1-11前節ではp型半導体とn型半導体の接合を考えた。ここでは金属と半導体の接合を考える。金属とn型半導体を接触させると電子の拡散が起き、図2−5−1のように空乏層が生じる。)がショットキーバリアーダイオードの重要な特性の一つとなる。図2−5−2aのように金属に+の電圧をかけ、n型半導体に−の電圧をかけると、空乏層は狭くなり順方向となる。それに対して図2−5−2bのように逆に電圧をかけると空乏層は広がり逆方向となる。電流電圧特性はpn接合と類似しており(式4)となる。1よりもかなり大きいので(式5)と近似できる。(式6)でありここでm*は有効質量、φbはショットキーバリアーの高さ(図2−5−1)である。実際のショットキーバリアーダイオードは(5)式の理論値から多少ずれる。そこで実験値は下記のように表現する。