CuIna7Gaa3Se2相。(C6H8N4),反应温度控制为200°C。CuIna7Gaa3Se2相。为纯净的CuIna7Gaa3Se2相。靶材表面平整,无裂纹,内部无孔隙。10_3Pa,溅射气压为lPa,溅射功率为150W,基板温度300°C,溅射时间20min。CuIna7Gaa3Se2,晶粒尺寸均一,薄膜表面平整致密,与衬底附着良好。;步骤A或B中的保护气体为Ar或N2,保护气体的压力为1个标准大气压。