Safariにてご利用ください。品番は3文字以上指定して下さい。クロスリファレンス検索で表示される情報についてクロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。情報は予告なく変更されることがあります。品番は3文字以上指定して下さい。オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。下記より必要な情報をお探しください。IGBT抵抗内蔵型トランジスター(BRT)のスイッチングスピードを速くしたい抵抗内蔵型トランジスター(BRT)のスイッチングスピードを速くしたいバイポーラートランジスターのスイッチングスピードは図-1に示すように定義されています。(tf)の時間が必要です。BRTでの測定例を表-1に示します。測定は常温でVCC=5V、入力電圧を0Vと5Vで切り替えています。負荷抵抗は1kΩになります。測定回路と定義BRTは主にスイッチとして使用され、オン時トランジスターは飽和状態になります。tstgがスイッチング時間全体を通して支配的な時間となります。このtstgを短縮するためには、以下の2点を考慮する必要があります。(前段の出力が“L”が低インピーダンスの場合、R1も放出経路になります)。従って、R2の小さい素子が適しています。b)可能な限り過剰キャリアを蓄積を少なくするBRTオン時の飽和を浅くするということになります。Ibを低くする必要があります。R2の大きな素子が適しています。このb)の対策は飽和が浅くなりVCE(sat)が大きくなる可能性がありますので注意が必要です。