CuGaSe2的混晶半导体。最终获得CIGS薄膜。;另外还有Cu、In元素靶共溅射后,再蒸发Ga。优化生产工艺,减少设备投资。靶材相对密度大于95%,成分均勻,具有均一的CUInxGai_xSe2相,性能稳定。CUInxGai_xSe2,性能优越。3)将干燥后产物在200°C〜500°C保护气氛下热处理;所得产物研磨后得CIGS粉末。上述CIGS粉末的制备方法,其特征在于:步骤A或B中的保护气体为Ar或N2,保护气体的压力为1个标准大气压。/min,保温后随炉冷却。