オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、両面放熱構造で素子の信頼性を高め、一般的にレーザー動作温度の上限とされる60°Cでも従来の1.5倍となる4.5Wの高出力動作が可能な青紫半導体レーザーを開発した。同技術は、青紫半導体レーザーの発熱を抑制し、温度上昇に伴うレーザーの光出力低下を防ぐ。これを複数個のレーザーを用いる半導体に応用することで、搭載数を従来の2/3に削減。光源部や放熱板を小型化でき、システム全体の省スペース化も可能。消費電力も削減しできる。最大光出力は4.5Wで従来比1.5倍。電力変換効率は33%で同1.2倍となった。青紫半導体レーザー素子に加わる歪を抑制しており、信頼性も高めている。