350mΩは、高い性能と信頼性を実現する最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。MOSFETはより多くの利点を提供します。ボディダイオードの逆回復損失がない、温度非依存のスイッチング損失、閾値非依存のオン抵抗特性などがあります。MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバータ、DC/ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングのトポロジーに適しています。インフィニオンの革新的な車載用エレクトロニクス(SMPS)モータコントロールおよびドライブお使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。