複雑なデバイス構造を生成するためにプロセス・シミュレーションを行う時、TCADエンジニアはしばしば、半導体製造において観察された正確なエッチング・プロファイルを再現する課題に直面します。Processは、顕微鏡画像(透過型電子顕微鏡など)に正確に一致するエッチング形状を効率的に実現できるよう、いくつかの幾何学モデルを提供しています。本ウェビナーでは、FinFETおよびメモリ製造への応用を題材として、幾何学エッチング・モデルを紹介します。Processのエッチング・モデルやデポジション・モデルに取り組んでいます。Wien)で電気工学の博士号を、同大学でマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの修士号を取得しています。