F)とを異ならせる動作(計測動作)と、繰り返す。T)が一定となるように計測対象電源16を制御する(グラフG6a参照)。F)となるように計測膜電源18を制御する(グラフG6bの区間K1参照)。この制御によって、計測動作が実行される。C)によって制御される。その結果、図6の(b)部に示すように、出力電圧が得られる。F)となるように、計測膜電源18を制御する(グラフG6bの区間K2参照)。この制御によって、抑制動作が実行される。この場合には、図6の(b)部に示すように、出力電圧は得られない。[0064]このような動作によっても、ドリフトの程度が低減されたデータを得ることができる。[0065][第4実施形態]ところで、第3実施形態のpHセンサ1Bの動作において、計測動作のときには、計測ISFET2から出力が得られる(図6の(b)部、区間K1参照)。計測イオン感応膜7への非計測イオン103の浸潤は、抑制されない。pHセンサ1Bが抑制動作を行うときには、計測イオン感応膜7への非計測イオン103の浸潤が抑制される。計測ISFET2から出力が得られない(図6の(b)部、区間K2参照)。ドリフトを抑制しようとすると、計測動作での動作回数(動作時間)が制限されてしまう。多くの計測ISFET2から出力を得ようとすると、ドリフトの抑制が不足する。[0066]そこで、第4実施形態のpHセンサは、ドリフトの影響を低減すると共により多くのデータが得られる構成を採用する。[0067]図7に示すように、第4実施形態のpHセンサ1Cは、計測ISFET2と、補正ISFET2C(補正センサ部)と、電源部3Cと、データ処理部30と、を有する。pHセンサ1Cは、計測ISFET2を用いて、より多くの出力を得る。この出力は、ドリフトの影響を含んでいる。そこで、pHセンサ1Cは、補正ISFET2Cの出力を利用して、計測ISFET2の出力に含まれるドリフト成分を補正する。この構成によれば、ドリフトの進行状況を把握することができる。そのうえ、ドリフトを補正するためのデータを取得することができる。この構成によれば、より長期間の計測を可能とする。[0068]計測ISFET2及び補正ISFET2Cは、それぞれ、第1実施形態の計測ISFET2と同様の構成を有する。電源部3Cは、計測対象電源16と、計測膜電源18と、補正膜電源18Cと、基板電源12、12Cと、を有する。補正膜電源18Cは、補正膜電極17Cに接続されている。補正膜電極17Cは、補正ISFET2Cが備える補正イオン感応膜7Cに埋め込まれている。[0069]データ処理部30は、電圧センサ31を介して計測ISFET2に接続されている。データ処理部30は、電圧センサ32を介して補正ISFET2Cに接続されている。データ処理部30は、計測ISFET2及び補正ISFET2Cの出力電圧に基づいて、計測対象101のpHを算出する。具体的には、データ処理部30は、補正ISFET2Cの出力電圧を利用して、計測ISFET2の出力電圧に含まれるドリフト成分を補正する。データ処理部30は、補正された計測ISFET2の出力電圧を利用して、計測対象101のpHを得る。データ処理部30は、例えば、パーソナルコンピュータ、マイクロコンピュータといったコンピュータにおいて、以下に示す動作を行うように記述されたプログラムを実行することにより実現される。[0070]データ処理部30は、計測ISFET2及び補正ISFET2Cから出力電圧に関するデータを受ける。これらの接続態様は、特に制限はない。データ処理部30は、計測ISFET2及び補正ISFET2Cに対して有線接続されてもよい。データ処理部30は、計測ISFET2及び補正ISFET2Cに対して無線接続されてもよい。データ処理部30は、計測ISFET2及び補正ISFET2Cに対してインターネット回線などを介して接続されてもよい。出力電圧に関するデータは、計測ISFET2及び補正ISFET2Cに接続されたデータ記録媒体に一時的に記録されてもよい。出力電圧に関するデータは、当該データ記録媒体を介して、データ処理部30に出力電圧に関するデータが提供されてもよい。[0071]以下、図8及び図9を参照しながら、pHセンサ1Cの動作について説明する。pHセンサ1Cの動作は、電源制御部19B及びデータ処理部30によって行われる。[0072]pHセンサ1Cを計測対象101に設置する(ステップT10)。このとき、計測ISFET2の計測イオン感応膜7と補正ISFET2Cの補正イオン感応膜7Cとは、同じ計測対象101に触れている。計測ISFET2と補正ISFET2Cの出力特性は、既知である。出力特性は、pHの変化に対する計測ISFET2等の出力電圧の変化を含んでもよい。出力特性は、計測ISFET2に接続される回路の増幅率を含んでもよい。[0073]次に、計測開始時における初期状態値を得る(ステップT20)。イオン濃度は、計測ISFET2を用いて得てもよい。イオン濃度は、その他のイオン濃度計測装置を用いて得てもよい。計測開始時における初期状態値が既知の場合には、ステップT20を省略してもよい。[0074]計測データと補正データとを取得する(ステップT30)。T)を一定値に保つ(図8の(a)部グラフG8a参照)。電源制御部19Bは、計測ISFET2を計測動作とする制御と、抑制動作とする制御と、を繰り返し実行する(図8の(a)部グラフG8b参照)。計測ISFET2では、15秒の計測動作と、30分の抑制動作とが、繰り返される。[0075]上記の計測ISFET2の動作と並行して、電源制御部19Bは、補正ISFET2Cを制御する。具体的には、電源制御部19Bは、補正ISFET2Cを計測動作とする制御と、抑制動作とする制御と、を繰り返し実行する(図8の(b)部グラフG8c参照)。[0076]一方、補正ISFET2Cの計測動作及び抑制動作の周期は、計測ISFET2の周期と異なっている。pHセンサ1Cは、計測ISFET2の計測動作と補正ISFET2Cの計測動作とが同時に行われたときを基準として、n回目(nは2以上の整数)の計測ISFET2の計測動作であるときに、再び補正ISFET2Cの計測動作を実行する。[0077]pHセンサ1Cは、計測ISFET2の計測動作をカウントするパラメータとして符号(n)を用いる。n=1は、1回目の計測ISFET2の計測動作であることを示す。n=10は、10回目の計測ISFET2の計測動作であることを示す。[0078]補正ISFET2Cの計測動作と同時に行われた計測ISFET2の計測動作の数をn=1とする。計測ISFET2の計測動作の回数がn=10であるとき、再び補正ISFET2Cの計測動作を実行する。換言すると、計測ISFET2の計測動作の回数がn=2~9であるとき、補正ISFET2Cは抑制動作を維持し続ける。[0079]上述の動作により、計測データ及び補正データが得られる。計測動作の継続時間(15秒)、計測ISFET2における抑制動作の継続時間(30分)、計測ISFET2の計測動作と同期する補正ISFET2Cの計測動作のタイミング(n=10、20、30...)などの条件は、例示であって、本発明の内容を限定するものではない。[0080]例えば、計測ISFET2は、30分の抑制動作と15秒の計測動作とを切り替えながら動作させてよい。補正ISFET2Cは、1か月の連続的な抑制動作と、15秒の計測動作と、を切り替えながら動作させる。補正ISFET2Cを計測動作として動作させるとき、計測ISFET2も同時に計測動作となるように、動作タイミングを制御する。[0081]例えば、計測ISFET2では、その動作を計測動作と抑制動作とで相互に切り替えている。原理的には、計測ISFET2を抑制動作に切り替える必要はなく、常に計測動作として動作させてもよい。その一方で、計測ISFET2を計測動作と抑制動作とで相互に切り替えることにより、ドリフトの進行を遅らせることができる。従って、より長期間に亘ってイオン濃度を計測し続けることが可能となる。[0082]次に、補正データを用いて計測データを補正する(ステップT40)。ステップT40は、少なくとも以下のステップT41~T44を含む。R:n=1)を得る(ステップT41)。[0084]次に、ドリフトの大きさを算出する(ステップT42)。