1-62004/01窒素ドーピングでは従来不可能とされてきたZnO中での浅いアクセプターレベルの形成をプラズマ・アシステド・エピタキシー法により初めて可能にした。63-672000/06サファイア上へのZnO薄膜の成長における成長初期段階での制御により、高い成長速度でのエピタキシャル成長がが可能であることを示した。517-5222000/03最適な濃度のNH4OH水溶液によるGaAs表面処理と窒化シリコン不活性化膜堆積時のガス成分の最適化がゲートリーク電流の低減に効果的であることを見出し、AlGaAs/GaAsHEMTデバイス作製プロセス適用した、著しい特性改善を可能にした。12-171999/06酸素プラズマを用いてZnO薄膜を低温でエピタキシャル成長させることにより、膜中の酸素欠損を著しく減少させることが可能になり、良好な発光特性が得られることを示した。93-991998/05Si上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を実現するためのSi表面の清浄化及び不活性化プロセスを構築し、且つ、大きな格子不整合を緩和できる初期成長層を提案し、それらを用いることによりInSbのヘテロエピタキシャル成長を可能にした。159-1661997/02Pb(Zr,Ti)O3を下地結晶の原子配列に沿って成長させるためには、膜全体の組成、深さ方向の均一性、スパッタ法による成長時のプラズマの状態が重要であることを示し、これらを制御することにより膜疲労特性が飛躍的に改善されることを示した。1553-15561996/02Pb(Zr,Ti)O3膜をPt層の原子配列に沿って成長させることにより強誘電体特性が改善できることを示し、また薄膜化に伴う残留分極量の減少が薄膜の面間距離に依存することを示唆した。157-1611994/03III-V族及びII-VI族化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシャル成長においてV族及びVI族原料が原子状にクラッキングされることが低温成長に大きく寄与していることを明らかにした。4118-41211993/09強誘電体Pb(Zr,Ti)O3膜を複合金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法と急速熱処理により形成し、その特性が従来の方法で形成したものよりも優れていることを示した。660-6631991/08ZnSeの成長の際に用いる水素及び水素・窒素混合ガスプラズマ中で生成される励起種をプラズマ発光分光分析により検出し、プラズマ励起窒素が浅いアクセプタとして導入されることを示した。204-2081991/07従来困難であったGaAsの表面特性の解析を可能にする新しい評価法を提案し、更にSeを含む水素プラズマ処理によりGaAs表面特性の制御が可能となることを示した。Semiconductor1343-13481989/09GaAsの表面準位を測定する新しいDLTS法の提案とその方法により評価したZnSe/GaAs界面の特性を示した。L13-L151989/01InSbの低温エピタキシャル成長に水素プラズマが有効であることを実験的に検証した。862-8671987/08水素・窒素混合ガスプラズマを用いてZnSeのエピタキシャル成長を行い、窒素をプラズマ励起することにより浅いアクセプタ準位を導入できることを初めて示し、p型ZnSe形成の可能性を示した。L893-L8951987/06水素・窒素混合ガスプラズマを用いて青色LED、LDに必要な低抵抗n型ZnSe成長のためのドナー不純物として塩素が非常に有効であることを示し、従来の方法に比べ抵抗率を飛躍的に低減することに成功した。SPIE68952008/0110.1117/12.774945プラズマ・アシステド・エピタキシー法によりZnO薄膜を形成する際に酸素と窒素混合ガスプラズマを用いることで浅いアクセプタの導入が可能になること、および、1nm程度のTi2O3バッファー層を用いることでZnO薄膜の結晶性を飛躍的に向上できることを示した。提案し、実験結果より磁気処理有無による吸収特性の差異を初めて見出すことで水の構造分析に有効であることを示した。Compounds2301999/11サファイア上へのZnO薄膜の成長において成長初期段階での核発生確率が小さいことに着目し、成長初期段階での制御を行うことによりZnO薄膜の結晶性の改善が可能であることを示した。Digest153-1541997/05将来のDRAMに適用可能で、且つ最も単純なスタック型キャパシタの作製が結晶化を促進させたBST薄膜の形成方法で可能になることを示した。Technology263-2721997/05成長初期段階での制御を行なうことにより、ULSI対応の電気的特性を有するBST薄膜を低温で形成できることを示した。ISIFC391996/03反応性スパッタ法によるPZTの低温成長と急速熱処理により形成した強誘電体PZT薄膜が優れた膜特性を有することを示した。SSDM291-2931995/08表面処理されたPt上に反応性スパッタ法により低温で膜組成と分布を精確に制御したPZT層を形成し急速熱処理により再結晶化させることによりPtの原子配列に沿った原子配列のPZT層を形成でき、256Mb以上の集積度のDRAMに適用可能であることを示した。AMDP631-6361994/02反応性スパッタ法によるパイロクロア相PZTの低温成長及び急速熱処理によるペロブスカイト相への再結晶化が強誘電体PZT薄膜の形成に非常に有効であることを示した。CCPST87-901992/02プラズマ・アシステド・エピタキシー法がSi表面の清浄化及びSi上への化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。147-1521990/12水素ガスプラズマをベースとしたプラズマ・アシステド・エピタキシー法により高純度ZnSe、低抵抗n型ZnSe薄膜の成長が可能であることを示し、且つ水素・窒素混合ガスプラズマを用いることにより浅いアクセプターの導入が可能であることを示した。Compounds241-2441989/09InSbの低温エピタキシャル成長におけるV/III供給比の重要性を示した。Compounds411-4161989/09GaAsの表面特性が水素・窒素混合ガスプラズマ及びSeを含む水素ガスプラズマにより改善できることを示した。Chemistry1263-12661989/09プラズマ・アシステド・エピタキシー法により化合物半導体を低温エピタキシャル成長させる際にプラズマ中で生成される励起種を検出し、有効な励起種を示した。Materials121-1241989/08プラズマプロセスによりZnSeの低温原子層エピタキシャル成長が可能であることを示した。Compounds233-2361988/09InSbのGaAs上へのヘテロエピタキシャル成長におけるプラズマの効果を示した。Chemistry256-2591988/07プラズマ・アシステド・エピタキシー法がIII-V族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。Chemistry1224-12291987/09プラズマ・アシステド・エピタキシー法によるZnSeヘテロエピタキシャル成長におけるドーピング特性を明らかにした。297-3021993/10ZnSeの低温エピタキシャル成長膜に混入する不純物がVIIb族元素であり、混入源がVI族原料のSeであることを示した。175-1801992/10半導体の表面準位を測定する新しいDLTS法の提案とその妥当性をSiO2/Si界面の測定で示し、ZnSe/GaAsヘテロ界面特性を明らかにし、その改善法を示した。267-2721991/07プラズマ・アシステド・エピタキシ法によるZnSeのエピタキシャル成長での活性種および窒素ドープで有効な活性種の検出を行なった。111-1161990/10プラズマ・アシステド・エピタキシ法によりInGaSbを低温エピタキシャル成長する場合に、III族/V族供給比と印加高周波電力を最適化することにより、より良質の薄膜が得られることを示した。407-4141989/10プラズマ・アシステド・エピタキシ法でV族/III族供給比を精確に制御することにより低温エピタキシャル成長が実現でき、またSi表面を水素プラズマにより処理することによりSi上へIII-V族化合物半導体の低温エピタキシャル成長が可能になることを示した。471-4781988/10赤外光域での光デバイス形成に必要なIII-V族化合物半導体の低温エピタキシャル成長にプラズマ・アシステド・エピタキシ法が有効であることを示した。67-721988/07プラズマ・アシステド・エピタキシ法により水素・窒素混合ガスプラズマを用いてZnSe中に浅いアクセプタを導入する場合の反応種をプラズマ発光分光分析法により明らかにした。