炭素濃度測定装置を提供する。本発明の炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度測定装置10は、格子位置の前記炭素の原子を格子間位置に変位処理されたシリコン結晶を63K~100Kの温度範囲に冷却する冷却部と、前記シリコン結晶にキャリアを励起する励起部と、前記励起した前記シリコン結晶の発光スペクトルに含まれる複数の波長の発光強度を測定するスペクトル測定部と、前記スペクトル測定部で測定した複数の波長の中から選択した特定波長の発光強度又はその特定波長を含む発光ピークの積分強度に基づき、前記シリコン結晶中の炭素濃度を算出する濃度算出部と、を有する。概要シリコン結晶は、太陽電池、LSI、パワーデバイス等の半導体素子に広く活用されている材料である。酸素析出欠陥の形成を誘起し、半導体素子の性能劣化の原因となることがわかっているため、半導体素子の特性を制御するためには、シリコン結晶中に含まれる炭素濃度の定量測定が不可欠である。シリコン結晶中の炭素濃度の測定方法として、シリコン結晶へ電子線を照射し、半導体中に含まれる炭素原子を格子間位置に変位させて、ヘリウム冷媒で極低温(例えば、4.2ケルビン(K))に冷却し、フォトルミネッセンス法(以下、「PL法」という)でシリコン結晶中の炭素濃度を測定する方法が知られている(非特許文献1)。特許文献1には、非特許文献1と同様の構成で、シリコン結晶中の炭素濃度を測定するための測定装置図の例が開示されている。非特許文献1と特許文献1では、粒子線をシリコン結晶に照射して、炭素原子を格子間位置に変位させて、シリコン結晶中の炭素濃度を測定している。これに対して、特許文献2では、粒子線をシリコン結晶に照射して、シリコン原子を格子間位置に変位させて、シリコン結晶中の炭素濃度を測定している。特許文献3、4には、室温PL法が開示されている。炭素濃度測定装置に関する。掲載中の発明について更に詳しい内容の説明を御希望の際は、お気軽にお問い合せください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。