如callahan的美国专利第5,521,875号所公开的。RAM单元521,它包括由读字线RWL561来选通的读端口NMOS晶体管525,以及由写字线wwL562来选通的NMOS晶体管526。读多路转换器(MUX)包括旁路晶体管531,532等形成列MUX530的工作部分。RBL515连接到结点591上。NMOS晶体管531、到读出放大器540、以及最终到达DOUT551。RAM单元521在RBL515上驱动“0”所需的时间。RBL515.图9A-9D集中说明了如图5所示的预充电电路500的预充电/读时序。NMOS晶体管542能够通过MUXNMOS晶体管531向结点RBL515反向预充电(图9C)。在如图1所示的RAM单元100中,需要48个晶体管对。11O其余部分成为RAM器件100的主要功耗电路。521.在操作中,任意RAM单元521存储“1”的机会为50%。在这种情况下,在预充电期间,RAM单元反相器523将RBL515驱动为高电位,同时通过读MUX晶体管531,读出放大器预充电NMOS晶体管542将RBL515驱动为低电位。