出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。別人の方の出願情報が表示される場合がございます。ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100,200,300)は、磁界の影響を受けて2つの状態間で切り替わることができる磁気メモリセル(102,202,302)を含む。状態の切り換えを容易化するための加熱式MRAMセル【課題】磁気メモリセルの状態の切り換えを容易化すること。【解決手段】MRAMアレイの磁気メモリセル(102,202,302,402)からの熱伝導を低減するMRAM(100,200,300)を作成するための方法。簡単な工程により製造可能な異なる寸法のデータ層及び基準層を有するメモリセルを提供する。メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。磁気メモリセルの基準層の磁気的向きを小さな磁界で変更できるようにすること。データ層(110)と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層(130)と、前記データ層(110)と前記軟らかい基準層(130)の間に配置されたスペーサ層(120)とを含む磁気メモリセル。メモリデバイス(100,200,300)は、磁界をかけることによって2つの抵抗状態の間で切り換え可能な磁性材料を含む磁気メモリセル(102,202,302)を含む。【課題】高い精度で磁気メモリセルのデータを読み取ること。【解決手段】メモリセルのアレイ(100)において選択されたメモリセル(120)からデータを読み取るための方法であり、この場合、選択されたメモリセル(120)は、第1の書き込み線(130)と第2の書き込み線(132)との間に配置される。安価な工程技術により製造可能な高密度の固体記憶装置を提供する。熱アシスト型磁気メモリ構造とその製造方法を提供すること。クラッディング(110)によって包囲された第1の導体(120)と、熱抵抗領域(130)によって前記第1の導体から熱的に分離されたメモリセル(170)と、前記メモリセル(170)と電気的に接触する第2の導体(180)とからなる熱アシスト型磁気メモリ構造。磁気メモリセルを含む。磁気メモリセルは、予め設定された磁化を有する基準層(320)を含む。障壁層(330)が基準層(320)に隣接して形成される。センス層(340)が障壁層(330)に隣接して形成される。第1の書込み導線(310)が基準層(320)に電気的に接続される。メモリ内の導体を結合するための方法と装置。磁気メモリデバイス【課題】磁気メモリセルの論理状態を切り換える可能性がある漂遊磁界から磁気メモリセルを保護すること。【解決手段】メモリウェーハ(100)は、その上に配置されたメモリチップ(110)を有する第1の表面(152)であって、そのメモリチップ(110)がメモリウェーハの外面(154)を画定する、第1の表面(152)と、外面(154)と反対側にある第2の表面(158)とを含む。メモリに格納されたデータを検索するための方法および装置が開示される。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。