LNA(低ノイズアンプ)、そして世界中の超高性能カメラ向けのクラス最高性能のグローバルシャッターピクセルを始めとした独自のメリットを多数提供しています。65nm以下のデジタルCMOSと最適化されたマスク数の統合により、ダイサイズを大幅に縮小して製品コスト構造を改善すると同時に、プロトタイピングサイクルタイムを短縮し、クラス最高の製品を迅速に市場に投入できます。その結果、当社の300mmの高度なアナログ技術製造プラットフォームは、急成長している新興市場向けの次世代製品の設計および開発のための最適なプラットフォームであると共に幅広く支持されています。BCDパワーマネジメントIC(PMIC)は、電池長寿命化と低消費電力化のどちらか、あるいは両方が必要な製品にとっての基幹部品です。スマートフォン、スマートウェアラブル機器(スマートウオッチなど)、タブレット機器用はもちろんのこと、車載用高出力LEDヘッドライトにも必須です。PMICは、消費者向け、車載向け、産業向けといった分野を問わず、エネルギーとコストの削減による高い電力効率が求められる幅広いアプリケーションにおいて用いられています。Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)パワーマネージメントプラットフォームが提供する、動作電圧5V、7V、12V、16VのLDMOSトランジスタは、超低オン抵抗値ときわめて優れた低Qgd値とを有します。このプラットフォームは20V、24V、30V動作帯にも拡張されつつあり、パワーとデジタルを統合したアプリケーションに向けて、多様なアナログおよびデジタル、そして混載NVMの設計IPを提供いたします。BCDプラットフォームは、革新的な技術開発によって、ダイサイズを極小化するためのデジタル回路高集積化や最高の電力効率といった所望される性能を実現しつつ、そのマスク回数は最小限に抑えられています。ロードスイッチ、DC-DCコンバータ、LEDドライバ、モータードライバ、バッテリーマネジメント、アナログ/デジタルコントローラーなど幅広い製品を含む動作電圧16Vまでの低電圧パワーマネジメントICとって最適なプラットフォームです。300mmプラットフォームは、RF通信およびIoTの新興市場向けの製品設計に有効な、革新的な基板寄生素子の抽出機能を備えています。これは、業界標準の寄生抽出ツールの既存の機能を利用しつつ、幅広い周波数と動作電圧に対応しています。SOIプロセスでは、低挿入損失・ハイパワーRFスイッチと、高密度なデジタル回路や高性能のLNA(低ノイズアンプ)との統合が可能です。携帯電話やIoT端末でのRFスイッチの損失を低減、電池寿命を延伸、データ転送速度を向上することによって、クラス最高性能を実現可能な第5世代移動通信システム(5G)対応の先進的ソリューションを提供しています。RFスイッチ性能の最適化に重要な高抵抗基板材料の正確なモデリング機能を提供しています。当社のお客様は、この機能を高性能多投スイッチの設計に活用し、優れた成果を上げています。開発に65nmプロセスを使用することにより、当社独自の先端のライトパイプ(光を直接フォトダイオードに送るマイクロ光学構造)の設計が可能になり、現在市場で使用されている画素と比較して、優れた機能性と優れた入射角特性を提供しつつ、画素面積を半分にすることが可能になりました。F#s)でも傑出したシャッター効率と量子効率(QE)を備えたグローバルシャッターピクセルを提供します。このプラットフォームに基づき、当社はこのほど産業およびハイエンド向けマシンビジョン、モバイル顔認識、商業用アプリケーションを始めとする数々のエンドアプリケーション向けに魅力度の高い新しいグローバルシャッター(GS)ピクセルを発表しました。この画期的な成果により、世界最小のピクセルサイズとなる2.5μmで優れたグローバルシャッター性能を提供します。65nmプロセスを用いて当社のライトパイプ技術を最適化することでピクセルサイズを2.5μmまで縮小できるようになり、このような優れた性能特性を実現しました。soon)グローバルスペシャルティファンドリリーダーとして、当社は長期の技術ロードマップを市場のリーダーや市場のメガトレンドと整合させて、迅速な商品化のため、新しいアプリケーション向けの革新的技術を市場に送り出します。した取り組みの一環で、300mmの高度なアナログプラットフォームを提供し、クラス最高の先進技術と高品質な生産をお客様に提供しています。当社の300mm先進技術に関しての詳細はこちらをご覧ください。ReplyInsert。