時間以上を特に良好とした。以下に示す表1、表2では、平均寿命10時間以上のサンプルは○、平均寿命5時間以上10時間未満のサンプルは△、平均寿命5時間未満のサンプルは×と評価している。×.上記の表1、表2より、全ての実施例および比較例について、層間厚みが3μmの場合には、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。good.試料番号1〜5はEuの酸化物の含有量αを変化させた実施例および比較例である。Euの酸化物の含有量αが0.075≦α≦0.5を満たす試料番号2〜4は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。これに対し、α=0.05である試料番号1は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性および高温負荷寿命が悪化した。α=0.6である試料番号5は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性が悪化した。μm.試料番号6〜9はRaの酸化物の含有量βを変化させた実施例および比較例である。Raの酸化物の含有量βが0.5≦β≦3を満たす試料番号7、8は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。これに対し、β=0.4である試料番号6は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性が悪化した。β=3.5である試料番号9は、層間厚み2μmの場合に高温負荷寿命が悪化した。μm.試料番号10〜13はRaの種類をYbからSc(試料番号10)、Er(試料番号11)、Tm(試料番号12)、Lu(試料番号13)に変化させた実施例である。試料番号10〜13は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。μm.試料番号14〜17はRbとしてTbのみを用い、かつ、Rb(Tb)の酸化物の含有量γを変化させた実施例および比較例である。Rbの酸化物の含有量γが1.0≦γ≦4を満たす試料番号15、16は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。これに対し、γ=0.85である試料番号14は、層間厚み2μmの場合に高温負荷寿命が悪化した。γ=5である試料番号17は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性が悪化した。μm.試料番号18〜21は、試料番号3と比較して、Rbの種類をY+TbからDy+Tb(試料番号18)、Y+Dy(試料番号19)、Tb+Ho(試料番号20)、Tb+Gd(試料番号21)に変化させた実施例である。試料番号18〜21は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。μm.試料番号22〜29は、Euの酸化物の含有量αおよびSiの酸化物の含有量δを変化させた実施例および比較例である。Euの酸化物の含有量αおよびSiの酸化物の含有量δが1.5≦δ≦5、0.030≦α/δ≦0.250を満たす試料番号23、24、27、28は、層間厚みが2μmであっても、層間厚みが3μmの場合と同様に、静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好であった。これに対し、δ=1.25である試料番号22は、層間厚み2μmの場合に高温負荷寿命が悪化した。δ=5.5である試料番号25は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性および高温負荷寿命が悪化した。α/δ=0.025である試料番号26は、層間厚み2μmの場合に静電容量特性の温度変化および高温負荷寿命が悪化した。α/δ=0.333である試料番号29は、層間厚み2μmの場合に静電容量の温度特性および高温負荷寿命が悪化した。μm.表2に記載した試料番号30〜51は、主成分、第1の副成分および第2の副成分の種類および含有量を試料番号3と等しくし、第3〜第6の副成分の種類および/または含有量を試料番号3から変化させた実施例である。3.試料番号30〜34は、第3の副成分の種類および/または含有量を変化させた実施例である。試料番号34は、主成分100モルに対してBaOを2.0モル、CaOを1.0モル含有し、第3の副成分の含有量は3.0モルである。mol.試料番号30〜34は、全て良好な特性を示す。第3の副成分の含有量が0.5〜4モルである試料番号31、32、34は、CR積および静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好である。life.試料番号35〜40は、第4の副成分の種類および/または含有量を変化させた実施例である。試料番号39は、主成分100モルに対してCr2O3を0.3モル含有している。試料番号40は、主成分100モルに対してMnOを0.1モル、Cr2O3を0.1モル含有し、第4の副成分の含有量は0.2モルである。mol.試料番号35〜40は、全て良好な特性を示す。第4の副成分の含有量が0.05〜0.3モルである試料番号36、37、39、40は、CR積および静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好である。good.試料番号41〜47は、第5の副成分の種類および/または含有量を変化させた実施例である。試料番号45は、主成分100モルに対してMo2O3を0.05モル含有している。試料番号46は、主成分100モルに対してWO3を0.05モル含有している。試料番号47は、主成分100モルに対してWO3を0.025モル、V2O5を0.025モル含有し、第5の副成分の含有量は0.05モルである。mol.試料番号41〜47は、全て良好な特性を示す。第5の副成分の含有量が0.010〜0.15モルである試料番号42、43、45〜47は、CR積および静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好である。good.試料番号48〜51は、第6の副成分の含有量を変化させた実施例である。changed.試料番号48〜51は、全て良好な特性を示す。第6の副成分の含有量が0.5〜1.8モルである試料番号49、50は、CR積および静電容量の温度特性が良好であり、高温負荷寿命が特に良好である。請求項1〜5のいずれかに記載の誘電体磁器組成物から形成される誘電体層と、電極層とを有するセラミック電子部品。前記誘電体層の厚さが、2μm以下である請求項6に記載のセラミック電子部品。