気的接続の信頼性を向上させる。【発明の属する技術分野】本発明は、突起電極を有する半導体素子を基板に実装して電気的に接続する構成を有する半導体装置に関するものである。公報に記載の技術がある。図6は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である。脂7とより構成されていた。【0003】また、本発明の半導体装置をハンドリングする際は、半導体素子の裏面を吸着するのが一般的である。電極と配線基板の間に引き剥がす応力が働き、実装部に剥離が生じると、電気的接続が妨げられるため、フリップチップ接続を安定的に、特に、高温時においても強固に固定するためにアンダーフィル樹脂が注入され、材質として従来より熱硬化性樹脂が採用されており、接着時に加熱硬化することがなされている。隙を封止する封止樹脂が熱膨張するため、半導体素子と基板との間に引き剥がす応力が生じ、接合部が剥離するために信頼性を低下させる問題があった。態を示す断面図である。封止樹脂7が熱膨張を起こすために封止樹脂7の周囲では、熱応力8を生じ、接合部9を引き剥がし剥離させる応力となる。σを抑制するためには、ヤング率Eの小さい封止樹脂を用いる必要がある。αは線膨張係数、Tは温度である。【0008】しかし、半導体素子1と基板5の実装をより強固なものにしようとすれば、封止樹脂7を接着剤と考え、ヤング率が高い封止樹脂が必要になってくる。応力抑制のためにヤング率Eが小さいものを採用すると、そのような封止樹脂の硬化物は高温下で軟化するので、高温下での接合部9を固定できないという課題があった。【0009】したがって、応力に関する封止樹脂のヤング率が接合信頼性を大きく左右する。他の要求事項をも満たさなくてはならないため、それぞれの要求事項のバランスをとることになり必ずしも要求事項を満足することはできない。ヤング率を高めようとすれば、封止樹脂の架橋密度が大きい封止樹脂を基材として封止樹脂として用いるが、同時に封止樹脂の粘度を増加させることになり作業性を著しく低下させる。近年の外部装置と半導体装置のハンダ実装を考えると、鉛フリー化の動きから、実装温度が高温化する傾向にあり高温時の信頼性に対する要求が強くなってきており、このような要求に対応が困難であった。図8(a)および(b)は、半導体素子1がコレット10に吸着される状態を示す断面図である。安定した吸着が可能であるが、図8(b)に示すように、半導体素子1の幅がコレット10の穴11の直径よりも小さい場合は、半導体素子1の一部あるいは全体が、穴11に吸い込まれて吸着状態が不安定となる問題もあった。記半導体素子と前記アンダーフィル樹脂全体を覆うように形成されたモールド封止樹脂を有する。体装置において、前記複数の半導体素子と前記アンダーフィル樹脂全体を覆う様に形成されたモールド封止樹脂を有する。収縮を利用しフリップチップ接続部を押し縮めるカシメ効果が発生する。したがって、フリップチップ接合部がより強固なものになり、接続信頼性を向上させる。【0016】また、モールド封止樹脂のヤング率がアンダーフィル樹脂のヤング率よりも大きい。【0018】また、モールド封止樹脂およびアンダーフィル樹脂が、ともに熱硬化性樹脂である。高温時では、モールド樹脂に生じる収縮力の影響により、フリップチップ接続部に生じる圧力が増加し、接続信頼性が向上する。【0020】また、モールド封止樹脂は熱硬化性樹脂であり、アンダーフィル樹脂が熱可塑性樹脂である。体装置の製造コストを削減することができる。半導体装置の第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1を用いて説明する。造を示した断面図である。面に形成されたランド20よりなるものである。14は、金などの材質からなる金属細線から形成される。本実施形態では、半導体素子には、LSIチップ等の集積回路が形成されたロジック素子を用いている。【0026】また、第1の封止樹脂18は、ヤング率が12[GPa]で、酸無水物系液状エポキシ封止樹脂であり、第2の封止樹脂19は、ヤング率が25[GPa]で、ビフェニル系エポキシ樹脂を用いている。板16の材質は、樹脂およびセラミックなどからなるものを用いるが、リフロー工程などの高温時におけるヤング率および耐熱温度が条件的に合うものであれば、特に限定されるものではない。層構造でもよく、ビアホールや層間配線を形成することにより、入出力数の多い半導体素子および基板に対応させることも可能である。脂19が、接合部に与える影響を、図2を用いて説明する。図2は、半導体装置が高温状態にさらされた第2の封止樹脂19に応力σz21が発生するように膨張したときのZ方向の熱応力の分布を示している。ここで、Eはヤング率、εはひずみを示す。止樹脂の膨張による応力σmold22が発生する。突起電極14と配線15との間に圧接力23が生じる。【0028】次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。素子の電極に、超音波による振動を与えながら押圧してバンプ(突起電極)を形成する(バンプ工程)。突起電極に導電性接着剤を転写する(転写工程)。次に、半導体素子と基板との間隙にヤング率が12[GPa]の第1の封止樹脂を加熱することで粘性を小さくして注入し、150[°C]で2時間加熱し硬化させる(封止工程(1))。囲を含む領域を硬化させる(封止工程(2))。導電性接着剤を用いずに、突起電極と基板配線を接続してもよい。起電極と配線の接合部における接続抵抗値が従来よりも低下することを実験により確認したので、次に示す。施形態では、6[%]の抵抗値上昇にとどまった。接合部の圧力が上昇して抵抗値の上昇が小さくなったからである。導体装置のサイズを吸着機の把持する部分よりも大きく成形することで、半導体装置を確実に吸着することができ、半導体装置の安定した搬送が可能となる。態について、図面を参照しながら説明する。図4を用いて説明する。【0037】図4は、本発明の第2の実施の形態における半導体装置の構成を示した断面図である。28と配線29とを接着する導電性接着剤31と、第1の半導体素子24と基板30の間隙に注入し硬化した第1の封止樹脂32と、第2の半導体素子25の電極33と基板30の配線29を電気的に接続する金属細線34と、第2の半導体素子25の全体および金属細線34の領域を封止する第2の封止樹脂35よりなる。第1の半導体素子としては、LSIチップやロジックチップが用いられ、第2の半導体素子としては、メモリーチップが用いられる。ここで、突起電極28は、金などの材質からなる金属細線から形成された突起電極である。【0039】また、第1の封止樹脂32は、絶縁性でヤング率が12[GPa]の酸無水物系液状エポキシ樹脂である。第2の封止樹脂35は、ヤング率25[GPa]のビフェニル系エポキシ樹脂である。加し、接続信頼性が向上する。基板30の材質は、樹脂およびセラミックなどからなるものを用いるが、リフロー工程などの高温時におけるヤング率および耐熱温度が条件的に満たされるものであれば、特に限定されるものではない。造でもよく、ビアホールや層間配線を形成することにより、入出力数の多い半導体素子および基板に対応させることも可能である。【0040】次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。形態の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。素子の電極に、超音波による振動を与えながら押圧してバンプを形成する(バンプ工程)。突起電極に導電性接着剤を転写する(転写工程)。【0044】そして、半導体素子と基板との間隙にヤング率が12[GPa]の第1の封止樹脂を加熱することで粘性を小さくして注入し、150[°C]で2時間加熱し硬化させる(封止工程(1))。この際、接着剤を150[°C]で1分間加熱し硬化する。線にて電気的に接続する(ワイヤリング工程)。囲を含む領域を封止する(封止工程(2))。起電極と配線の接合部における接続抵抗値が低下することを実験により確認したので、次に示す。抵抗値の上昇が認められたのに対し、本実施形態では、6[%]の抵抗値上昇にとどまった。止樹脂がない場合の半導体装置がリフローと高温放置の熱履歴のため、突起電極と配線との接合部を引き剥がす応力が発生し、抵抗値が上昇していくが、本実施形態では、半導体装置は第2の封止樹脂が加熱されて発生する収縮力のため、接合部の圧力が上昇して抵抗値の上昇が小さくなったからである。子と基板の接続方法について述べたが、メッキ工法を用いて形成した突起電極や転写工法を用いた半田突起電極による構成の半導体素子にも適用が可能であり、基板との間隙に異方性導電シートを用いて半導体素子を接着したり、ILB実装にも応用できるものである。素子および金属細線の領域を覆うことができれば、特に限定されるものではない。止樹脂のヤング率が、第1の封止樹脂のヤング率よりも大きいという条件を満たせば、特に限定されるものではない。子や突起電極と配線との接合部の電気的な試験を行うことによって不良と判定された場合、半導体素子を除去し、リペアすることも可能である。持する部分よりも大きくすることで、吸着機先端部の面に半導体装置が確実に吸着され、安定した半導体装置の吸着および搬送が可能となる。路が形成されたLSIチップやメモリーチップでもよい。成とすることにより、突起電極と配線との間に圧接力が生じる。持する部分よりも大きくすることで、吸着機先端部の面に半導体装置が確実に吸着され、安定した半導体装置の吸着および搬送が可能となる。徴とする請求項3に記載の半導体装置。半導体装置及びその製造方法並びにその半導体装置を用いた半導体ユニット。