本年度に得られた主な成果を以下に記す。MBE法により形成し、その物性と成長温度との関係を調べた。MnSbと思われる矩形のクラスターが観測され、室温で強磁性を示した。LT-MBEO(300°C)では、室温で強磁性を示すものの、20K以下で別の秩序相が現れることを確認した。これは低温で強磁性を示す(Ga,Mn)Sbが形成されていることを示唆する。LT-MBEによりGaAs(211)B面上に形成した(In,Mn)Asナノ構造のAFM観察より、Mnがサイズを均一化するサーファクタント効果を有することを明らかにした。(211)B面上に形成したInAs量子ダッシュの形状異方性が、成長温度およびV/III比等の成長条件に強く依存することを明らかにした。層構造を作製し、層間の結合力を磁化曲線から調べるなどし、非磁性層の厚さ・障壁高さでそれらの磁気的結合を制御できることを示した。層と平行に電流を流したときのスピン依存散乱について調べ、このような系において初めて巨大磁気抵抗効果を確認した。