MOSFET概要インフィニオンのCoolSiCTM半導体ソリューションは、エネルギースマートな世界に向けた次の重要なステップです。パワーモジュールインフィニオンは、量産の経験と互換性のノウハウに基づき、革新的なCoolSiCTMMOSFET技術を導入し、根本的に新しい製品設計を可能にします。MOSFETは一連の利点を提供します。CoolSiCTMMOSFETの最初の製品は、1200Vターゲット太陽電池インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵です。CoolSiCTMMOSFETは、これまでにないレベルの効率とシステムの柔軟性を実現するシステム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。製品ハイライト顧客に拡張されたパフォーマンスレベルを提供するための新素材の強化シリコンカーバイド(SiC)は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。MOSFETは一連の利点を提供します。これには、1200Vスイッチで見られる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン状態特性が含まれます。MOSFETは、さらなる利点をもたらします。Vのスレッショルド電圧と短絡耐性により、優れたゲート酸化物の信頼性が実現します。MOSFETが得られます。upCoolSiCTMMOSFETの最初の製品は、太陽光発電インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵を対象としています。TO-247-4pinパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソース(ケルビン接続)への追加接続が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。その結果、特に高電流と高スイッチング周波数で、TO247-3pinバージョンよりもスイッチング損失が低くなります。Easy1Bモジュールは、非常に良好な熱インタフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。電子化に関するマーケットと、電子系システムへの過酷な要求を満足するインフィニオンのソリューションを紹介します。本ウェビナーで、商用車の電動化のトレンドと、半導体によるシステムソリューションをご覧下さい。技術資料他ボードソフトウエア&ツールシミュレーションビデオEV充電:一般情報3:03EV充電の未来:必要な製品がすべて揃うインフィニオンのワンストップショップ。優良企業であるインフィニオンが、高効率な製品、きめ細かなサポートで、いかにお手伝いさせて頂くのか、ぜひご覧ください。EV充電:詳細情報3:37EV充電の未来:必要な製品がすべて揃うインフィニオンのワンストップショップ。EV充電器を設計するのを、パワーエレクトロニクスのマーケットリーダ、また世界有数の優良企業であるインフィニオンが、高効率な製品、きめ細かなサポートで、いかにお手伝いさせて頂くのか、ぜひご覧ください。信頼できる変革2:24インフィニオンのCoolSiCTM半導体ソリューションは、高エネルギー効率への大きな一歩です。インフィニオンのCoolSiCは、革新的なSiCテクノロジーとシステムに対する幅広い知識、クラス最高のパッケージと卓越した製造技術を組み合わせることで、優れた価格性能比で革新的な製品設計を実現できます。インフィニオンはお客様の最新技術のパフォーマンスを高め、これまでとこれからのお客様のビジネスに貢献する製品、ソリューションを提供いたします。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方29:16シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。